一种硫化钼/氮化钼二维面内异质结的制备方法及其产品技术

本发明专利技术公开了一种硫化钼/氮化钼二维面内异质结的制备方法及其产品，该制备方法包括：(1)以三氧化钼、研磨后的碱金属氯化物、硫粉为原料，经CVD法在基底表面生长硫化钼；研磨后的碱金属氯化物的粒径为80～130μm；三氧化钼与碱金属氯化物的质量比为4～5：1；(2)将步骤(1)中生长硫化钼的基底置于反应器中，以NH3作为反应气，以惰性气体作为载气，700～725℃下经氮化反应1～90min后骤降至室温制备得到硫化钼/氮化钼二维面内异质结。本发明专利技术的制备方法简单、可控，成功实现规则的部分氮化；制备得到的硫化钼/氮化钼二维面内异质结中硫化钼相与氮化钼相的界限清晰且两者含量可调。氮化钼相的界限清晰且两者含量可调。氮化钼相的界限清晰且两者含量可调。

【技术实现步骤摘要】
一种硫化钼/氮化钼二维面内异质结的制备方法及其产品


[0001]本专利技术涉及二维MXene的
，尤其涉及一种硫化钼/氮化钼二维面内异质结的制备方法及其产品。

技术介绍

[0002]二维材料因其较高的比表面积，大量的表面裸露原子，优异的机械、光学和电子性质在光电子器件、催化和太阳能转换领域获得极大的关注。得益于层状结构特征，二维材料很容易被用于构建异质结结构。二维异质结结构通常包括垂直异质结结构和平面异质结结构。在垂直异质结结构中，不同二维材料的层沿垂直方向堆积在一起，是一种相对容易制备的结构。而在平面异质结结构中，不同的二维材料在同一平面内无缝衔接在一起。大部分报道的二维异质结结构主要是垂直异质结结构。在垂直异质结结构中，异质结界面处的内建电场源于层间的范德瓦尔斯力。在平面异质结结构中，异质结界面处的内建电场源于两种材料间的化学键力。众所周知，范德瓦尔斯力要比化学键力弱。因此，平面异质结结构在驱动光生电荷分离和迁移方面优于垂直异质结结构。然而，因严格的晶格匹配的限制和合适材料组分选择的难度，目前平面异质结结构的构建仅限于有限的几种类型。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硫化钼/氮化钼二维面内异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以三氧化钼、研磨后的碱金属氯化物、硫粉为原料，经CVD法在基底表面生长硫化钼；所述研磨后的碱金属氯化物的粒径为80～130μm；三氧化钼与碱金属氯化物的质量比为4～5：1；(2)将步骤(1)中生长硫化钼的基底置于反应器中，以NH3作为反应气，以惰性气体作为载气，700～725℃下经氮化反应1～90min后骤降至室温制备得到所述硫化钼/氮化钼二维面内异质结。2.根据权利要求1所述的硫化钼/氮化钼二维面内异质结的制备方法，其特征在于，步骤(1)中：所述碱金属氯化物选自氯化钠和/或氯化钾。3.根据权利要求1所述的硫化钼/氮化钼二维面内异质结的制备方法，其特征在于，步骤(1)中：三氧化钼与硫粉的质量比为1：50～75；CVD沉积的温度为7...

【专利技术属性】
技术研发人员：董晓磊，陈宗平，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：