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本发明公开了一种使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构及其制备方法。该硅基支撑结构包括硅片本体,在硅片本体上开设至少一个镂空区域,单个镂空区域内能够容纳封装结构中对应位置的芯片,硅片本体背面贴装到封装结构内,硅片本体正面的非镂空区域形成有支...该专利属于江苏芯德半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏芯德半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构及其制备方法。该硅基支撑结构包括硅片本体,在硅片本体上开设至少一个镂空区域,单个镂空区域内能够容纳封装结构中对应位置的芯片,硅片本体背面贴装到封装结构内,硅片本体正面的非镂空区域形成有支...