提供一种薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置。所述薄膜晶体管包括：有源层；以及与所述有源层的一部分至少部分地交叠的栅极，其中所述有源层包括：沟道部；与所述沟道部的一侧接触的第一连接部；以及与所述沟道部的另一侧接触的第二连接部，其中所述沟道部包括第一区和第二区，所述第一区和所述第二区的每一个从所述第一连接部延伸至所述第二连接部，其中所述薄膜晶体管还包括：与所述沟道部交叠的第一导电材料层；以及与所述沟道部交叠的第一间隔件，其中所述沟道部设置在所述第一导电材料层和所述栅极之间，所述第一导电材料层连接至所述第一连接部。至所述第一连接部。至所述第一连接部。
【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年11月2日提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0148501的优先权权益，通过引用将该专利申请并入本文，如同在本文完全阐述一样。
[0003]本专利技术涉及一种薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置。
技术介绍
[0004]在电子装置领域中，晶体管被广泛用作开关器件或驱动器件。尤其是，由于薄膜晶体管可在玻璃基板或塑料基板上制造，所以薄膜晶体管被广泛用作诸如液晶显示装置或有机发光装置之类的显示装置的开关器件。
[0005]显示装置例如可包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管。一般而言，有利的是，开关薄膜晶体管具有较小的S因子(S
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factor)以改进导通
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截止(on
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off)特性并且驱动薄膜晶体管具有较大的S因子以呈现灰度级。
[0006]薄膜晶体管通常具有较小的S因子以确保导通
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截止特性。当这些薄膜晶体管应用于显示装置的驱动薄膜晶体管时，难以呈现显示装置的灰度级。
[0007]因此，需要具有较大S因子的薄膜晶体管来应用于显示装置的驱动薄膜晶体管以便容易地呈现灰度级。此外，即使薄膜晶体管具有较大的S因子，也需要薄膜晶体管应当在导通状态下具有卓越的电流特性。
技术实现思路
[0008]鉴于上述问题作出了本专利技术，本专利技术的一个目的是提供一种具有较大S因子并且在导通状态下具有卓越的电流特性的薄膜晶体管。
[0009]本专利技术的另一目的是提供一种在出现阈值电压的时段具有较大S因子并且在导通状态下具有较大电流值的薄膜晶体管。
[0010]本专利技术的又一目的是提供一种薄膜晶体管，其被设计为：在阈值电压时段具有较大的S因子，从而沟道部的第一区的有效栅极电压低于沟道部的第二区的有效栅极电压。与从外部电源施加给栅极的电压相比，有效栅极电压是实际实现电流流动的、施加给栅极的电压的一部分。
[0011]本专利技术的又一目的是提供一种薄膜晶体管，其被设计为：由于不需要增大栅极和有源层之间的间隔来增大薄膜晶体管的S因子，所以栅极和有源层之间的间隔不大于必要值，以便具有卓越/改善的导通电流(ON
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current)特性。
[0012]本专利技术的又一目的是提供一种薄膜晶体管，其中间隔件沿着沟道部的一个方向设置，以便具有较大的S因子，同时具有较大的导通电流特性。
[0013]本专利技术的又一目的是提供一种薄膜晶体管，其中导电材料层沿着沟道部的一个方向设置，以便具有较大的S因子，同时具有较大的导通电流的特性。
[0014]本专利技术的又一目的是提供一种显示装置，其通过包括具有较大S因子并且同时具有较大导通电流特性的驱动薄膜晶体管而具有卓越的灰度级呈现能力以及卓越的电流特性。
[0015]除了如上所述的本专利技术的目的之外，所属领域技术人员还将从本专利技术的以下描述清楚地理解到本专利技术的附加目的和特征。
[0016]根据本专利技术的一个方面，上述和其他目的可通过提供一种薄膜晶体管来实现，所述薄膜晶体管包括：有源层；以及与所述有源层的一部分至少部分地交叠的栅极，其中所述有源层包括：沟道部；与所述沟道部的一侧接触的第一连接部；以及与所述沟道部的另一侧接触的第二连接部，其中所述沟道部包括第一区和第二区，所述第一区和所述第二区的每一个从所述第一连接部延伸至所述第二连接部，其中所述薄膜晶体管还包括：与所述沟道部交叠的第一导电材料层；以及与所述沟道部交叠的第一间隔件，其中所述沟道部设置在所述第一导电材料层和所述栅极之间，所述第一导电材料层连接至所述第一连接部。
[0017]根据本专利技术的另一方面，一种薄膜晶体管包括：有源层；以及与所述有源层的一部分至少部分地交叠的栅极，其中所述有源层包括：沟道部；与所述沟道部的一侧接触的第一连接部；以及与所述沟道部的另一侧接触的第二连接部，其中所述沟道部包括第一区和第二区，所述第一区和所述第二区的每一个从所述第一连接部延伸至所述第二连接部，其中所述薄膜晶体管还包括：与所述沟道部交叠的第一导电材料层，其中所述沟道部设置在所述第一导电材料层和所述栅极之间，所述第一导电材料层连接至所述第一连接部；以及第二导电材料层，所述第二导电材料层与所述第一导电材料层分隔开并且与所述沟道部交叠，其中所述沟道部设置在所述第二导电材料层和所述栅极之间，所述第二导电材料层连接至所述第一连接部。
