有机发光二极管和具有该有机发光二极管的有机发光装置制造方法及图纸

技术编号:37700900 阅读:5 留言:0更新日期:2023-06-01 23:44
一种有机发光二极管(OLED),其中至少一个发光材料层包括具有式1表示的结构的掺杂剂和双咔唑基主体和/或吖嗪基主体,以及一种包括该OLED的有机发光装置。包括所述主体和所述掺杂剂的OLED和有机发光装置能够提高其发光效率和发光寿命。[式1]Ir(L

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管和具有该有机发光二极管的有机发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月26日在韩国提交的韩国专利申请第10

2021

0165652号的优先权,在此明确将其整体内容并入本申请中。


[0003]本公开内容涉及一种有机发光二极管。例如,一种具有改进的发光效率和发光寿命的有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置。

技术介绍

[0004]包括有机发光二极管(OLED)在内的平板显示装置作为可取代液晶显示装置(LCD)的显示装置而受到关注。OLED可以形成小于的有机薄膜,并且电极配置可以实现单向或双向图像。此外,OLED甚至可以形成在诸如塑料基板的柔性透明基板上,从而使用所述OLED可以容易地实现柔性或可折叠显示装置。此外,OLED可以在较低电压下驱动,与LCD相比,OLED具有有利的高色纯度。
[0005]由于荧光材料在发光过程中仅使用单重态激子能量,因此现有技术的荧光材料显示出较低的发光效率。相反,磷光材料由于在发光过程中使用三重态激子能量以及单重态激子能量,因此可以显示出较高的发光效率。然而,磷光材料的示例包括金属络合物,其在商业应用中的发光寿命较短。因此,仍需要开发能够提高发光效率和发光寿命的发光化合物或有机发光二极管。

技术实现思路

[0006]因此,本公开内容的实施方式涉及有机发光二极管和有机发光装置,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而产生的一个或多个问题。
[0007]本公开内容的一个方面是提供一种可具有改进的发光效率和发光寿命的有机发光二极管。本公开内容的另一方面提供一种包括该有机发光二极管的有机发光装置。
[0008]在下面的描述中将列出附加的特征和方面,这些特征和方面的一部分根据说明书将变得显而易见,或者可通过实践本文提供的所公开的构思而获知。本所公开的构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中具体指出的或从其得出的结构、以及其权利要求以及附图来实现和获得。
[0009]为了实现所公开的构思的这些和其他方面,如具体和广泛地描述的,在一个方面,本公开内容提供一种有机发光二极管,其包括:第一电极;面向所述第一电极的第二电极;和发光层,所述发光层设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括至少一个发光材料层,所述至少一个发光材料层包括主体和掺杂剂,所述主体包括具有式7表示的结构的第一主体和具有式9表示的结构的第二主体,所述掺杂剂包括具有式1表示的结构的有机金属化合物:
[0010]其中:
[0011]式1是:
[0012][式1][0013]Ir(L
A
)
m
(L
B
)
n
[0014]其中,在式1中,
[0015]L
A
具有式2表示的结构;
[0016]L
B
为具有式3表示的结构的辅助配体;
[0017]m为1至3的整数;
[0018]n为0至2的整数;并且
[0019]m+n为3;
[0020][式2][0021][0022]其中,在式2中,
[0023]X1和X2各自独立地为CR7或N;
[0024]X3至X5各自独立地为CR8或N,并且X3至X5的至少一者为CR8;
[0025]X6至X9各自独立地为CR9或N,并且X6至X9的至少一者为CR9;
[0026]当R1至R5之中的两个相邻基团,和/或
[0027]当b为2或更大的整数时两个相邻的R6,和/或
[0028]X3和X4或X4和X5,和/或
[0029]X6和X7、X7和X8、或X8和X9[0030]未形成环时,
[0031]R1至R9各自独立地为氕、氘、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
杂烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C2‑
C
20
烯基、未氘代或氘代的未取代或取代的C2‑
C
20
杂烯基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷氧基、羧基、腈、异腈、磺胺基、膦、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未氘代或氘代的
未取代或取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C4‑
C
30
脂环基、未氘代或氘代的未取代或取代的C3‑
C
30
杂脂环基、未氘代或氘代的未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未氘代或氘代的未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基,并且其中当b为2或更大的整数时,每个R6彼此相同或不同;
[0032]可选地,
[0033]R1至R5之中的两个相邻基团,和/或
[0034]当b为2或更大的整数时两个相邻的R6,和/或
[0035]X3和X4或X4和X5,和/或
[0036]X6和X7、X7和X8、或X8和X9、
[0037]进一步直接或间接连接在一起以形成未取代或取代的C4‑
C
20
脂环、未取代或取代的C3‑
C
20
杂脂环、未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环;
[0038]a为0至2的整数;并且
[0039]b为0至4的整数,
[0040][式3][0041]并且
[0042][式7][0043][0044]其中,在式7中,
[0045]R
41
至R
44
各自独立地为未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基,其中当p为2或更大的整数时,每个R
43
彼此相同或不同,当q为2或更大的整数时,每个R
44
彼此相同或不同,可选地,未取代或取代的C6

