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可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法技术
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文档序号:37708215
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本发明涉及有机半导体领域,具体涉及一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法,包括主体材料和客体材料,所述主体材料为第一金属与第一配体、第二配体的配合物,所述客体材料为第二金属与第三配体的配合物。通过构建主体材料和客体材料以及两者配...
该专利属于季华实验室所有,仅供学习研究参考,未经过季华实验室授权不得商用。
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