晶圆研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种晶圆研磨装置，晶圆研磨装置包括：基座；工作台，设置于基座的第一表面，用于放置待研磨的晶圆；研磨件，用于对工作台上放置的晶圆进行研磨；至少三件支撑件，包括至少一件固定支撑件和至少一件可调节支撑件；至少三件支撑件均位于基座的第二表面的边缘位置，且至少三件支撑件不位于同一直线上；其中，可调节支撑件包括驱动件和升降组件，驱动件用于驱动升降组件升降，以通过升降组件的升降调节工作台的倾斜角度。本申请使得工作台的调节方式由手动调节变为自动调节，便于对工作台倾斜角度的控制，在测试时易于达到所需的TTV值。而且自动调节不存在手动旋钮受到振动容易松动的问题，工作台的倾斜角度可以长时间地保持稳定。地保持稳定。地保持稳定。

【技术实现步骤摘要】
晶圆研磨装置


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言涉及一种晶圆研磨装置。

技术介绍

[0002]在晶圆制造中，随着制程技术的升级以及导线与栅极尺寸的缩小，光刻技术对晶圆表面的平坦程度的要求越来越高。在半导体制造工艺中，化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是实现晶圆表面平坦化的一种较佳的工艺过程，尤其是在半导体制作工艺进入亚微米领域后，化学机械研磨已成为一项不可或缺的工艺技术。
[0003]相关技术中，晶圆研磨装置主要包括基座(Base)，基座上设有工作台(chuck table)，基座下设有呈三角形排布的三个支撑件，其中两个支撑件与基座之间为固定支撑，另外一个支撑件与基座之间为可调节支撑。可调节支撑通过人工转动手动旋钮带动丝杆转动，进而通过丝杆上设置的轴承带动工作台升降，以调节工作台的倾斜角度。
[0004]然而，手动调节时工作台的倾斜角度较难控制，在测试时难以到达所需的总厚度偏差(Total Thickness Variation，简称为TTV)。
[0005]鉴于上述技术问题的存在，本技术提供一种新的晶圆研磨装置，以至少部分地解决上述问题。

技术实现思路

[0006]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0007]针对目前存在的问题，本技术一方面提供一种晶圆研磨装置，所述装置包括：基座；工作台，设置于所述基座的第一表面，用于放置待研磨的晶圆；研磨件，用于对所述工作台上放置的晶圆进行研磨；至少三件支撑件，包括至少一件固定支撑件和至少一件可调节支撑件；所述至少三件支撑件均位于所述基座的第二表面的边缘位置，且所述至少三件支撑件不位于同一直线上；其中，所述可调节支撑件包括驱动件和升降组件，所述驱动件用于驱动所述升降组件升降，以通过所述升降组件的升降调节所述工作台的倾斜角度。
[0008]在本申请的一个实施例中，所述至少三件支撑件包括至少两件所述可调节支撑件。
[0009]在本申请的一个实施例中，所述升降组件包括丝杆和传动件，所述传动件连接所述丝杆和所述基座，所述驱动件驱动所述丝杆转动，所述传动件随所述丝杆的转动而沿所述丝杆升降，以通过所述基座调节所述工作台的倾斜角度。
[0010]在本申请的一个实施例中，所述驱动件为步进电机。
[0011]在本申请的一个实施例中，所述装置还包括控制组件，用于向所述步进电机发送控制信号，以使所述步进电机根据所述控制信号转动相应的角位移。
[0012]在本申请的一个实施例中，所述装置还包括测量组件，所述测量组件用于测量所述晶圆的厚度，并用于向所述控制组件发送测量结果。
[0013]在本申请的一个实施例中，所述控制组件包括处理器和与所述处理器电连接的信号放大器和信号转换器，所述处理器配置为发出所述控制信号，所述信号放大器配置为对所述控制信号进行放大并向所述步进电机发送，所述信号转换器配置为将所述步进电机转动的角位移转化为电信号并向所述处理器发送。
[0014]在本申请的一个实施例中，所述传动件为轴承，所述轴承包括内圈和外圈，所述内圈与所述基座连接，所述外圈与所述丝杆连接，其中，当所述丝杆转动时，通过所述外圈引起所述内圈升降，以通过所述内圈的升降调节所述工作台的倾斜角度。
[0015]本技术的晶圆研磨装置，通过驱动件驱动升降组件升降，通过升降组件的升降调节工作台的倾斜角度，从而使得工作台的调节方式由手动调节变为了自动调节，从而便于对工作台倾斜角度的控制，在测试时易于达到所需的TTV值。而且自动调节不存在手动旋钮受到振动容易松动的问题，工作台的倾斜角度可以长时间地保持稳定。
附图说明
[0016]本技术的下列附图在此作为本技术的一部分用于理解本技术。附图中示出了本技术的实施例及其描述，用来解释本技术的原理。
[0017]附图中：
[0018]图1示出了本技术一个具体实施方式的晶圆研磨装置的立体示意图；
[0019]图2示出了本技术一个具体实施方式的晶圆研磨装置的正视图；
[0020]图3示出了本技术一个具体实施方式的检测组件的结构框图；
[0021]图4示出了本技术一个具体实施方式的晶圆研磨装置中A2点、B2点和C2点的位置示意图；
[0022]图5A示出了本技术一个具体实施方式的晶圆与研磨件的接触示意图；
[0023]图5B示出了本技术一个具体实施方式的研磨件研磨晶圆时的示意图；
[0024]图6A示出了本技术另一个具体实施方式的晶圆与研磨件的接触示意图；
[0025]图6B示出了本技术另一个具体实施方式的研磨件研磨晶圆时的示意图；
[0026]图7A示出了本技术另一个具体实施方式的晶圆与研磨件的接触示意图；
[0027]图7B示出了本技术另一个具体实施方式的研磨件研磨晶圆时的示意图。
具体实施方式
[0028]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0029]应当理解的是，本技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0030]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0031]空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨装置，其特征在于，所述装置包括：基座；工作台，设置于所述基座的第一表面，用于放置待研磨的晶圆；研磨件，用于对所述工作台上放置的晶圆进行研磨；至少三件支撑件，包括至少一件固定支撑件和至少一件可调节支撑件；所述至少三件支撑件均位于所述基座的第二表面的边缘位置，且所述至少三件支撑件不位于同一直线上；其中，所述可调节支撑件包括驱动件和升降组件，所述驱动件用于驱动所述升降组件升降，以通过所述升降组件的升降调节所述工作台的倾斜角度。2.如权利要求1所述的晶圆研磨装置，其特征在于，所述至少三件支撑件包括至少两件所述可调节支撑件。3.如权利要求1～2中任一项所述的晶圆研磨装置，其特征在于，所述升降组件包括丝杆和传动件，所述传动件连接所述丝杆和所述基座，所述驱动件驱动所述丝杆转动，所述传动件随所述丝杆的转动而沿所述丝杆升降，以通过所述基座调节所述工作台的倾斜角度。4.如权利要求3所述的晶圆研磨装置，其特征在于，所述驱动件为步进电机。...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏延东，任瑞，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：