有机发光器件及显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种有机发光器件及显示装置，属于显示技术领域。该有机发光器件，包括至少一层发光层，所述发光层包括至少一层第一发光层和至少一层第二发光层，所述第一发光层和所述第二发光层交替层叠设置；所述第一发光层的材料包含第一主体材料和热活化延迟荧光敏化材料，所述第二发光层材料包含第二主体材料和荧光客体材料；所述第一主体材料和所述第二主体材料相同；所述第一发光层的厚度为1nm

【技术实现步骤摘要】
有机发光器件及显示装置


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种有机发光器件及显示装置。

技术介绍

[0002]热活化延迟荧光(Thermal active delay fluorescent，简称TADF)材料可作为敏化材料，敏化荧光客体材料发光。现有技术中，TADF敏化器件中会发生T
1TADF
→
T
1Dopant
(T
1TADF
：TADF敏化材料最低三重态能量；T
1Dopant
：客体材料最低三重态能量)的德氏(Dexter)能量转移，由于荧光发光材料的T
1TADF
无法辐射跃迁发光，因此会造成激子的损失、器件效率的降低。
[0003]所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本公开的目的在于提供一种有机发光器件及显示装置，提升发光器件的效率。
[0005]为实现上述专利技术目的，本公开采用如下技术方案：
[0006]根据本公开的第一个方面，提供一种有机发光器件，包括至少一层发光层，所述发光层包括至少一层第一发光层和至少一层第二发光层，所述第一发光层和所述第二发光层交替层叠设置；
[0007]所述第一发光层的材料包含第一主体材料和热活化延迟荧光敏化材料，所述第二发光层材料包含第二主体材料和荧光客体材料；
[0008]所述第一主体材料和所述第二主体材料相同；
[0009]所述第一发光层的厚度为1nm
‑
15nm，所述第二发光层的厚度为1nm
‑
15nm。
[0010]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一发光层的材料包含所述第一主体材料的掺杂浓度为40％
‑
85％，所述热活化延迟荧光敏化材料的掺杂浓度为15％
‑
60％；
[0011]所述第二发光层的材料包含所述第二主体材料的掺杂浓度为98％
‑
99.5％，所述荧光客体材料的掺杂浓度为0.5％
‑
2％。
[0012]在本公开的一种示例性实施例中，所述发光层的厚度为20nm
‑
50nm。
[0013]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一发光层和所述第二发光层的层数总和为3
‑
45层。
[0014]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一主体材料、所述第二主体材料、所述热活化延迟荧光材料和所述荧光客体材料满足如下关系：
[0015]S
1Host
＞S
1TADF
＞S
1Dopant
；
[0016]其中，S
1Host
表示所述第一主体材料或所述第二主体材料的最低单重态能量，S
1TADF
表示所述热活化延迟荧光材料的最低单重态能量，S
1Dopant
表示所述荧光客体材料的最低单重态能量。
[0017]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一主体材料、所述第二主体材料、所述热
活化延迟荧光材料和所述荧光客体材料满足如下关系：
[0018]T
1Host
＞T
1TADF
＞T
1Dopant
；
[0019]其中，T
1Host
表示所述第一主体材料或所述第二主体材料的最低三重态能量，T
1TADF
表示所述热活化延迟荧光材料的最低三重态能量，T
1Dopant
表示所述荧光客体材料的最低三重态能量。
[0020]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一主体材料、所述第二主体材料、所述热活化延迟荧光材料满足如下关系：
[0021]|HOMO
TADF
|＜|HOMO
Host
|；
[0022]|LUMO
TADF
|＞|LUMO
Host
|；
[0023]其中，HOMO
TADF
表示所述热活化延迟荧光材料的最高占据分子轨道能级，HOMO
Host
表示所述第一主体材料或所述第二主体材料的最高占据分子轨道能级；
[0024]LUMO
TADF
表示所述热活化延迟荧光材料的最低未占据分子轨道能级，LUMO
Host
表示所述第一主体材料或所述第二主体材料的最低未占据分子轨道能级。
[0025]在本公开的一种示例性实施例中，所述有机发光器件为单发光器件或串联发光器件，所述单发光器件包含一层所述发光层，所述串联发光器件包含两层或两层以上所述发光层。
[0026]根据本公开第二个方面，提供一种有机发光器件的制作方法，包括：
[0027]将所述第一主体材料和所述热活化延迟荧光敏化材料加热，共同蒸镀形成所述第一发光层；
[0028]将所述第二主体材料和所述荧光客体材料加热，共同蒸镀形成所述第二发光层；
[0029]其中，所述第一主体材料和所述第二主体材料相同；
[0030]所述第一发光层的厚度为1nm
‑
15nm，所述第二发光层的厚度为1nm
‑
15nm。
[0031]根据本公开第三个方面，提供一种显示装置，包括如第一方面所述的有机发光器件。
[0032]本公开提供的有机发光器件，TADF敏化材料和荧光客体材料分别位于第一发光层和第二发光层，如此，有助于减少两者接触的概率，从而在一定程度上增大TADF敏化材料和荧光客体材料之间的距离，降低两者间发生T
1TADF
→
T
1Dopant
的Dexter能量转移的概率，降低激子的损失，提升器件效率。
附图说明
[0033]通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
[0034]图1是相关技术中发光层能量转移结构示意图；
[0035]图2是本公开示例性实施例中有机发光器件结构示意图；
[0036]图3是本公开另一示例性实施例中有机发光器件结构示意图；
[0037]图4是本公开示例性实施例中发光层能量转移结构示意图。
[0038]图中主要元件附图标记说明如下：
[0039]10
‑
第一电极；20
‑
第二电极；310
‑
第一空穴注入层；320
‑
第一空穴传输层；330
‑
第一电子阻挡层；350
‑
第一空穴阻挡层；360
‑
第一电子传输层；370
‑
电子生成层；410
‑
空穴生
成层；420
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光器件，其特征在于，包括至少一层发光层，所述发光层包括至少一层第一发光层和至少一层第二发光层，所述第一发光层和所述第二发光层交替层叠设置；所述第一发光层的材料包含第一主体材料和热活化延迟荧光敏化材料，所述第二发光层材料包含第二主体材料和荧光客体材料；所述第一主体材料和所述第二主体材料相同；所述第一发光层的厚度为1nm
‑
15nm，所述第二发光层的厚度为1nm
‑
15nm。2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一发光层的材料包含所述第一主体材料的掺杂浓度为40％
‑
85％，所述热活化延迟荧光敏化材料的掺杂浓度为15％
‑
60％；所述第二发光层的材料包含所述第二主体材料的掺杂浓度为98％
‑
99.5％，所述荧光客体材料的掺杂浓度为0.5％
‑
2％。3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为20nm
‑
50nm。4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一发光层和所述第二发光层的层数总和为3
‑
45层。5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一主体材料、所述第二主体材料、所述热活化延迟荧光材料和所述荧光客体材料满足如下关系：S
1Host
＞S
1TADF
＞S
1Dopant
；其中，S
1Host
表示所述第一主体材料或所述第二主体材料的最低单重态能量，S
1TADF
表示所述热活化延迟荧光材料的最低单重态能量，S
1Dopant
表示所述荧光客体材料的最低单重态能量。6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述第一主体材料、所述第二主体材料、所述热活化延迟荧光材料和所述荧光客体材料满足如下关系：T
1Host...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永红，李彦松，杜小波，马立辉，周辉，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：