低电容过电压保护元件制造技术

本发明专利技术是一种低电容过电压保护元件，主要包括一第一电极片、一第二电极片、一设于该第一电极片与该第二电极片之间的绝缘介质层，以及复数粉末本体，该些粉末本体是彼此间隔布设于该绝缘介质层内，每一粉末本体是包括一绝缘体及一导体层，其中该导体层是披覆该绝缘体的外表面，以供电子传导，由于该导体层的厚度较习知过电压保护元件的导电层薄而量少，故当本发明专利技术低电容过电压保护元件经过过电压脉波冲击后，可减少融接现象，降低保护元件发生永久短路的机会。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低电容过电压保护元件，尤指一种可降低崩溃电压，同时适用于高频电路，且可降低导体产生融接现象的低电容过电压保护元件。
技术介绍
一般过电压保护元件的使用，请参阅图8所示，是将一过电压的保护元件60连接 于一电流的输入端61及一系统电路62之间，该保护元件60平常为绝缘状态，而当有一突 波输入该输入端61时，该保护元件60会立即导通，并使突波的电压或电流经过该保护元件 60导入地端，当该突波的电压或电流导入地端后，保护元件60则再呈绝缘状态，由此，该保 护元件60可达到保护该系统电路62维持正常动作的功效。请参阅图9所示，为一既有保护元件的构造示意图，其主要于一第一电极片70与 一第二电极片71之间设有复数导体72及高分子介质73，该些导体72为金属材质，该高分 子介质73填充于该些导体72之间，使该些导体72彼此之间不互相接触以避免短路；当该 保护元件所连接的电路接收到一突波时，该突波的电子会从该第一电极片70沿着由复数 导体72所构成的一电子路径700而传至第二电极片71，此时该保护元件呈现导通状态，而 将突波导入地端；又当突波导入地端后，该保护元件则呈现绝缘状态。再者，请参阅图10所示，进而有人将该高分子介质73替换成绝缘体74，同样可降 低该些导体72的分布密度。前述技术虽可使各导体72分布密度降低，但当突波出现时，因该突波通过保护元 件时会产生瞬间高温而逐渐将导体72融化，如图11所示，造成复数个邻近导体72共同融 合成一融接块75，导致该保护元件短路而形成永久导通，从而使该保护元件损毁无法再作 「绝缘、导通、绝缘」的动作，失去保护系统电路正常运作的功能。请再参阅图12所示，另有人将该导体72外层披覆一厚度较厚的绝缘体层76，以避 免融接现象产生，然而，此法却会使得保护元件的崩溃电压较高、电容值较大，故不适用于 高频电路，同时也造成其特性曲线不佳，如图13所示，使得过电压的保护效果不彰。由上述说明可知，公知过电压保护元件有导体产生融接现象的缺失，如改进融接 现象却又会造成电容值太大及高崩溃电压而无法适用高频电路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低电容过电压保护元件，其崩溃电压及电容值较低， 故可适用于高频电路，且长时间动作下，相邻导体间不易产生融接现象。为实现上述目的，本专利技术采取的主要技术手段是令前述低电容过电压保护元件包 括有一第一电极片；一第二电极片，是与该第一电极片间隔开；一绝缘介质层，是设于该第一电极片与该第二电极片之间；及复数粉末本体，是彼此间隔布设于该绝缘介质层中，每一粉末本体是包括一绝缘 体及一导体层，其中该导体层是披覆该绝缘体的外表面。如上所述的低电容过电压保护元件，其中该绝缘介质层由高分子材料所构成。如上所述的低电容过电压保护元件，其中该绝缘介质层由绝缘粉末所构成。 如上所述的低电容过电压保护元件，其中该绝缘介质层由高分子材料掺入绝缘粉 末所构成。如上所述的低电容过电压保护元件，其中前述的高分子材料为聚乙烯、聚丙烯、环 氧树脂或硅胶等任一种。如上所述的低电容过电压保护元件，其中前述的绝缘粉末为陶瓷、玻璃或氧化铝等任一种。如上所述的低电容过电压保护元件，其中该粉末本体的绝缘体为陶瓷、玻璃或氧 化铝等任一材质所构成。如上所述的低电容过电压保护元件，其中该粉末本体的导体层是选自于银(Ag)、 钯(Pd)、钼(Pt)、金(Au)、铝(Al)、铁(Fe)、锌(Zn)、铜(Cu)、镍(Ni)、锡(Sn)、铬(Cr)、钨 (W)、钛(Ti)或上述任意组合的其中之一所制成。如上所述的低电容过电压保护元件，其中该粉末本体的导体层为一薄导体层。