本发明专利技术公开了一种多晶硅高效破碎装置包括破碎装置主体、多晶硅清洗装置、破碎装置控制主机、破碎腔封盖、激光破碎装置、激光破碎腔，在多晶硅底座上设置有中心刻度线，通过调整多晶硅棒在中心刻度线上的位置，方便多晶硅定位选择合适的击碎点，通过旋转组件的转动来调节激光器的角度改变照射点，从而调节多晶硅的破碎点，方便操作，在破碎装置主体的一侧设置有多晶硅清洗装置，通过多晶硅清洗装置对多晶硅表面进行清洗，去除杂质颗粒，保证破碎后的多晶硅粒的纯净度，通过激光照射使得多晶硅局部区域吸收激光能量后被瞬时加热，瞬间加热后发生膨胀导致破碎，取代了现有的手工破碎多晶硅棒的方法，提高破碎多晶硅棒的效率。提高破碎多晶硅棒的效率。提高破碎多晶硅棒的效率。
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅高效破碎装置
[0001]本专利技术涉及多晶硅
，具体为一种多晶硅高效破碎装置。
技术介绍
[0002]当前，世界上绝大部分晶体硅的原材料多晶硅是采用改良西门子方法生产。所谓的改良西门子法生产多晶硅，就是在高温下用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成的多晶硅沉积在硅芯上。随着多晶硅不断地被沉积在硅芯上，硅芯的直径逐渐增大，最后形成多晶硅棒。多晶硅棒的直径一般在15～30厘米之间。
[0003]目前普遍采用的破碎多晶硅棒的方法是手工破碎的方法。所谓的手工破碎就是采用各种锤子作为工具，手工敲击多晶硅棒，致使多晶硅棒破碎。手工破碎的方法不仅需要大量的人力资源，主要问题是在手工破碎多晶硅棒的过程中，多晶硅棒很容易被污染。
[0004]在手工破碎多晶硅棒的过程中，锤子不断地敲击多晶硅棒。由于锤子与多晶硅棒接触，锤子的材料不可避免的会污染多晶硅。因此，手工破碎方法不仅存在多晶硅被污染的风险，而且破碎效率低。因此，多晶硅生产领域的工程师们一直在不断地寻找更好的破碎多晶硅的方法，以提高破碎多晶硅的效率，同时避免多晶硅棒被污染的风险。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种多晶硅高效破碎装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种多晶硅高效破碎装置包括破碎装置主体、多晶硅清洗装置、破碎装置控制主机、控制显示屏、破碎腔封盖、激光破碎装置、激光破碎腔，所述破碎装置主体的一侧设置有多晶硅清洗装置，所述破碎装置主体的背面设置有破碎装置控制主机，所述破碎装置控制主机的顶部设置有控制显示屏，所述破碎装置主体的顶部设置有破碎腔封盖，所述破碎装置主体的内部中间设置有激光破碎腔，所述激光破碎腔的一侧设置有激光破碎装置。
[0007]优选的，所述多晶硅清洗装置包括清洗槽、超声波发生器，所述清洗槽与超声波发生器相互连接，所述清洗槽的槽内设置有去离子水。
[0008]优选的，所述激光破碎装置包括一号激光器、二号激光器、固定底座、旋转组件，所述固定底座上设置有两个旋转组件，所述旋转组件上分别设置有一号激光器和二号激光器。
[0009]优选的，所述一号激光器和二号激光器均为脉冲激光器。
[0010]优选的，所述激光破碎腔包括多晶硅底座、破碎腔扫描装置，所述多晶硅底座上设置有中心刻度线，所述激光破碎腔在顶部靠近激光破碎装置的一侧设置有破碎腔扫描装置。
[0011]优选的，所述控制显示屏为液晶显示屏，所述控制显示屏的两侧设置有操作按键。
[0012]优选的，所述破碎腔封盖的顶部设置有封盖把手。
[0013]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0014](1)本专利技术在多晶硅底座上设置有中心刻度线，通过调整多晶硅棒在中心刻度线上的位置，方便多晶硅定位选择合适的击碎点。
[0015](2)本专利技术的激光破碎装置由两个激光器组成，通过旋转组件的转动来调节激光器的角度改变照射点，从而调节多晶硅的破碎点，方便操作。
[0016](3)本专利技术在破碎装置主体的一侧设置有多晶硅清洗装置，通过多晶硅清洗装置对多晶硅表面进行清洗，去除杂质颗粒，从而保证破碎后的多晶硅粒的纯净度。
