一种光刻胶显影液及其制备方法和应用技术

技术编号:37667635 阅读:21 留言:0更新日期:2023-05-26 04:27
本发明专利技术属于光刻胶技术领域,公开了一种光刻胶显影液及其制备方法和应用。本发明专利技术采用氟化表面活性剂和非氟化表面活性剂与碱液复配,得到光刻胶显影液。本发明专利技术制备的光刻胶显影液能够在降低起泡率的基础上,在低用量条件下显著降低显影液的动态和静态表面张力,消除毛细现象引起的光刻胶图案变形和断裂,减小偏移量和倒塌率。和倒塌率。和倒塌率。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶显影液及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于光刻胶
,具体涉及一种光刻胶显影液及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]光刻工艺在半导体芯片制造中起着至关重要的作用,主要包括光刻胶旋涂,曝光,显影和清洗等步骤。28nm之前的光刻工艺,显影后直接用超纯水做旋干处理后即可进入下道工序。但随着技术节点和集成度的快速提高,图案的极限细微化不仅对光刻胶的性能提出更高的要求,同时对显影后光刻胶图案的要求也变得更为苛刻,尤其是28nm及以下工艺节点,随着线宽的极度缩小和深宽比的增大,显影后很容易因光刻胶图案的倒塌、粘结或偏移而造成缺陷,所以需要更为精准的控制,以避免良品率恶化。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中存在的问题和不足,本专利技术的目的在于提供一种光刻胶显影液及其制备方法和应用。
[0004]基于上述目的,本专利技术采用如下技术方案:本专利技术第一方面提供了一种光刻胶显影液,包括:(A)具有通式(Ⅰ)或/和通式(Ⅱ)所示结构的氟化表面活性剂;(B)非氟化表面活性剂;(C)碱;(Ⅰ)(Ⅱ)式中,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种光刻胶显影液,其特征在于,包括:(A)具有通式(Ⅰ)或/和通式(Ⅱ)所示结构的氟化表面活性剂;(B)非氟化表面活性剂;(C)碱;(Ⅰ)(Ⅱ)式中,m为1

3的整数;R
f
为包含醚键的直链或支链的部分氟化或完全氟化的脂族基团;R1为或;R2为、、、,X为Cl、Br、I,r为3

5的整数。2. 根据权利要求1所述的光刻胶显影液,其特征在于,所述氟化表面活性剂为具有式(1)

(5)所示结构的化合物中的一种或几种:(1)(2)(3)(4)(5)。3.根据权利要求1所述的光刻胶显影液,其特征在于,所述非氟化表面活性剂为炔二醇类表面活性剂或/和炔二醇聚氧乙烯醚类表面活性剂。4. 根据权利要求3所述的光刻胶显影液,其特征在于,所述炔二醇类表面活性剂为通式(Ⅲ)代表的化合物;所述炔二醇聚氧乙烯醚类表面活性剂为通式(Ⅳ)代表的化合物;
(Ⅲ)(Ⅳ)式中,R7、R8各自独立地为C1

C5直链或带有支链的烷基;n为1

10的整数。5.根据权利要求1所述的光刻胶显影液,其特征在于,所述碱为有机碱;所述有机碱为季铵碱类化合物或/和醇胺类化合物。6.根据权利要求1

5任一所述的光刻胶显影液,其特征在于,所述光刻胶显影液还包括水性介质;所述水性介质...

【专利技术属性】
技术研发人员:李永斌陈志鹏黄玉伟魏玉凤康峰峰
申请(专利权)人:甘肃华隆芯材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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