一种用于集成电路的厚膜光刻胶显影液组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种用于集成电路的厚膜光刻胶显影液组合物，属于湿电子化学品领域。按质量百分数之和为100%计，所述组合物中各组分及其所占质量百分数为：无机碱0.1

【技术实现步骤摘要】
一种用于集成电路的厚膜光刻胶显影液组合物


[0001]本专利技术属于湿电子化学品领域，具体涉及一种用于集成电路芯片代加工及封装过程中使用的厚膜光刻胶显影液组合物。

技术介绍

[0002]光刻胶是图形转移介质，其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转移至衬底上，是半导体制造工艺中光刻技术的核心材料。光刻胶主要由感光剂(光引发剂)、聚合剂(感光树脂)、溶剂与助剂构成。按照光源波长的从大到小，可分为紫外宽谱(300
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450nm)、g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)等主要品类，每一种品类的组分、适用的IC制程技术节点不尽相同。按显影过程中曝光区域的去除或保留又分成正性光刻胶（正胶）和负性光刻胶（负胶）。正性光刻胶曝光后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高易溶解于显影液，非曝光区域则不溶于显影液。而负性光刻胶的非曝光区域易溶于显影液。
[0003]在光刻胶层能够产生的最小图形或其间距通常被作为对光刻胶分辨率的参考。在晶圆上最关键的器件和电路的尺寸（CD）是图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于集成电路的厚膜光刻胶显影液组合物，其特征在于，按质量百分数之和为100%计，所述组合物中各组分及其所占质量百分数为：无机碱0.1
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5%、显影增强剂0.1
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5%、稳定剂0.1
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5%、表面活性剂0.1
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2%，余量为水。2.根据权利要求1所述的一种用于集成电路的厚膜光刻胶显影液组合物，其特征在于，所述无机碱选自氢氧化钾、氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钙、氢氧化钡、氢氧化铷、氢氧化铯、氢氧化钫、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾、碳酸氢钾、硼酸钠、偏硅酸钠、磷酸三钠中的任意一种或多种。3.根据权利要求1所述的一种用于集成电路的厚膜光刻胶显影液组合物，其特征在于，所述显影增强剂选自硼酸、四硼酸钠、偏硼酸钠、四硼酸钾、偏硼酸钾、五硼酸钠、五硼酸钾、硼氢化钾、硼氢化钠中的一种或多种。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘小勇，黄晓莉，房龙翔，叶鑫煌，肖小江，刘文生，
申请(专利权)人：福建省佑达环保材料有限公司，
类型：发明
国别省市：