使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构及其制备方法。该硅基支撑结构包括硅片本体，在硅片本体上开设至少一个镂空区域，单个镂空区域内能够容纳封装结构中对应位置的芯片，硅片本体背面贴装到封装结构内，硅片本体正面的非镂空区域形成有支撑部，所述硅基支撑结构一体成型。封装结构的重布线层、塑封层可以单一或者同时嵌入至少一层硅基支撑结构。本发明专利技术公开的使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构在应力的作用下，也不易发生翘曲的问题；具体是硅基支撑结构对整个封装结构起到了很好的支撑作用，其还能够辅助散热，提高封装结构的散热性能。提高封装结构的散热性能。提高封装结构的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，更具体涉及一种使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，晶圆级扇出封装结构广泛应用于半导体行业中。随着芯片变得越来越小，讯号接点数越来越多，传统的封装已不能满足高接点数的需求。晶圆级扇出封装技术(FOWLP)是对晶圆级芯片尺寸封装技术的补充，通过再构圆片的方式将芯片讯号接点端口引出，在重构的塑封体上形成焊球或凸点终端数组，在一定范围内可替代传统的引线键和焊球数组(WBBGA)封装或倒装芯片焊球数组(FCBGA)封装(<500讯号接点数)封装结构，特别适用于蓬勃发展的便携式消费电子领域。
[0003]更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。
[0004]目前，先进的封装方法包括：晶圆片级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packagin本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基支撑结构，用于晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，所述硅基支撑结构包括硅片本体，所述硅片本体上开设至少一个镂空区域，单个所述镂空区域内能够容纳封装结构中对应位置的芯片，所述硅片本体背面贴装到封装结构内，所述硅片本体正面的非镂空区域形成有支撑部，所述硅基支撑结构一体成型。2.根据权利要求1所述的一种硅基支撑结构，其特征在于，所述支撑部分布在硅片本体正面的四周和/或中部位置。3.根据权利要求2所述的一种硅基支撑结构，其特征在于，所述支撑部端部设有横向凸块或者凹槽。4.一种根据权利要求3所述的硅基支撑结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、根据封装结构准备硅片，并在硅片上预设镂空区域位置的图形；步骤二、根据预设图形，对硅片进行腐蚀；步骤三、对硅片背面进行减薄处理，磨至预设厚度，露出镂空图案，形成硅基支撑结构；或者，步骤一、根据封装结构准备硅片，将硅片背面进行减薄处理，磨至预设厚度；步骤二、在硅片上预设镂空区域位置的图形；步骤三、根据预设图形，对硅片进行腐蚀，形成硅基支撑结构。5.一种使用权利要求4所述方法制备的硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，至少一层所述硅基支撑结构嵌入到封装结构的塑封层，所述镂空区域的尺寸大于其对应位置的芯片尺寸。6.根据权利要求5所述的晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，所述硅基支撑结构的高度不大于塑封层的高度。7.根据权利要求6所述的晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，至少一层所述硅基支撑结构嵌入到封装结构的重布线层，所述硅基支撑结...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙欣江，杨阳，潘明东，张国栋，张中，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：