一种SiC/g-C3N4材料防燃烧复合烧制埚制造技术

本发明专利技术属于材料等器械领域，特别涉及一种SiC/g

【技术实现步骤摘要】
一种SiC/g
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C3N4材料防燃烧复合烧制埚


[0001]本专利技术属于光催化材料的器械领域，特别涉及一种SiC/g
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C3N4材料防燃烧复合烧制埚。

技术介绍

[0002]SiC/g
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C3N4是一种能够被可见光催化的复合材料，其是使用β型立方碳化硅与三聚氰胺在马弗炉中550℃高温煅烧合成的。在此温度下，虽然单独的三聚氰胺不会被燃烧，但是在本项目中，添加碳化硅后会引起大约一半的三聚氰胺被烧没，有时会导致全部的三聚氰胺被烧掉，最终导致材料的复合失败。目前针对这种现象，主要是使用惰性气体保护进行煅烧，即使用氮气、二氧化碳、氩气等惰性气体排除马弗炉内部氧气来阻止材料被氧化掉；而这样就需要将马弗炉连接高压气瓶。而对于普通实验室，这无疑会增加SiC/g
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C3N4材料的合成成本，有时会因为安全生产管理导致不能使用高压气瓶；这样就导致材料的合成率一直很低。

技术实现思路

[0003]针对上述复合材料煅烧过程中材料被燃烧的技术问题，本专利技术设计了一种SiC/g...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC/g
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C3N4材料防燃烧复合烧制埚，其特征在于，所述烧制埚由存烧埚(1)、转盛盖(2)、封盘(3)组成；所述封盘(3)密封套设在存烧埚(1)下部，所述转盛盖(2)插盖在存烧埚(1)的上部；所述存烧埚(1)包括埚底(1.1)、埚壁(1.2)、回环(1.3)、燃烧壁(1.4)和复合壁(1.5)；存烧埚(1)底部为埚底(1.1)，在所述埚底(1.1)上部边缘处设置有竖直的埚壁(1.2)，所述埚壁(1.2)顶部设置有向内水平的回环(1.3)；埚壁(1.2)内测的埚底(1.1)上设置有竖直环状的燃烧壁(1.4)；所述燃烧壁(1.4)内测设置有复合壁(1.5)；复合壁(1.5)的高度低于燃烧壁(1.4)；复合壁(1.5)内部为复合腔，用于SiC/g
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C3N4材料的复合烧制。复合壁(1.5)的内底部球面设置，其外侧壁竖直设计，其内侧壁为倒锥筒形；燃烧壁(1.4)与复合壁(1.5)之间的空间为燃烧腔，其底部为向下凹陷的底面，在该底部设置有燃烧孔(1.6)；所述埚壁(1.2)与燃烧壁(1.4)之间的空间为存留腔。所述转盛盖(2)包括盖顶(2.1)、转盛壁(2.2)、盖环(2.3)；所述转盛盖(2)上部为盖顶(2.1)，所述盖顶(2.1)下部边沿处设置有竖直的转盛壁(2.2)；所述盖顶(2.1)的上部设置有盖环(2.3...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋文明，周石洋，
申请(专利权)人：重庆化工职业学院，
类型：发明
国别省市：