一种真空合成磷化铟多晶的方法技术

本发明专利技术公开一种真空合成磷化铟多晶的方法，将铟块和红磷粉末混合压块后放入石英管中，在真空条件下进行热处理，其合成率最高可达99.5％；本发明专利技术方法具有反应时间短，流程短，成本低的优点，并且可以有效地降低气相压力和材料被污染的风险，同时也提高了安全性。同时也提高了安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种真空合成磷化铟多晶的方法


[0001]本专利技术属于化合物半导体材料制备领域，特别是涉及一种真空合成磷化铟多晶的方法。

技术介绍

[0002]磷化铟是一种重要的
Ⅲ‑Ⅴ
半导体材料，具有闪锌矿结构，质地脆软，呈银灰色光泽。作为第二代半导体的磷化铟电学性质更加突出，其直接跃迁带隙为1.35eV，对应光通信中传输损耗最小的波段，热导率、散热性能更好，并且磷化铟在器件制作中更具优势。此外InP器件具有高电流峰谷比决定了器件的高转换效率；且InP器件具有更好的噪声特性；InP基材料工作温度高，具有强的抗辐射能力，作为太阳能电池材料的转换效率高。上述高端InP基微电子和光电子器件的实现需要以高技术标准的磷化铟多晶为基础。
[0003]磷化铟多晶是由高纯铟和高纯红磷直接化合而成，InP在熔点温度附近1335
±
7K时，其离解压为2.75MPa，在此条件下，磷蒸汽压已超过了10MPa，远大于磷化铟的离解压，所以将磷和铟直接在单晶炉内合成磷化铟单晶是非常困难的，一般是将高纯铟和高纯磷合成多晶然后再用磷化铟多晶进行磷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空合成磷化铟多晶的方法，其特征在于，具体步骤如下：将铟块和红磷粉末混合压块后放入石英管中，在真空条件下热处理，合成得到磷化铟多晶。2.根据权利要求1所述真空合成磷化铟多晶的方法，其特征在于，铟块和红磷粉末纯度都为99.99％。3.根据权利要求1所述真空合成磷化铟多晶的方法，其特征在于，铟块和红磷粉末的质量比为1:4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，谢文霞，杨斌，徐宝强，陈巍，戴卫平，蒋文龙，田阳，曲涛，邓勇，刘大春，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：