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本发明属于晶体生长技术领域。本发明提供了一种异形坩埚及其用于提拉法生长钽酸锂晶体的方法，异形坩埚的侧壁厚度为1.6～2mm，底面厚度为0.6～0.9mm。本发明通过采用底面薄，侧壁厚的异形坩埚并选用中频电源作为加热电源来控制不同位置的发热功...
该专利属于宁夏钜晶源晶体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏钜晶源晶体科技有限公司授权不得商用。

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