一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法，属于半导体制造技术领域，其特征在于，包括：S1、采用器件工艺，使得太阳电池达到待蒸镀减反射膜的状态；S2、将掩膜材料与焊点粘接；S3、进行真空环境下的减反射膜蒸镀；S4、从真空室内取出太阳电池；S5、通过有机溶剂溶解或热解或光解解除掩膜材料与焊点的连接；S6、若采用热解或者光解法解除掩膜材料与焊点的连接，掩膜材料继续用机器吸盘移除；S7、获得焊点处无减反射膜的电池晶圆。通过采用上述技术方案，本发明专利技术能够缩减柔性砷化镓太阳电池工艺中光刻次数，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法


[0001]本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法。

技术介绍

[0002]柔性砷化镓太阳电池工艺共包含三次光刻工艺，第一次光刻工艺是制备上电极栅线，第二次工艺是制备电池外围隔离槽，第三次工艺是蒸镀减反射膜后腐蚀去除焊点处减反射膜，实现可焊互联。其中第二次光刻工艺和第三次光刻工艺采用套刻方式。
[0003]在柔性砷化镓太阳电池工艺中，得益于精细的光刻设备和光刻胶配套工艺，可以实现精细的图形制备。然而作为一种宏观器件，柔性砷化镓太阳电池器件工艺中不得不引入三次光刻工艺，其中对上述第三次光刻工艺的精度要求较低，一般200μm的精度即可以满足要求，而且第三次光刻的焊点一般较大，尺寸为毫米量级。
[0004]缩减光刻工艺次数，可以减少设备成本，减少工艺时长，从而减少器件成本,满足柔性砷化镓太阳电池日益增长的需求。

技术实现思路

[0005]本专利技术为解决公知技术中存在的技术问题，提供一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法，其特征在于，包括：S1、采用器件工艺，使得太阳电池达到待蒸镀减反射膜的状态；S2、将掩膜材料与焊点粘接；S3、进行真空环境下的减反射膜蒸镀；S4、从真空室内取出太阳电池；S5、通过有机溶剂溶解或热解或光解解除掩膜材料与焊点的连接；S6、若采用热解或者光解法解除掩膜材料与焊点的连接，掩膜材料继续用机器吸盘移除；S7、获得焊点处无减反射膜的电池晶圆。2.根据权利要求1所述的掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法，其特征在于，S2具体为：选择采用涂敷光解粘接材料作为掩膜材料，采用机器吸盘吸附掩膜材料，将掩膜材料对准太阳电池的焊点，并施加压力，使得掩膜材料与焊点粘接。3.根据权利要求2所述的掩膜法蒸镀柔性砷化镓太阳电池减反射膜的方法，其特征在于，所述涂敷光解粘接材...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓东，程保义，铁剑锐，梁爽，欧伟，杜永超，肖志斌，李昂，
申请(专利权)人：天津恒电空间电源有限公司，
类型：发明
国别省市：