一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法技术

本发明专利技术属于ITO靶材领域，具体涉及一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，在翘曲的ITO平面靶的翘曲的位置的表面施加6

【技术实现步骤摘要】
一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法


[0001]本专利技术属于ITO靶材领域，具体涉及一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法。

技术介绍

[0002]ITO靶材经过溅射成膜后，由于其独特的物理化学特性，如高的光透过率、高的导电性以及强的紫外光吸收性，因而被广泛应用在液晶显示、太阳能电池以及军事领域等。ITO平面靶作为目前靶材应用行业的主流产品，其主要烧结方式为常压烧结，然而在烧结过程中，由于靶坯自身存在密度差、烧结炉内温度不均匀等因素，极易造成烧结后靶坯产生很大的翘曲，从而导致靶坯的预留量不够，只能报废或者降级处理，从而导致靶坯成品率低，大大提高了生产成本。
[0003]本案解决的技术问题在于：如何高精度、高合格率的对翘曲ITO靶材进行校正。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，采用本专利技术的方法具有精度高、靶材受损小的优势。
[0005]本专利技术的技术方案为：
[0006]一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，在翘曲的ITO平面靶的翘曲的位置的表面施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，其特征在于，在翘曲的ITO平面靶的翘曲的位置的表面施加6
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20N的力，然后升温至850
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950℃，保温一段时间，最后升温至1500～1600℃，保温一段时间。2.根据权利要求1所述的降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将ITO平面靶放置在平面上；步骤2：施加6
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20N的力至翘曲的位置的表面，力的大小和翘曲程度呈正相关；步骤3：升温至850
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950℃，保温一段时间；步骤4：升温至1500～1600℃，保温一段时间。3.根据权利要求2所述的降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，其特征在于，还包括步骤5：降温至室温。4.根据权利要求2所述的降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，其特征在于，ITO平面靶的翘曲程度为3
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10mm；翘曲程度为3
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5mm时，压力为6
‑
7.5N；翘曲程度为5<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李帅，尹琳，曾光鹏，李明鸿，李叶，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：