一种发光辅助材料、其制备方法及其应用技术

本发明专利技术提供了一种发光辅助材料、其制备方法及其应用；本申请提供的发光辅助材料的胺单元具有较低的离子化电位，较好的给电子性，较高的空穴迁移率；同时降低分子的对称性，增加分子的构象异构体，使化合物具有刚性平面结构，同时增加了分子量，则分子间不易结晶、不易聚集，使材料具有较高的光热稳定性，因此，本申请发光辅助材料在用于有机电致发光器件后，使得器件的发光效率得到提高，寿命得到延迟，驱动电压得到降低。动电压得到降低。

【技术实现步骤摘要】
一种发光辅助材料、其制备方法及其应用


[0001]本专利技术涉及发光材料
，尤其涉及一种发光辅助材料、其制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光是近20年来研究得最多的一种显示技术，被业界公认为可能替代液晶的、未来最有希望的平板显示技术之一。与液晶相比，有机电致发光器件具有超薄、自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能耗低以及成本低等特点，其发光层由几十纳米的有机分子薄膜构成，显示器件的厚度也只有几毫米。
[0003]有机电致发光元件是利用了如下原理的自发光元件：通过施加电场，利用由阳极注入的空穴与由阴极注入电子的复合能使磷光性物质发光。它具有如下结构：阳极、阴极以及介于两者之间的有机材料层。为了提高有机电致发光元件的效率和稳定性，有机材料层通常包括具有不同材料的多层，例如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在这种有机发光元件中，当在阳极和阴极之间施加电压时，来自阳极的空穴和来自阴极的电子注入有机材料层，产生的激子在迁移本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种如式(Ⅰ)所示的发光辅助材料，其特征在于，其中，m、n各自独立地选自0或1，且不能同时为0，不能同时为1；X独立地选自
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O
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、
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S
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、
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SO2‑
、
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C(R5R6)
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、
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N(R7)
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、
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Si(R8R9)
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、
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Sn(R
10
R
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)
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或
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Ge(R
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R
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)
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；L1、L2各自独立地选自链接键、经取代或未经取代的亚芳基、经取代或未经取代的亚杂芳基；R1～R4各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、羧基、硝基、羟基、氨基、硅基、硼烷基、取代或未经取代的C1～C30的烷基、取代或未经取代的C3～C30的环烷基、取代或未经取代的3元～30元的杂环烷基、经取代或未经取代的C6～C30芳基、经取代或未经取代的3元～20元杂芳基、经取代或未经取代的3元～25元的杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C60的芳基胺基、经取代或未经取代的C1～C30烷氧基、经取代或未经取代的C6～C60芳氧基；R5～R
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各自独立地选自经取代或未经取代的C1～C30烷基、取代或未经取代的C3～C20环烷基、取代或未经取代的3元
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20元的杂环烷基、经取代或未经取代C6～C30芳基、经取代或未经取代的3元～30元杂芳基、经取代或未经取配代的3元～30元杂芳基胺基、经取代或未经取代的(C6～C60)芳基胺基；Ar1～Ar4各自独立地选自经取代或未经取代的C3～C30的环烷基、取代或未经取代的3元～20元杂环烷基、经取代或未经取代的C6～C30芳基、经取代或未经取代的3元～30元杂芳基、经取代或未经取代的3元～15元杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C60芳基胺基。2.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，L1、L2各自独立地选自链接键、经取代或未经取代的C6～C18亚芳基、经取代或未经取代的三元～18元亚杂芳基。3.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，R1～R4各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C6～C20芳基、经取代或未经取代的3元～15元杂芳基，所述杂芳基中的杂原子选自O、N或S；R5～R
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各自独立地选自经取代或未经取代的C1～C20烷基、经取代或未经取代C6～C20芳基、经取代或未经取代的3元～20元杂芳基，所述杂芳基中的杂原子选自O、N或S。4.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，Ar1～Ar4各自独立地选自经取代或未经取代的C6～C25芳基、经取代或未经取代的3元～20元杂芳基、经取代或未经取代的3元～10元杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基胺基。
5.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述发光材料的结构式具体如式(
Ⅰ‑
1)或式(
Ⅰ‑
2)所示；6.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述Ar1～Ar6独立地选自以下结构：...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓宇，汪康，赵贺，张雪，黄悦，
申请(专利权)人：奥来德上海光电材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：