【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]关联申请的相互参照
[0002]本申请基于2020年7月21日在日本提出申请的日本专利申请第2020－124638号为基础，这里通过参照而引用基础申请的整体内容。
[0003]本说明书的公开涉及半导体装置。
技术介绍
[0004]专利文献1公开了构成电力变换部的上下臂电路的半导体装置。现有技术文献的记载内容作为该说明书中的技术要素的说明而通过参照被引用。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2017－59920号公报
技术实现思路
[0008]在专利文献1中，为了减小在关断(turn off)时产生的浪涌电压，除了半导体元件之外，需要外装的电容器及电容调整开关元件。电容器相对于半导体元件的控制电极与高电位侧的主电极之间的寄生电容并联地连接。电容调整开关元件连接在电容器与控制电极之间。在该结构下，例如，半导体装置的大型化、控制的复杂化成为问题。根据上述观点，或者根据没有言及的其他观点，对于半导体装置，要求
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具备构成电力变换部(6、15)的上下臂电路(9)的半导体元件(10)，其特征在于，上述半导体元件具有控制电极(13g)和作为主电极的高电位侧电极(13d)及低电位侧电极(13s)；上述控制电极与上述高电位侧电极之间的寄生电容具有对应于上述高电位侧电极与上述低电位侧电极的电位差而变化的特性；上述电位差为上述半导体元件的击穿电压的80％时的上述寄生电容的值即第1电容值大于上述电位差为上述击穿电压的20％以上且40％以下的范围中的上述寄生电容的任意的值即第2电容值。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第1电容值相对于上述第2电容值的比是2以上。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述半导体元件具有：第1导电型的漏极区域(21)；第1导电型的低浓度层(22)，形成在上述漏极区域上，杂质浓度比上述漏极区域低；第1导电型的JFET部(23)，形成在上述低浓度层上，在与上述半导体元件的板厚方向正交的第1方向上延伸设置，并且与上述板厚方向及上述第1方向正交的第2方向上的宽度比上述低浓度层窄；第1导电型的电流分散层(25)，形成在上述JFET部上，在上述第2方向上宽度比上述JFET部宽，第2导电型区域(24、26、27、29)，是形成在上述低浓度层上的第2导电型的半导体区域，在上述第2方向上夹着上述JFET部，并且将上述电流分散层包围地还配置在上述电流分散层上；第1导电型的源极区域(28)，形成在上述第2导电型区域上，杂质浓度比上述低浓度层高；沟槽构造的栅极电极(32)，是上述控制电极，将上述源极区域及上述第2导电型区域贯通而达到上述电流分散层；源极电极(33)，是上述主电极，与上述源极区域电连接；以及漏极电极(35)，是上述主电极，与上述漏极区域电连接；设击穿电压为BV，则上述JFET部的宽度为591.53
×
BV
－0.997
以上。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述JFET部的宽度为278.52
技术研发人员：安部瑛美夏，长濑拓生，三轮亮太，森野友生，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：
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