一种异形坩埚及其用于提拉法生长钽酸锂晶体的方法技术

本发明专利技术属于晶体生长技术领域。本发明专利技术提供了一种异形坩埚及其用于提拉法生长钽酸锂晶体的方法，异形坩埚的侧壁厚度为1.6～2mm，底面厚度为0.6～0.9mm。本发明专利技术通过采用底面薄，侧壁厚的异形坩埚并选用中频电源作为加热电源来控制不同位置的发热功率，使坩埚底面发热较少，侧壁发热较多，从而产生稳定的加热温场，减小熔体中温度梯度；通过采用频率较低的中频电源作为提拉法生长钽酸锂晶体的加热电源可以更加合理的利用异形坩埚的优势，有效克服趋肤效应的影响；通过采用异形坩埚作为感应加热体，并采用中频加热电源改善趋肤深度的影响，有效提高了晶体的生长质量，提升了晶体的生长速率，降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种异形坩埚及其用于提拉法生长钽酸锂晶体的方法


[0001]本专利技术涉及晶体生长
，尤其涉及一种异形坩埚及其用于提拉法生长钽酸锂晶体的方法。

技术介绍

[0002]提拉法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体的方法。提拉法因其在晶体生长过程中可以直接进行测试与观察，有利于控制生长条件；使用优质定向籽晶和“缩颈”技术，可减少晶体缺陷，获得所需取向的晶体。晶体生长速度较快，以及生长得到晶体位错密度低，质量较好等特点已经成为目前晶体生长使用最为普遍的方法之一。
[0003]在提拉法生长晶体的过程中，晶体的生长速率满足公式v＝(k
S
G
S
‑
k
L
G
L
)/(ρ
S
L)，k
S
和k
L
分别为固相和液相的热传导系数，G
S
和G
L
分别为固液界面处固相和液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异形坩埚，其特征在于，异形坩埚的侧壁厚度为1.6～2mm，底面厚度为0.6～0.9mm。2.根据权利要求1所述的异形坩埚，其特征在于，所述异形坩埚的内径为146～150mm，高为78～82mm。3.一种权利要求1或2所述的异形坩埚用于提拉法生长钽酸锂晶体的方法，其特征在于，包含如下步骤：1)将碳酸锂和五氧化二钽顺次进行球磨混合、一次烧结和二次烧结，得到钽酸锂多晶料；2)将钽酸锂多晶料放置于异形坩埚中，选用中频电源作为加热电源，钽酸锂多晶料进行提拉生长，得到钽酸锂晶体。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤1)所述碳酸锂和五氧化二钽的物质的量之比为48.5～48.9：51.1～51.5。5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，步骤1)所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张学锋，梁帅杰，司佳顺，许庆岩，肖学峰，
申请(专利权)人：宁夏钜晶源晶体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：