本专利技术主要是令粉末本体包含一绝缘体及一导体层，并令该导体层披覆于绝缘体 的外表面上，以供电子传导，并由绝缘介质层可增加各粉末本体的间距，由于该导体层的厚 度较公知的过电压保护元件的导电层薄而量少，故当本专利技术低电容过电压保护元件经过过 电压脉波冲击后，可减少融接情形，降低保护元件发生永久短路的机会。本专利技术与公知技术比较分析如下公知技术的缺陷1、崩溃电压高，保护电路效果差。2、容易形成融接现象。3、使用大量贵金属，成本较高。本专利技术的优点1、该导体层的厚度较薄，减少贵金属的使用量。2、低电容。3、因导体量少，故降低短路的机会。4、崩溃电压低，保护电路效果较佳，适用于高频电路。附图说明图1为本专利技术第一较佳实施例的结构示意图。图2为本专利技术的粉末本体结构示意图。图3为本专利技术的导体遇高温融化示意图。图4为本专利技术的特性曲线示意图。图5为本专利技术第二较佳实施例的结构示意图。图6为本专利技术第三较佳实施例的结构示意图。图7为本专利技术第四较佳实施例的结构示意图。图8为公知过电压保护元件应用于系统电路的简易示意图。图9为公知过电压保护元件的结构示意图。图10为另一公知过电压保护元件的结构示意图。 图11为公知过电压保护元件的导体融接现象示意图。图12为另一公知过电压保护元件的结构示意图。图13为公知过电压保护元件的特性曲线示意图。附图中标号说明10...第一电极片；100...路径；20...第二电极片；30...绝缘介质层；31...高分子材料；32...绝缘粉末；40...粉末本体；41...绝缘体；42...导体层；50...基板； 60...保护元件；61...输入端；62...系统电路；70...第一电极片；700...电子路径； 71...第二电极片；72...导体；73...高分子介质；74...绝缘体；75...融接块；76...绝缘体层。具体实施例方式请参阅图1所示，描述本专利技术所提供的低电容过电压保护元件具体实施例，其主 要包括一第一电极片10、一第二电极片20、一绝缘介质层30以及复数粉末本体40。该第二电极片20是与该第一电极片10间隔开。该绝缘介质层30是设于该第一电极片10与该第二电极片20之间，于图1实施例 中，该绝缘介质层30是由高分子材料31所构成，该高分子材料31可为聚乙烯、聚丙烯、环 氧树脂或硅胶等任一种。该些粉末本体40是彼此间隔布设于该绝缘介质层30中，如图2所示，每一粉末本 体40是包括一绝缘体41及一导体层42，其中，该绝缘体41可为陶瓷、玻璃或氧化铝等任 一材质所构成，而该导体层42是披覆在该绝缘体41的外表面，该导体层41的厚度较薄，且 可选自于银(Ag)、钯(Pd)、钼(Pt)、金(Au)、铝(Al)、铁(Fe)、锌(Zn)J^ (Cu)、镍(Ni)、锡 (Sn)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)或上述任意组合的其中之一所制成。由让粉末本体40布设于该绝缘介质层30中，可使该各粉末本体40不互相接触而 避免短路；而当突波的电子循着相邻粉末本体40所连成的路径100通过该过电压保护元件 而产生高温时，该粉末本体40的导体层42即会融化，如图3所示，由于该导体层42的厚度 较薄，即导体量较少，使得该粉末本体40不易与邻近粉末本体40形成融接现象；同时由于 该导体层42的厚度较薄且导体量较少，已不易造成融接现象，故可使各粉末本体40之间的 间距较为缩短，使该过电压保护元件可降低崩溃电压及电容值，以及避免产生短路的现象。请再参阅图4所示，其为本专利技术的V-I特性曲线示意图，当电压上升且未达崩溃电 压(Vt)时，该过电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电容过电压保护元件，其特征在于，包括有：一第一电极片；一第二电极片，是与该第一电极片间隔开；一绝缘介质层，是设于该第一电极片与该第二电极片之间；及复数粉末本体，是彼此间隔布设于该绝缘介质层内，每一粉末本体包括一绝缘体及一导体层，其中该导体层是披覆该绝缘体的外表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊远，
申请(专利权)人：兴勤常州电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]