薄膜晶体管、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管、显示面板及显示装置，其中，薄膜晶体管包括：缓冲层，所述缓冲层表面至少凹陷设置有第一槽体和第二槽体，所述第一槽体和所述第二槽体之间间隔设置；以及掺杂层，形成于所述第一槽体和所述第二槽体内，并被所述第一槽体和所述第二槽体限位。本方案中，通过在缓冲层上设置第一槽体和第二槽体，在第一槽体和第二槽体内设置掺杂层，以使得第一槽体和第二槽体分别对对应的掺杂层进行横向限位，避免激光过程中掺杂层内的掺杂元素向着第一槽体和第二槽体外的缓冲层表面扩散。本方案中通过限制掺杂元素的热扩散方向，使激光过程中掺杂元素只能纵向扩散，以满足窄边框的生产需求。边框的生产需求。边框的生产需求。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示面板及显示装置


[0001]本专利技术涉及薄膜晶体管领域，尤其涉及薄膜晶体管、显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]TFT(Thin Film Transistor)是薄膜晶体管的缩写。TFT式显示屏是各类笔记本电脑和台式机上的主流显示设备，该类显示屏上的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，因此TFT式显示屏也是一类有源矩阵液晶显示设备。随着对显示效果的追求提升，人们有了显示界面大、显示产品边框宽度窄等要求，以保证产品整体长度、宽度的同时增加显示界面。
[0003]为了实现上述目的，薄膜晶体管(TFT)形成工艺过程中，可以采用自动校准结构和非离子注入方式的局部重叠结构。自动校准结构需要离子注入设备，而离子注入设备所需成本高，不利于在大尺寸显示中使用。非离子注入方式的局部重叠结构无需使用离子注入设备，有效降低了成本，适用于大尺寸显示，但是使用激光过程中掺杂元素容易出现横向热扩散的问题，导致需要较宽的边框进行遮挡，无法满足窄边框的需求。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：缓冲层，所述缓冲层表面至少凹陷设置有第一槽体和第二槽体，所述第一槽体和所述第二槽体之间间隔设置；掺杂层，形成于所述第一槽体和所述第二槽体内，并被所述第一槽体和所述第二槽体限位；以及有源层，形成于所述掺杂层以及所述掺杂层之间的缓冲层表面。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括基板，所述缓冲层形成于所述基板表面，所述第一槽体和所述第二槽体位于所述缓冲层背离所述基板的一面。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括绝缘层，所述绝缘层形成于所述缓冲层表面，并覆盖所述掺杂层和所述有源层。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极，所述栅极形成于所述绝缘层背离所述缓冲层的一面。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旋，周露，萧俊龙，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：