半导体用黏合剂、以及半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体用黏合剂，其为包含热塑性树脂、热固性树脂、固化剂及具有酸基的助熔剂化合物的半导体用黏合剂，其中，通过以10℃/分钟的升温速度对半导体用黏合剂进行加热的差示扫描热量测量而得到的DSC曲线的60至155℃的发热量为20J/g以下，通过以10℃/分钟的升温速度对半导体用黏合剂进行加热的剪切粘度测量而得到的粘度曲线的最低熔融粘度为2000Pa

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体用黏合剂、以及半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术有关一种半导体用黏合剂、以及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]以往，连接半导体芯片与基板时，广泛应用使用金导线等金属细线的导线接合方式。
[0003]近年来，为了应对对半导体装置的高功能化、高积体化、高速化等要求，在半导体芯片或基板上形成称为凸块的导电性突起，直接连接半导体芯片与基板的倒装芯片(flip chip)连接方式(FC连接方式)正在普及。
[0004]例如，关于半导体芯片与基板之间的连接，在BGA(Ball Grid Array：球栅阵列)、CSP(Chip Size Package：芯片尺寸封装)等中广泛使用的COB(Chip On Board：板上芯片)型连接方式也符合FC连接方式。并且，FC连接方式也广泛使用于在半导体芯片上形成连接部(凸块或配线)来连接半导体芯片之间的COC(Chip On Chip：层叠式芯片)型及在半导体晶圆上形成连接部(凸块或配线)来连接半导体芯片与半导体晶圆之间的COW(Chip On Wafer：晶圆上芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体用黏合剂，其为包含热塑性树脂、热固性树脂、固化剂及具有酸基的助熔剂化合物的半导体用黏合剂，其中，通过以10℃/分钟的升温速度对所述半导体用黏合剂进行加热的差示扫描热量测量而得到的DSC曲线的60～155℃的发热量为20J/g以下，通过以10℃/分钟的升温速度对所述半导体用黏合剂进行加热的剪切粘度测量而得到的粘度曲线的最低熔融粘度为2000Pa
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s以上。2.根据权利要求1所述的半导体用黏合剂，其中，所述最低熔融粘度为3000Pa
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s以上。3.根据权利要求1所述的半导体用黏合剂，其中，所述最低熔融粘度为4000Pa
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s以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，所述最低熔融粘度为20000Pa
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s以下。5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，所述最低熔融粘度为15000Pa
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s以下。6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，所述最低熔融粘度为10000Pa
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s以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，通过以10℃/分钟的升温速度对所述半导体用黏合剂进行加热的差示扫描热量测量而得到的DSC曲线的起始温度为155℃以上。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，示出所述最低熔融粘度的温度为135℃以上。9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，示出所述最低熔融粘度的温度为140℃以上。10.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，示出所述最低熔融粘度的温度为145℃以上。11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，通过以10℃/分钟的升温速度对所述半导体用黏合剂进行加热的剪切粘度测量而得到的粘度曲线的80℃的粘度为10000Pa
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s以上。12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，所述热塑性树脂的重均分子量为10000以上。13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，所述热塑性树脂的含量以所述半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，为1至30质量％。14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，所述热塑性树脂的含量以所述半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，为5质量％以上。15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，所述固化剂含有胺类固化剂。16.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，
所述固化剂含有咪唑类固化剂。17.根据权利要求1至16中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，所述固化剂的含量以所述半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，为2.3质量％以下。18.根据权利要求1至17中任一项所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋吉利泰，上野惠子，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：