【技术实现步骤摘要】
本申请属于晶体材料,具体而言,涉及一种钽酸锂晶片及钽酸锂晶片的制备方法。
技术介绍
1、钽酸锂晶体是一种重要的无机非线性光学晶体,具有低声学损耗、高压电耦合系数等优异的声学性能,被广泛应用于制作声表面波滤波器。随着5g的发展,声表面波滤波器面临更高的性能需求,因此提升钽酸锂晶体的声学性能是5g时代亟需解决的问题。
2、目前应用较为广泛的同成分钽酸锂晶体内锂和钽的比例为48.75:51.25,由于锂含量较少导致同成分钽酸锂晶体的温度漂移系数偏高且机电耦合系数偏低。现有技术提升同成分钽酸锂晶体的声学性能的方式包括将同成分钽酸锂晶片与硅片键合,利用硅片限制同成分钽酸锂晶片的热膨胀,从而降低键合晶片的温度漂移系数,这种方式存在成本高且成品率低的缺点。另一种方式是制作化学计量比钽酸锂晶片,用锂离子填补钽酸锂晶体内的锂空位,制备锂和钽的比例接近于1:1的近化学计量比钽酸锂晶片,这种方式得到的钽酸锂晶片的声学性能依然有待提升。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是:提供一种钽酸锂晶片及
...【技术保护点】
1.一种钽酸锂晶片,其特征在于,所述钽酸锂晶片内部的锂离子浓度为49.6%~49.75%。
2.一种钽酸锂晶片的制备方法,其特征在于,包括:
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述将同成分钽酸锂晶片放置于所述铂金丝上之前,还包括:
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述将同成分钽酸锂晶片放置于所述铂金丝上之前,还包括:
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述将密封的所述第一坩埚置于底部铺满钽酸锂多晶料的第二坩埚中之前,还包括:
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征
...【技术特征摘要】
1.一种钽酸锂晶片,其特征在于,所述钽酸锂晶片内部的锂离子浓度为49.6%~49.75%。
2.一种钽酸锂晶片的制备方法,其特征在于,包括:
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述将同成分钽酸锂晶片放置于所述铂金丝上之前,还包括:
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述将同成分钽酸锂晶片放置于所述铂金丝上之前,还包...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁帅杰,张学锋,王梦凡,许庆岩,司佳顺,纪尧星,赵武,杨勇,王贝贝,董子璇,
申请(专利权)人:宁夏钜晶源晶体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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