高密度多芯光纤的连接方法、装置及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光纤通信技术领域，尤其涉及一种高密度多芯光纤的连接方法、装置及计算机可读存储介质。其中，所述方法包括：采集所述第一多芯光纤和所述第二多芯光纤的待熔接部位图像；根据所述待熔接部位图像，确定所述第一多芯光纤和所述第二多芯光纤的待熔接部位清洁度；根据所述待熔接部位清洁度选定目标熔接方案；控制所述光纤熔接装置按所述目标熔接方案执行熔接操作。通过确定需要进行熔接的第一多芯光纤和第二多芯光纤两端待熔接部位的清洁度，根据清洁度选定对应的目标熔接方案来进行熔接，避免了待熔接多芯光纤的熔接部位上由于存在杂质时造成熔接效果变差。解决了如何提高光纤熔接效果的问题。光纤熔接效果的问题。光纤熔接效果的问题。

【技术实现步骤摘要】
高密度多芯光纤的连接方法、装置及计算机可读存储介质


[0001]本专利技术涉及光纤通信
，尤其涉及一种高密度多芯光纤的连接方法、装置及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]光纤传输具有损耗低、传输频带宽、通信容量大光缆直径小、质量轻，且不受电磁等优点，被广泛应用在各种入网系统中。然而，光纤在传输过程中会发生损耗，这制约了信号传输距离的远近和中继站间的距离，难以适用于超大容量光纤通信场景。目前，多芯光纤被认为是超大容量光纤通信一种较优方案。多芯光纤是一种共同的包层区中包含多个纤芯的光纤，具有长距离和低串扰的优点。
[0003]但多芯光纤的连接对连接精度的要求更高，需要确保两根多芯光纤之间的所有芯区都完好连接。在常见的多芯光纤连接方案中，通常由作业人员观测光纤轴心是否对准，并在对准之后对光纤进行熔接。
[0004]然而，这种连接方式的缺陷在于，仅依靠光纤对准就进行熔接，当待熔接多芯光纤的熔接部位上存在杂质时会导致熔接效果较差，影响光纤熔接后的传输效率。
[0005]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的在于提供一种高密度多芯光纤的连接方法，旨在解决如何提高光纤熔接效果的问题。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供的一种高密度多芯光纤的连接方法，所述方法包括：采集所述第一多芯光纤和所述第二多芯光纤的待熔接部位图像；根据所述待熔接部位图像，确定所述第一多芯光纤和所述第二多芯光纤的待熔接部位清洁度；根据所述待熔接部位清洁度选定目标熔接方案；控制所述光纤熔接装置按所述目标熔接方案执行熔接操作。
[0008]可选地，所述根据所述待熔接部位图像，确定所述第一多芯光纤和所述第二多芯光纤的待熔接部位清洁度的步骤包括：基于图像分析算法，确定所述待熔接部位图像中的杂质点；根据所述杂质点的个数、面积和/或分布情况，确定所述待熔接部位清洁度。
[0009]可选地，所述根据所述待熔接部位清洁度选定目标熔接方案的步骤包括：确定所述待熔接部位清洁度是否大于预设阈值；若大于所述预设阈值，将第一熔接方案确定为所述目标熔接方案，其中，在所述第一熔接方案下，所述光纤对轴机构带动所述第二多芯光纤移动至与所述第一多芯光纤的熔接部对接，在对接后所述熔接机构于对接处执行熔接操作。
[0010]可选地，所述确定所述待熔接部位清洁度是否大于预设阈值的步骤之后，还包括：若小于所述预设阈值，将第二熔接方案确定为所述目标熔接方案，其中，在所述第二熔接方案下，控制所述熔接机构以第一功率运行，随后控制所述光纤对轴机构带动所述第二多芯光纤移动至与所述第一多芯光纤的熔接部位对接，在对接后控制所述熔接机构以第二功率运行，其中，第一功率小于所述第二功率。
[0011]可选地，所述控制所述光纤熔接装置按所述目标熔接方案中的控制参数执行熔接操作的步骤之前，还包括：采集所述第一多芯光纤和所述第二多芯光纤的端面图像；根据所述端面图像，确定所述第二多芯光纤相较于所述第一多芯光纤的光纤同心度；基于所述光纤同心度确定光纤对轴机构的驱动参数；控制所述光纤对轴机构基于所述驱动参数驱动所述第二多芯光纤移动，以使所述第二多芯光纤对准所述第一多芯光纤。
[0012]可选地，所述根据所述端面图像，确定所述第二多芯光纤相较于所述第一多芯光纤的光纤同心度的步骤包括：提取所述端面图像中光纤轮廓线；识别所述光纤轮廓线上预标记的所述第二多芯光纤的一个或多个标识位信息，作为第一标识位信息；以及，识别所述光纤轮廓线上预标记的所述第一多芯光纤上各个标识位信息，作为第二标识位信息；确定一个或多个所述第一标识位信息与最接近的所述第二标识位信息之间的偏离程度；将满足所述偏离程度的同心度值，确定为所述光纤同心度。
[0013]可选地，所述基于所述光纤同心度确定所述对轴机构的驱动参数的步骤包括：基于所光纤述同心度确定所述对轴机构的旋转角度和/或移动坐标；将满足所述旋转角度和/或所述移动坐标的对轴参数，确定为所述驱动参数。