C30芳基和未取代或取代的C3

C30杂芳基各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构;并且
[0046]p和q各自独立地为0至7的整数,
[0047][式9][0048][0049]其中,在式9中,
[0050]R
51
、R
52
和R
61
各自独立地为未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管,包括:第一电极;面向所述第一电极的第二电极;和发光层,所述发光层设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括至少一个发光材料层,所述至少一个发光材料层包括:主体,所述主体包括:具有式7表示的结构的第一主体,和具有式9表示的结构的第二主体,和掺杂剂,所述掺杂剂包括具有式1表示的结构的有机金属化合物:[式1]Ir(L
A
)
m
(L
B
)
n
其中,在式1中,L
A
具有式2表示的结构;L
B
为具有式3表示的结构的辅助配体;m为1至3的整数;n为0至2的整数;并且m+n为3;[式2]其中,在式2中,X1和X2各自独立地为CR7或N;X3至X5各自独立地为CR8或N,并且X3至X5的至少一者为CR8;X6至X9各自独立地为CR9或N,并且X6至X9的至少一者为CR9;当R1至R5之中的两个相邻基团,和/或
当b为2或更大的整数时两个相邻的R6,和/或X3和X4或X4和X5,和/或X6和X7、X7和X8、或X8和X9未形成环时,R1至R9各自独立地为氢、氕、氘、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
杂烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C2‑
C
20
烯基、未氘代或氘代的未取代或取代的C2‑
C
20
杂烯基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷氧基、羧基、腈、异腈、磺胺基、膦、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C4‑
C
30
脂环基、未氘代或氘代的未取代或取代的C3‑
C
30
杂脂环基、未氘代或氘代的未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未氘代或氘代的未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基,并且其中当b为2或更大的整数时,每个R6彼此相同或不同;可选地,R1至R5之中的两个相邻基团,和/或当b为2或更大的整数时两个相邻的R6,和/或X3和X4或X4和X5,和/或X6和X7、X7和X8、或X8和X9、进一步直接或间接连接在一起以形成未取代或取代的C4‑
C
20
脂环、未取代或取代的C3‑
C
20
杂脂环、未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环;a为0至2的整数;并且b为0至4的整数,[式3][式7]其中,在式7中,
R
41
至R
44
各自独立地为未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基;其中当p为2或更大的整数时,每个R
43
彼此相同或不同,当q为2或更大的整数时,每个R
44
彼此相同或不同,可选地,未取代或取代的C6‑
C
30
芳基和未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构;并且p和q各自独立地为0至7的整数,[式9]其中,在式9中,R
51
、R
52
和R
61
各自独立地为未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基,可选地,未取代或取代的C6‑
C
30
芳基或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构;Y1、Y2和Y3各自独立地为CR
53
或N,其中Y1、Y2和Y3的至少一者为N;R
53
独立地为氕、氘、氚、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基,可选地,未取代或取代的C6‑
C
30
芳基和未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构;A1至A4各自独立地为CR
62
或N,其中A1至A4的至少一者为CR
62
;当两个相邻R
62
和/或R
63
至R
65
中的两个相邻基团未形成环时R
62
至R
65
各自独立地为氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
10
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基,可选地,未取代或取代的C6

