一种含碳膜层的清洗液及清洗方法技术

本发明专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种含碳膜层的清洗液及清洗方法。所述清洗液组成包括重铬酸盐、酸、氟化物、表面活性剂及超纯水。该清洗液可在有效去除晶圆表面的碳膜、碳氧化硅膜、碳氮化硅膜等含碳膜层的同时，不损伤硅晶圆表面，有利于晶圆的重复利用。有利于晶圆的重复利用。

【技术实现步骤摘要】
一种含碳膜层的清洗液及清洗方法


[0001]本专利技术属于电子化学品领域，具体涉及一种含碳膜层的的清洗液及清洗方法。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺中，广泛的通过向硅氧化膜、硅氮化膜中导入碳原子形成介电常数更小的层间绝缘膜，另一方面碳材料作为一种硬掩模也被广泛应用在半导体集成工艺中，工艺过程中会产生大量表面沉积有碳膜、碳氧化硅膜、碳氮化硅膜的挡控片，一般65nm制程的晶圆代工厂每10片正片需要加6片挡控片，28nm及以下的制程每10片正片需要加15
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20片挡控片。这些挡控片期望通过去除各种膜层进行晶圆再生利用。
[0003]含碳膜层通常用以下几种方法去除。一是通过喷砂碳膜去除，但是喷砂法很容易对晶圆表面产生破坏性的损伤。二是通过热氧化法去除碳膜，该方法仅对纯碳膜有限，而无法去除碳硅氧化膜和碳硅氮化膜。三是用等离子体清洗法去除碳膜，但是晶圆表面粗糙度高，作业效率低。四是通过化学机械研磨的方式去除含碳膜层，但是晶圆也会被研磨掉一定厚度，降低晶圆回收利用次数。
[0004]最便捷的方式是通过化学溶液浸泡去除碳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含碳膜层的清洗液，其特征在于：清洗液主要成分包括1~10wt%的重铬酸盐、10~60wt%的酸、1~10wt%的氟化物、0.1~1wt%的表面活性剂和余量的超纯水。2.根据权利要求1所述的含碳膜层的清洗液，其特征在于：所述重铬酸盐包括重铬酸钾、重铬酸钠、重铬酸铵、双四丁基铵重铬酸盐、重铬酸吡啶盐的任意一种或至少两种的组合。3.根据权利要求1所述的含碳膜层的清洗液，其特征在于：所述酸包括硫酸、硝酸、盐酸、甲酸中的任意一种或至少两种的组合。4.根据权利要求1所述的含碳膜层的清洗液，其特征在于：所述氟化物为氢氟酸、氟化铵、四甲基氟化铵、四丁基氟化铵中的任意一种。5.根据权利要求1所述的含碳膜层的清洗液，其特征在于：所述表面活性剂为溴化十六烷基吡啶鎓、溴化十六烷基三甲基铵、对苯甲磺酸十六烷基三甲基铵中的任...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹印，贺兆波，叶瑞，陈小超，周璇，万杨阳，彭浩，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：