[0017](4)本专利技术通过激光照射使得多晶硅局部区域吸收激光能量后被瞬时加热，瞬间加热后发生膨胀导致破碎，取代了现有的手工破碎多晶硅棒的方法，提高破碎多晶硅棒的效率。
附图说明
[0018]图1为本专利技术的侧视图。
[0019]图2为本专利技术的主视图。
[0020]图3为多晶硅底座的结构示意图。
[0021]图中：破碎装置主体(1)、多晶硅清洗装置(2)、破碎装置控制主机(3)、控制显示屏(4)、破碎腔封盖(5)、激光破碎装置(6)、激光破碎腔(7)、清洗槽(8)、超声波发生器(9)、一号激光器(10)、二号激光器(11)、固定底座(12)、旋转组件(13)、多晶硅底座(14)、破碎腔扫描装置(15)、封盖把手(16)。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0025]请参阅图1至图3，本专利技术提供一种技术方案：一种多晶硅高效破碎装置，破碎装置主体1的一侧设置有多晶硅清洗装置2，多晶硅清洗装置2包括清洗槽8、超声波发生器9，清洗槽8与超声波发生器9相互连接，清洗槽8的槽内设置有去离子水，破碎装置主体1的背面设置有破碎装置控制主机3，破碎装置控制主机3的顶部设置有控制显示屏4，控制显示屏4
为液晶显示屏，控制显示屏4的两侧设置有操作按键，破碎装置主体1的顶部设置有破碎腔封盖5，破碎腔封盖5的顶部设置有封盖把手16，破碎装置主体1的内部中间设置有激光破碎腔7，激光破碎腔7的一侧设置有激光破碎装置6，激光破碎装置6包括一号激光器10、二号激光器11、固定底座12、旋转组件13，固定底座12上设置有两个旋转组件13，旋转组件13上分别设置有一号激光器10和二号激光器11，一号激光器10和二号激光器11均为脉冲激光器，激光破碎腔7包括多晶硅底座14、破碎腔扫描装置15，多晶硅底座14上设置有中心刻度线，激光破碎腔7在顶部靠近激光破碎装置6的一侧设置有破碎腔扫描装置15。
[0026]使用方法：首先，在清洗槽8中倒入去离子水，将需要进行击碎处理的多晶硅棒放入多晶硅清洗装置2的清洗槽8中，打开超声波发生器9，对多晶硅棒进行清洗，有效去除多晶硅棒表面的杂质颗粒，从而保证破碎后的多晶硅粒的纯净度，打开破碎装置主体1上的破碎腔封盖5，将清洗后的多晶硅棒放入激光破碎腔7的多晶硅底座14上，根据多晶硅棒的大小调整其在中心刻度线上的位置，然后关闭破碎腔封盖5，同时破碎腔扫描装置15将激光破碎腔7内的图像实时显示在控制显示屏4上，打开一号激光器10和二号激光器11，通过调节旋转组件13从本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅高效破碎装置，其特征在于：包括破碎装置主体(1)、多晶硅清洗装置(2)、破碎装置控制主机(3)、控制显示屏(4)、破碎腔封盖(5)、激光破碎装置(6)、激光破碎腔(7)，所述破碎装置主体(1)的一侧设置有多晶硅清洗装置(2)，所述破碎装置主体(1)的背面设置有破碎装置控制主机(3)，所述破碎装置控制主机(3)的顶部设置有控制显示屏(4)，所述破碎装置主体(1)的顶部设置有破碎腔封盖(5)，所述破碎装置主体(1)的内部中间设置有激光破碎腔(7)，所述激光破碎腔(7)的一侧设置有激光破碎装置(6)。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅高效破碎装置，其特征在于：所述多晶硅清洗装置(2)包括清洗槽(8)、超声波发生器(9)，所述清洗槽(8)与超声波发生器(9)相互连接，所述清洗槽(8)的槽内设置有去离子水。3.根据权利要求1所述的一种多晶硅高效破碎装置，其特征在于：所述激光破碎装置(6)包括一号激光器(...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐建均，周同义，王强，
申请(专利权)人：南通友拓新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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