一种异质结型薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种异质结型薄膜晶体管及其制备方法，异质结型薄膜晶体管包括：依次层叠设置的衬底、第一In2O3薄膜、金属元素掺杂的第二In2O3薄膜，以及，设置在所述金属元素掺杂的第二In2O3薄膜背离所述第一In2O3薄膜一侧的电极；所述金属元素包括Ga、Al、Sc、Zn中的至少一种。本发明专利技术中金属元素Ga、Al、Sc或Zn的掺杂能够使得第一In2O3薄膜及金属元素掺杂的第二In2O3薄膜接触界面的势阱高度升高，从而能够容纳更多的载流子，使得电荷积累效应进一步增强，大幅提升异质结型薄膜晶体管的饱和迁移率。幅提升异质结型薄膜晶体管的饱和迁移率。幅提升异质结型薄膜晶体管的饱和迁移率。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结型薄膜晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及薄膜晶体管
，尤其涉及一种异质结型薄膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(TFT)是平板显示器(FPD)应用的关键元件，包括有源矩阵液晶显示器(AMLCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。近年来，人们对FPD的更高分辨率、更大屏幕尺寸和更低功耗的需求越来越大，这使得传统的非晶Si(a
‑
Si)TFT技术达到了极限。
[0003]与传统的非晶硅(a
‑
Si)相比，金属氧化物TFT由于其高饱和迁移率、良好的透明性、优异的均匀性和合理的电学稳定性，被认为是下一代显示技术中最有前途的技术之一。但如何减少缺陷状态，提高电气性能和稳定性是溶液基金属氧化物TFT所面临的迫切挑战。为了解决上述问题，研究者采取了多种方法，如组分改性、使用添加剂和新颖的后处理等。然而，这些容易产生缺陷的金属氧化物，影响电子输运特性，导致现有的薄膜晶体管器件的电子迁移率仍较低。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结型薄膜晶体管，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底、第一In2O3薄膜、金属元素掺杂的第二In2O3薄膜，以及，设置在所述金属元素掺杂的第二In2O3薄膜背离所述第一In2O3薄膜一侧的电极；所述金属元素包括Ga、Al、Sc、Zn中的至少一种。2.根据权利要求1所述的异质结型薄膜晶体管，其特征在于，所述金属元素掺杂的第二In2O3薄膜中，所述金属元素的摩尔数占所述金属元素与所述铟元素摩尔数之和的0～60％。3.根据权利要求1所述的异质结型薄膜晶体管，其特征在于，所述第一In2O3薄膜的厚度为1.5～12nm；所述金属元素掺杂的第二In2O3薄膜的厚度为1.5～12nm。4.根据权利要求1所述的异质结型薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底包括表面含有SiO2层的硅衬底、蓝宝石衬底、玻璃衬底中的一种。5.根据权利要求1所述的异质结型薄膜晶体管，其特征在于，所述电极的厚度为90～100nm，所述电极包括铝电极、银电极、镍电极中的一种。6.一种如权利要求1
‑
5任一项所述的异质结型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成第一In2O3薄膜；在所述第一In2O3薄膜上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：许望颖，张智博，许楚瑜，
申请(专利权)人：集美大学，
类型：发明
国别省市：