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本发明公开一种异质结型薄膜晶体管及其制备方法，异质结型薄膜晶体管包括：依次层叠设置的衬底、第一In2O3薄膜、金属元素掺杂的第二In2O3薄膜，以及，设置在所述金属元素掺杂的第二In2O3薄膜背离所述第一In2O3薄膜一侧的电极；所述金属元...
该专利属于集美大学所有，仅供学习研究参考，未经过集美大学授权不得商用。

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