[0018]根据本专利技术的又一方面，一种薄膜晶体管包括：有源层；以及与所述有源层至少部分地交叠的栅极，其中所述有源层包括：沟道部；与所述沟道部的一侧接触的第一连接部；以及与所述沟道部的另一侧(相反侧)接触的第二连接部，其中所述沟道部包括第一区和与所述第一区平行地设置的第二区，所述第一区和所述第二区的每一个从所述第一连接部延伸到所述第二连接部，施加给所述第一区的有效栅极电压小于施加给所述第二区的有效栅极电压。
[0019]所述沟道部还可包括与所述第一区分隔开的第三区，其中所述第二区插置在所述第一区和所述第三区之间，所述第三区可从至少所述第一连接部延伸至所述第二连接部，施加给所述第三区的有效栅极电压可小于施加给所述第二区的有效栅极电压。
[0020]所述沟道部还可包括与所述第二区分隔开的第四区，其中所述第一区插置在所述第二区和所述第四区之间，所述第四区可从至少所述第一连接部延伸至所述第二连接部，施加给所述第四区的有效栅极电压可大于施加给所述第一区的有效栅极电压。
[0021]所述薄膜晶体管还可包括与所述沟道部交叠的第一导电材料层，其中所述沟道部可设置在所述第一导电材料层和所述栅极之间，所述第一导电材料层可连接至所述第一连接部。
[0022]所述第一导电材料层可与所述第一区交叠。
[0023]所述薄膜晶体管还可包括与所述沟道部交叠的第一间隔件。
[0024]所述第一间隔件可不与所述第一区交叠，并且所述第一间隔件可与所述第二区交
叠。
[0025]所述沟道部还可包括第三区，所述第三区与所述第一区分隔开并且不与所述第一间隔件交叠。
[0026]所述第一间隔件可设置在所述沟道部和所述第一导电材料层之间。
[0027]所述第一间隔件和所述第一导电材料层可设置在相同层上。
[0028]所述薄膜晶体管还可包括第二间隔件，所述第二间隔件与所述第一间隔件分隔开并与所述沟道部交叠。
[0029]所述沟道部还可包括与所述第二间隔件交叠的第四区。
[0030]所述第一区可与在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间的间隙空间(指的是间隙或空间)交叠。
[0031]所述第一间隔件和所述第二间隔件可设置在所述沟道部和所述第一导电材料层之间。
[0032]所述第一导电材层、所述第一间隔件和所述第二间隔件可设置在相同层上，所述第一导电材料层可设置在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：有源层；以及与所述有源层的一部分至少部分地交叠的栅极，其中所述有源层包括：沟道部；与所述沟道部的一侧接触的第一连接部；以及与所述沟道部的另一侧接触的第二连接部，其中所述沟道部包括第一区和第二区，所述第一区和所述第二区的每一个从所述第一连接部延伸至所述第二连接部，其中所述薄膜晶体管还包括：与所述沟道部交叠的第一导电材料层；以及与所述沟道部交叠的第一间隔件，其中所述沟道部设置在所述第一导电材料层和所述栅极之间，所述第一导电材料层连接至所述第一连接部。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一间隔件不与所述第一区交叠，并且所述第一间隔件与所述第二区交叠。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部还包括与所述第一区分隔开的第三区，其中所述第二区插置在所述第一区和所述第三区之间，其中所述第三区从至少所述第一连接部延伸至所述第二连接部。4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部还包括与所述第二区分隔开的第四区，其中所述第一区插置在所述第二区和所述第四区之间，其中所述第四区从至少所述第一连接部延伸至所述第二连接部。5.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述第一导电材料层与所述第一区交叠。6.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部还包括第三区，所述第三区与所述第一区分隔开并且不与所述第一间隔件交叠。7.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述第一间隔件设置在所述沟道部和所述第一导电材料层之间。8.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中所述第一间隔件和所述第一导电材料层设置在相同层上。9.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，还包括第二间隔件，所述第二间隔件与所述第一间隔件分隔开并与所述沟道部交叠。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部还包括与所述第二间隔件交叠的第四区。11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述第一区与在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间的间隙空间交叠。12.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述第一间隔件和所述第二间隔件设置在所述沟道部和所述第一导电材料层之间。13.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述第一导电材料层、所述第一间隔件和所述第二间隔件设置在相同层上，
所述第一导电材料层设置在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间。14.一种薄膜晶体管，包括：有源层；以及与所述有源层的一部分至少部分地交叠的栅极，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔圣主，徐廷锡，高永贤，朴在润，任曙延，郑进元，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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