C30芳基和未取代或取代的C3

C30杂芳基各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构,可选地,两个相邻R
62
和/或R
63
至R
65
中的两个相邻基团进一步直接或间接连接在一起以形成未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环,可选地,未取代或取代的C6‑
C
30
芳环和未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
20
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
20
杂芳环形成螺结构;当r为2或更大的整数时两个相邻R
69
和/或s为2或更大的整数时两个相邻R
70
未形成环时,
R
69
和R
70
各自独立地为未取代或取代的氢、C1‑
C
10
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基,可选地,未取代或取代的C6‑
C
30
芳基和未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构,其中当r为2或更大的整数时,每个R
69
彼此相同或不同,当s为2或更大的整数时,每个R
70
彼此相同或不同,可选地,当r为2或更大的整数时两个相邻R
69
,和/或当s为2或更大的整数时两个相邻R
70
进一步直接或间接连接在一起以形成未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环,可选地,未取代或取代的C6‑
C
30
芳环和未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
20
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
20
杂芳环形成螺结构;L是单键、未取代或取代的C6‑
C
30
芳撑基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳撑基,可选地,未取代或取代的C6‑
C
30
芳撑基和未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳撑基各自独立地与未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环形成螺结构;Z是O或S;和r和s各自独立地为0至3的整数。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中L
A
具有式4A或式4B表示的结构:[式4A][式4B]
其中,在式4A和式4B中,R1至R6和b的每一者如式2中所定义;当d为2或更大的整数时两个相邻的R
13
,和/或当e为2或更大的整数时两个相邻的R
14
,未形成环时,R
11
至R
14
各自独立地为氕、氘、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
杂烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C2‑
C
20
烯基、未氘代或氘代的未取代或取代的C2‑
C
20
杂烯基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷氧基、羧基、腈、异腈、磺胺基、膦、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C4‑
C
30
脂环基、未氘代或氘代的未取代或取代的C3‑
C
30
杂脂环基、未氘代或氘代的未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未氘代或氘代的未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基;可选地,当d为2或更大的整数时两个相邻的R
13
,和/或当e为2或更大的整数时两个相邻的R
14
进一步直接或间接连接在一起以形成未取代或取代的C4‑
C
20
脂环、未取代或取代的C3‑
C
20
杂脂环、未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环;c为0或1的整数;d为0至3的整数;并且
e为0至4的整数。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中L
A
具有式4C或式4D表示的结构:[式4C][式4D]
其中,在式4C和式4D中,R1至R6和b的每一者如式2中所定义;当d为2或更大的整数时两个相邻的R
13
,和/或当e为2或更大的整数时两个相邻的R
14
,未形成环时,R
11
至R
14
各自独立地为氢、氕、氘、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
杂烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C2‑
C
20
烯基、未氘代或氘代的未取代或取代的C2‑
C
20
杂烯基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷氧基、羧基、腈、异腈、磺胺基、膦、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未氘代或氘代的未取代或取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未氘代或氘代的未取代或取代的C4‑
C
30
脂环基、未氘代或氘代的未取代或取代的C3‑
C
30
杂脂环基、未氘代或氘代的未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未氘代或氘代的未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基;可选地,当d为2或更大的整数时两个相邻的R
13
,和/或当e为2或更大的整数时两个相邻的R
14
进一步直接或间接连接在一起以形成未取代或取代的C4‑
C
20
脂环、未取代或取代的C3‑
C
20
杂脂环、未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环;c为0或1的整数;d为0至3的整数;并且e为0至4的整数。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中L
B
具有式5A或式5B表示的结构:[式5A][式5B]其中,在式5A和式5B中,R
21
、R
22
和R
31
至R
33
各自独立地为氢、氕、氘、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C1‑
C
20
杂烷基、未取代或取代的C2‑
C
20
烯基、未取代或取代的C2‑
C
20
杂烯基、未取代或取代的C1‑
C
20
烷氧基、羧基、腈、异腈、磺胺基、膦、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未取代或取代的C4‑
C
30
脂环基、未取代或取代的C3‑
C
30
杂脂环基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基,可选地,当f为2或更大的整数时两个相邻的R
21
,和/或当g为2或更大的整数时两个相邻的R
22
,和/或R
31
和R
32
、或R
32
和R
33
进一步直接或间接连接在一起形成未取代或取代的C4‑
C
20
脂环、未取代或取代的C3‑
C
20
杂脂环、未取代或取代的C6‑
C
30
芳环、或者未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳环;并且f和g各自为0至4的整数。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中X1为CR7,X2为CR7或N,X3至X5各自独立地为CR8,X6至X9各自独立地为CR9。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中所述有机金属化合物包括以下化合物中的至少一者:
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中所述第一主体包括以下化合物中的至少一者:
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中所述第二主体包括以下化合物中的至少一者:
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中所述发光层包括:第一发光部,所述第一发光部设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括第一发光材料层;第二发光部,所述第二发光部设置在所述第一发光部与所述第二电极之间并且包括第二发光材料层;以及第一电荷产生层,所述第一电荷产生层设置在所述第一发光部和所述第二发光部之间,其中所述第一发光材料层和所述第二发光材料层的至少一者包括所述主体和所述掺杂剂。10.根据权利要求9所述的有机发光二极管,其中所述第二发光材料层包括设置在所述第一电荷产生层和所述第二电极之间的第一层以及设置在所述第一层和所述第二电极之间的第二层,并且其中所述第一层和所述第二层之一包括所述主体和所述掺杂剂。11.根据权利要求10所述的有机发光二极管,其中所述第二发光材料层进一步包括设置在所述第一层和所述第二层之间的第三层。12.根据权利要求9所述的有机发光二极管,其中所述发光层进一步包括:设置在所述第二发光部和所述第二电极之间并且包括第三发光材料层的第三发光部、以及设置在所述第二发光部和所述第三发光部之间的第二电荷产生层。13.根据权利要求12所述的有机发光二极管,其中所述第二发光材料层包括:设置在所述第一电荷产生层和所述第二电极之间的第一层,以及设置在所述第一层和所述第二电极之间的第二层,其中所述第一层和所述第二层之一包括所述主体和所述掺杂剂。14.一种有机发光二极管,...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑求善H
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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