一种发光辅助材料、其制备方法及有机电致发光器件技术

本发明专利技术涉及有机光电材料技术领域，尤其涉及一种发光辅助材料、其制备方法及有机电致发光器件。本发明专利技术提供了一种发光辅助材料，具有式Ⅰ所示结构；所述发光辅助材料为含有三芳胺类官能基的有机电致发光化合物，很大程度的提高了空穴传输效率，分子间不易结晶、不易聚集，制造有机EL元件的成品率较高。同时，本发明专利技术化合物支链呈放射状，使得分子间的距离变大，使得本发明专利技术申请化合物具有较高的Tg温度，且具有较小的分子间作用力。分子间作用力较小使得本发明专利技术的发光辅助材料具有较低的蒸镀温度。由所述发光辅助材料制备的有机电致发光器件具有较低的驱动电压、较高的发光效率和较长的使用寿命。寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种发光辅助材料、其制备方法及有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及有机光电材料
，尤其涉及一种发光辅助材料、其制备方法及有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED：Organic Light Emitting Diode)作为一种新型和有前途的显示技术逐渐进入人们的视野。OLED是一种由多层有机薄膜结构形成的电致发光器件，其中的有机薄膜是利用蒸镀、沉积或旋涂工艺在基板上形成的有机发光材料的膜。
[0003]应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，即电荷注入传输材料和发光材料，进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。
[0004]为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料要求材料具有良好双极性，适当的HOMO/LUMO能阶等。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光辅助材料，具有式Ⅰ所示结构：其中，X和Y独立的选自连接键、氧、硫、含氮基团、含碳基团或含硅基团，且X与Y不同时为连接键；Ar为可与相邻苯环并环的取代或未取代的苯环或萘环，且所述苯环或萘环中含有或未含有N、S或O；或Ar为不存在；Ar0为H、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的5元～30元杂芳基，所述杂芳基中的杂原子选自N、S、O、Si、P或Se；L0为连接键、取代或未取代的C6～C30芳基；L1和L2独立的选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的5～30元亚杂芳基，所述亚杂芳基中的杂原子选自N、S、O、Si、P或Se、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的3～15元杂环烷基，所述杂环烷基中的杂原子选自N、S、O、Si、P或Se；Ar1和Ar2独立的选自取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C3～C30环烷基、取代或未取代的3元～30元杂环烷基，所述杂环烷基中的杂原子选自N、S、O、Si、P或Se、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的3元～20元杂芳基，所述杂芳基中的杂原子选自N、S、O、Si、P或Se、取代或未取代的C10～C30稠环基、取代或未取代的C5～C30螺环基。2.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，X和Y独立的选自连接键、氧、硫、且X与Y不同时为连接键；所述R1、R2、R3、R4和R5独立的选自取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的3～15元杂环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的3～30元杂芳基；所述杂环烷基中的杂原子选自N、O、S、Si、P或Se；所述杂芳基中的杂原子选自N、O、S、Si、P或Se。3.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述Ar选自以下任一基团：
所述R6、R7和R8独立的选自取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的3～15元杂环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的3～30元杂芳基；所述杂环烷基中的杂原子选自N、O、S、Si、P或Se；所述杂芳基中的杂原子选自N、O、S、Si、P或Se。4.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述Ar0选自以下任一基团：所述R9选自取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的3～15元杂环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的3～30元杂芳基；所述杂环烷基中的杂原子选自N、O、S、Si、P或Se；所述杂芳基中的杂原子选自N、O、S、Si、P或Se。5.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述Ar1和Ar2独立的选自以下任一基团：
所述R
10
和R
11
独立的选自取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的3～15元杂环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的3～
30元杂芳基；所述杂环烷基中的杂原子选自N、O、S、Si、P或Se；所述杂芳基中的杂原子选自N、O、S、Si、P或Se。6.根据权利要求2～5任意一项所述的发光辅助材料，其特征在于，所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
和R
11
独立的选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、联苯基、萘基、三联苯基、吡啶基。7.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述L0选自以下任一基团：8.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述发光辅助材料具有式(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪康，马晓宇，贾宇，黄悦，张雪，
申请(专利权)人：奥来德上海光电材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：