一种晶圆电镀用的等电势装置、晶圆电镀装置及电镀方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆电镀用的等电势装置、晶圆电镀装置及电镀方法，属于半导体制造技术领域，该晶圆用于制备柔性砷化镓太阳电池，其特征在于，至少包括：不与电镀液发生化学反应，导电材料制成的背板；将晶圆固定于背板上的导电胶带；与所述背板连接的外接引线；其中：所述背板的上表面大于晶圆的上表面。通过采用上述技术方案，本发明专利技术能够提高晶圆电镀均匀性，尤其是提高晶圆整面电镀均匀性。本发明专利技术能够消除晶圆电镀易产生的边缘效应，实现电镀厚度偏差小于5％的一般性要求，成本低廉，适合产业化生产。产业化生产。产业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆电镀用的等电势装置、晶圆电镀装置及电镀方法


[0001]本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种晶圆电镀用的等电势装置、晶圆电镀装置及电镀方法。

技术介绍

[0002]目前，在半导体制造领域，金属薄膜沉积主要有物理气相沉积法(PVD)和化学法，其中：物理气相沉积法如电子束沉积、溅射沉积等，化学法如电镀、化学镀等。电镀法具有成本低廉、工艺简单的优势，在半导体应用非常广泛，如电镀保护金属层、电镀电极焊料、电镀电极引线和连接线等。
[0003]在晶圆加工过程中，往往会涉及到光刻等精细加工工艺，对晶圆本身的平整度有很高的要求。如果晶圆表面厚度不均，易导致曝光不均而影响线条宽度和线条牢固度。一般而言，厚度小于5μm的金属层用PVD法制备，厚度超过10μm的金属层则采用电镀法制备。在电镀法制备厚金属层(＞10μm)时，如果金属层厚度均匀性控制不好，其不均匀度很容易达到达到10μm量级甚至更高。
[0004]在柔性砷化镓太阳电池制备过程中，需要首先在晶圆整面电镀制备约30μm的金属层作为电极支撑，之后才能进行光刻、腐蚀等后续工序本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆电镀用的等电势装置，该晶圆用于制备柔性砷化镓太阳电池，其特征在于，至少包括：不与电镀液发生化学反应，导电材料制成的背板(1)；将晶圆固定于背板(1)上的导电胶带(2)；与所述背板(1)连接的外接引线(4)；其中：所述背板(1)的上表面大于晶圆的上表面。2.根据权利要求1所述的晶圆电镀用的等电势装置，其特征在于，所述背板(1)的材质为Pt、Cr、Ta、Ti、W中的一种。3.根据权利要求1所述的晶圆电镀用的等电势装置，其特征在于，所述导电胶带(2)的厚度大于20μm。4.根据权利要求1所述的晶圆电镀用的等电势装置，其特征在于，所述导电胶带(2)包括胶层和基体层。5.一种晶圆电镀装置，其特征在于，至少包括：权利要求1
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4任一项所述的等电势装置；带有电镀槽的电镀设备；腐蚀液。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓东，杜永超，铁剑锐，孙希鹏，王鑫，梁存宝，许军，肖志斌，
申请(专利权)人：天津恒电空间电源有限公司，
类型：发明
国别省市：