一种配位聚合物混基质膜的制备方法及应用技术

本发明专利技术属于膜基材料技术领域，具体涉及一种配位聚合物混基质膜的制备方法及应用。本发明专利技术先分别制备含金属簇的金属前体溶液和对苯二甲酸配体溶液，然后将聚合物基底固定在反扩散装置中，并在其两侧分别加入金属簇溶液和配体溶液，最后经静置、浸泡和干燥后制得配位聚合物混基质膜混合基质膜。本发明专利技术采用反扩散的方法在商业化的聚合物基材上原位制备了金属有机骨架基混合基质膜，操作简单，无需先合成MOF填料，且反应条件温和，同时该方法可适用于其他MOF和聚合物材料。同时，本发明专利技术所制备得到的混合基质膜，具有优异的气体分离性能，可用于CO2/CH4的分离。的分离。的分离。

【技术实现步骤摘要】
一种配位聚合物混基质膜的制备方法及应用


[0001]本专利技术属于膜基材料
，具体涉及一种配位聚合物混基质膜的制备方法及应用。

技术介绍

[0002]人类经济和社会活动造成的温室气体排放过量(尤其是CO2)一直以来都是严重的环境问题。由于基于膜的气体分离可以实现优异的选择性分离效果，并且工艺灵活、易于操作和放大，因此，膜基材料一直是CO2分离领域关注的热点。其中，聚合物膜由于廉价易得，柔韧性好，易于扩大生产，被认为是工业应用最有前途的膜材料。但是大多数聚合物膜因为具有致密和非晶态结构，在分离过程中通常面临渗透和选择性之间的平衡问题，即其应用受到聚合物材料的“trade off”效应的限制，导致其难以突破Robeson上限。为了解决这些问题，需要将纳米填料作为分散相掺入到聚合物基质中以制备混合基质膜(MMM)，通过将无机填料和聚合物基质的优点相结合以提高膜基材料的分离性能。然而，MMM的制备当前仍面临着填料与聚合物基质之间相容性不足、选择性层内的有效填料负载量受限制、界面固化和存在非选择性空隙等问题。
[0003]配位聚合物(Coo本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种室温下通过反扩散原位制备配位聚合物混基质膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、往金属盐中依次加入N,N
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二甲基甲酰胺和乙酸，混匀后经加热制得含金属簇的金属前体溶液；S2、往有机配体中加入N，N
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二甲基甲酰胺，混匀后制得配体溶液；S3、将聚合物基底固定在反扩散装置中间，然后在基底两侧分别加入步骤S1的金属前体溶液和步骤S2的配体溶液，经静置、浸泡和干燥后制得配位聚合物混基质膜。2.根据权利要求1所述的一种室温下通过反扩散原位制备配位聚合物混基质膜的方法，其特征在于，所述聚合物基底包括聚丙烯、聚砜、聚醚砜、尼龙、聚酰胺。3.根据权利要求1所述的一种室温下通过反扩散原位制备配位聚合物混基质膜的方法，其特征在于，步骤S3中，所述静置为室温静置，静置的时间为24～96...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛铭，王舒畅，贾苗苗，陈小明，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：