[0014]可选地，所述光纤熔接装置的第一侧设有光功率检测器，所述光纤熔接装置的第二侧设有测试光源，所述控制所述光纤熔接装置按所述目标熔接方案中的控制参数执行熔接操作的步骤之后，还包括：向所述测试光源发送上电信号，以启动所述测试光源向所述光功率检测器发送一光功率值恒定的测试光束；获取所述光功率检测器基于所述测试光束生成的接收光功率值；确定所述接收光功率值与所述测试光束的光功率值之间的功率差；若所述功率差小于预设功率差阈值，输出光纤熔接完成提示；否则，输出光纤熔接失败提示。
[0015]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种光纤连接装置，所述光纤连接装置包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的高密度多芯光纤的连接程序，所述高密度多芯光纤的连接程序被所述处理器执行时实现如上所述的高密度多芯光纤的连接方法的步骤。
[0016]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有高密度多芯光纤的连接程序，所述高密度多芯光纤的连接程序被处理器执行时实现如上所述的高密度多芯光纤的连接方法的步骤。
[0017]本专利技术实施例提供一种高密度多芯光纤的连接方法、装置及计算机可读存储介质，通过确定需要进行熔接的第一多芯光纤和第二多芯光纤两端待熔接部位的清洁度，根据清洁度选定对应的目标熔接方案来进行熔接，避免了待熔接多芯光纤的熔接部位上由于存在杂质时导致熔接效果变差。
附图说明
图1为本专利技术实施例涉及的光纤连接装置的硬件运行环境的架构示意图；图2为本专利技术高密度多芯光纤的连接方法的第一实施例的流程示意图；图3为本专利技术高密度多芯光纤的连接方法的第二实施例的流程示意图；图4为本专利技术高密度多芯光纤的连接方法的第三实施例的流程示意图；图5为本专利技术高密度多芯光纤的连接方法的第四实施例的流程示意图；本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图作进一步说明。
具体实施方式
[0018]本申请中通过确定需要进行熔接的第一多芯光纤和第二多芯光纤两端待熔接部位的清洁度，根据清洁度选定对应的目标熔接方案来进行熔接，避免了待熔接多芯光纤的熔接部位上由于存在杂质时导致熔接效果差。
[0019]为了更好地理解上述技术方案，下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。
[0020]作为一种实现方案，图1为本专利技术实施例方案涉及的光纤熔接装置的硬件运行环境的架构示意图。
[0021]如图1所示，该光纤连接装置可以包括：处理器1001，例如CPU，存储器1005，用户接口1003，网络接口1004，通信总线1002。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密度多芯光纤的连接方法，其特征在于，应用光纤熔接装置，所述光纤熔接装置包括设置于第一侧的固定组件，所述固定组件用于固定待熔接的第一多芯光纤，设置于第二侧的光纤对轴机构，所述光纤对轴机构用于夹持待熔接的第二多芯光纤，带动所述第二多芯光纤随所述光纤对轴机构同步运动，以及熔接机构，所述熔接机构用于熔接第一多芯光纤和第二多芯光纤，所述高密度多芯光纤的连接方法包括：采集所述第一多芯光纤和所述第二多芯光纤的待熔接部位图像；根据所述待熔接部位图像，确定所述第一多芯光纤和所述第二多芯光纤的待熔接部位清洁度；根据所述待熔接部位清洁度选定目标熔接方案；控制所述光纤熔接装置按所述目标熔接方案执行熔接操作。2.如权利要求1所述的高密度多芯光纤的连接方法，其特征在于，所述根据所述待熔接部位图像，确定所述第一多芯光纤和所述第二多芯光纤的待熔接部位清洁度的步骤包括：基于图像分析算法，确定所述待熔接部位图像中的杂质点；根据所述杂质点的个数、面积和/或分布情况，确定所述待熔接部位清洁度。3.如权利要求1所述的高密度多芯光纤的连接方法，其特征在于，所述根据所述待熔接部位清洁度选定目标熔接方案的步骤包括：确定所述待熔接部位清洁度是否大于预设阈值；若大于所述预设阈值，将第一熔接方案确定为所述目标熔接方案，其中，在所述第一熔接方案下，所述光纤对轴机构带动所述第二多芯光纤移动至与所述第一多芯光纤的熔接部对接，在对接后所述熔接机构于对接处执行熔接操作。4.如权利要求3所述的高密度多芯光纤的连接方法，其特征在于，所述确定所述待熔接部位清洁度是否大于预设阈值的步骤之后，还包括：若小于所述预设阈值，将第二熔接方案确定为所述目标熔接方案，其中，在所述第二熔接方案下，控制所述熔接机构以第一功率运行，随后控制所述光纤对轴机构带动所述第二多芯光纤移动至与所述第一多芯光纤的熔接部位对接，在对接后控制所述熔接机构以第二功率运行，其中，第一功率小于所述第二功率。5.如权利要求1所述的高密度多芯光纤的连接方法，其特征在于，所述控制所述光纤熔接装置按所述目标熔接方案中的控制参数执行熔接操作的步骤之前，还包括：采集所述第一多芯光纤和所述第二多芯光纤的端面图像；根据所述端面图像，确定所述第二多芯光纤相较于所述第一多芯光纤的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春哲，陈潮先，
申请(专利权)人：深圳市致尚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：