【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶显影液及其制备方法和应用
[0001]本专利技术属于光刻胶
,具体涉及一种光刻胶显影液及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]光刻工艺在半导体芯片制造中起着至关重要的作用,主要包括光刻胶旋涂,曝光,显影和清洗等步骤。28nm之前的光刻工艺,显影后直接用超纯水做旋干处理后即可进入下道工序。但随着技术节点和集成度的快速提高,图案的极限细微化不仅对光刻胶的性能提出更高的要求,同时对显影后光刻胶图案的要求也变得更为苛刻,尤其是28nm及以下工艺节点,随着线宽的极度缩小和深宽比的增大,显影后很容易因光刻胶图案的倒塌、粘结或偏移而造成缺陷,所以需要更为精准的控制,以避免良品率恶化。
技术实现思路
[0003]针对现有技术中存在的问题和不足,本专利技术的目的在于提供一种光刻胶显影液及其制备方法和应用。
[0004]基于上述目的,本专利技术采用如下技术方案:本专利技术第一方面提供了一种光刻胶显影液,包括:(A)具有通式(Ⅰ)或/和通式(Ⅱ)所示结构的氟化表面活性剂;(B)非氟化表面活性剂;(C)碱 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1. 一种光刻胶显影液,其特征在于,包括:(A)具有通式(Ⅰ)或/和通式(Ⅱ)所示结构的氟化表面活性剂;(B)非氟化表面活性剂;(C)碱;(Ⅰ)(Ⅱ)式中,m为1
‑
3的整数;R
f
为包含醚键的直链或支链的部分氟化或完全氟化的脂族基团;R1为或;R2为、、、,X为Cl、Br、I,r为3
‑
5的整数。2. 根据权利要求1所述的光刻胶显影液,其特征在于,所述氟化表面活性剂为具有式(1)
‑
(5)所示结构的化合物中的一种或几种:(1)(2)(3)(4)(5)。3.根据权利要求1所述的光刻胶显影液,其特征在于,所述非氟化表面活性剂为炔二醇类表面活性剂或/和炔二醇聚氧乙烯醚类表面活性剂。4. 根据权利要求3所述的光刻胶显影液,其特征在于,所述炔二醇类表面活性剂为通式(Ⅲ)代表的化合物;所述炔二醇聚氧乙烯醚类表面活性剂为通式(Ⅳ)代表的化合物;
(Ⅲ)(Ⅳ)式中,R7、R8各自独立地为C1
‑
C5直链或带有支链的烷基;n为1
‑
10的整数。5.根据权利要求1所述的光刻胶显影液,其特征在于,所述碱为有机碱;所述有机碱为季铵碱类化合物或/和醇胺类化合物。6.根据权利要求1
‑
5任一所述的光刻胶显影液,其特征在于,所述光刻胶显影液还包括水性介质;所述水性介质...
【专利技术属性】
技术研发人员:李永斌,陈志鹏,黄玉伟,魏玉凤,康峰峰,
申请(专利权)人:甘肃华隆芯材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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