基板处理装置及包括该基板处理装置的半导体制造设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供针对每个工艺模块配置单独的负载锁定腔室的基板处理装置及包括该基板处理装置的半导体制造设备。所述半导体制造设备包括：分度模块，包括第一搬运机械手，并且用于利用第一搬运机械手来取出装载在容器中的基板并进行传递；传送模块，包括第二搬运机械手，并且用于利用第二搬运机械手来中转由分度模块传递的基板；缓冲腔室，用于加热由传送模块中转的基板；以及工艺腔室，用于处理被缓冲腔室加热的基板，其中，缓冲腔室在基板被搬入工艺腔室之前的等待期间加热基板。艺腔室之前的等待期间加热基板。艺腔室之前的等待期间加热基板。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及包括该基板处理装置的半导体制造设备


[0001]本专利技术涉及用于处理基板的基板处理装置以及包括该基板处理装置的半导体制造设备。更详细地，涉及用于对基板进行清洗处理的基板处理装置以及包括该基板处理装置的半导体制造设备。

技术介绍

[0002]半导体元件制造工艺可以在半导体元件制造设备中连续地执行，并且可以分为前工艺和后工艺。半导体制造设备可以设置在定义为FAB(Fabrication Plant，制造工厂)的空间，以制造半导体元件。
[0003]前工艺是指在晶片(Wafer)上形成电路图案以完成芯片(Chip)的工艺。前工艺可以包括在晶片上形成薄膜的沉积工艺(Deposition Process)、利用光掩模(Photo Mask)将光刻胶(Photo Resist)转印到薄膜上的曝光工艺(Photo Lithography Process)、利用化学物质或反应性气体来选择性地去除不需要的部分以在晶片上形成期望的电路图案的蚀刻工艺(Etching Process)、去除蚀刻后残留的光刻胶的灰化工艺(Ashing Proce本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造设备，包括：分度模块，包括第一搬运机械手，并且用于利用所述第一搬运机械手来取出装载在容器中的基板并进行传递；传送模块，包括第二搬运机械手，并且用于利用所述第二搬运机械手来中转由所述分度模块传递的所述基板；缓冲腔室，用于加热由所述传送模块中转的所述基板；以及工艺腔室，用于处理被所述缓冲腔室加热的所述基板，其中，所述缓冲腔室在所述基板被搬入所述工艺腔室之前的等待期间加热所述基板。2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述缓冲腔室在被所述工艺腔室处理的所述基板被搬出之前的等待期间加热所述基板。3.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，在所述工艺腔室为多个的情况下，所述缓冲腔室单独地设置于每个工艺腔室。4.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其中，所述缓冲腔室结合于所述基板所搬入的所述工艺腔室的前表面。5.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述缓冲腔室在所述基板被加热期间向所述基板提供吹扫气体。6.根据权利要求5所述的半导体制造设备，其中，所述吹扫气体是温度高于常温的高温气体。7.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述第二搬运机械手将被所述缓冲腔室加热的所述基板搬运到所述工艺腔室，以及所述传送模块的内部是真空环境。8.根据权利要求7所述的半导体制造设备，其中，在所述第二搬运机械手的末端执行器上设置有热线。9.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其中，所述传送模块的内部是大气压环境。10.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述缓冲腔室设置在所述传送模块的内部。11.根据权利要求10所述的半导体制造设备，其中，所述缓冲腔室设置在与所述分度模块的接触面内，或者还设置在面对所述接触面的面内，或者在所述工艺腔室为多个的情况下设置在彼此不同的两个工艺腔室之间的区域中。12.根据权利要求11所述的半导体制造设备，其中，所述传送模块的内部是真空环境。13.根据权利要求1所述的半导体制造设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：严永堤，朴玩哉，金东勳，李城吉，吴东燮，卢明燮，韩旻成，李宰厚，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：