一种用于降低PCO发生率的晶胚结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于降低PCO发生率的晶胚结构，涉及医疗器械技术领域，具体为一种用于降低PCO发生率的晶胚结构，包括防囊膜粘连接环和光学区，光学区的外表面设置有襻。该用于降低PCO发生率的晶胚结构，通过防囊膜粘连接环、光学区、襻、防囊膜粘连接件、储存空腔和调节孔的设置，使该用于降低PCO发生率的晶胚结构具备了方便降低PCO发生率的效果，防囊膜粘连接环与光学区之间存在一定的间隙，便于房水的填充，以及方便房水的流通，且防囊膜粘连接件插接在定位槽的内部，方便防囊膜粘连接环与光学区对齐，便于限制光学区与防囊膜粘连接环对齐位置，使其不易于发生偏移或旋转，达到了方便降低PCO发生率的目的。达到了方便降低PCO发生率的目的。达到了方便降低PCO发生率的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种用于降低PCO发生率的晶胚结构


[0001]本技术涉及医疗器械
，具体为一种用于降低PCO发生率的晶胚结构。

技术介绍

[0002]后发性白内障（PCO）是白内障超声乳化手术的一项常见的远期并发症，与术者手术操作技术，人工晶状体材质以及设计等因素相关，文献报道PCO三年的发生率在15%左右，临床一般在20%
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60%，婴幼儿白内障术后的发生率甚至达到100%[1]。经过临床医生多年的努力改进，PCO的发生率有所下降，但仍是困扰着白内障医生的一种远期并发症。人工晶体植入人眼后，常见的并发症是术后后囊膜浑浊(posterior capsuleopacification，简称PCO)、前囊膜浑浊(anterior capsule opacifieation，简称ACO)、前囊膜挛缩，其本质原因都是白内障手术中残存的晶状体上皮细胞(LEC)增殖导致。目前采用最多的防止术后PCO的方式是，将晶体光学区后表面边缘做成锐利的夹角。晶体光学区后表面与后囊膜紧密贴合。在光学区边缘夹角处后囊膜发生弯曲皱缩，从而阻滞LEC细胞向光学区与后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于降低PCO发生率的晶胚结构，包括防囊膜粘连接环和光学区，其特征在于：光学区的外表面设置有襻，襻的底部设置有防囊膜粘连接件，襻的顶部分别开设有以上下方向为深度的储存空腔和调节孔。2.根据权利要求1所述的一种用于降低PCO发生率的晶胚结构，其特征在于：储存空腔的长度和宽度均大于调节孔的直径，储存空腔的深度小于调节孔的深度。3.根据权利要求1所述的一种用于降低PCO发生率的晶胚结构，其特征在于：防囊膜粘连接环的截面为圆形，且防囊膜粘连接环的轴芯与光学区的轴芯相对应。4.根据权利要求1所述的一种用于降低PCO发生率的晶胚结构，其特征在于：防囊膜粘连接件的端部位于防囊膜粘连接环的内部，且防囊膜粘连接件的棱边设置有倒角。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永涛，李松伟，马艺玮，韩晗，陈思琪，
申请(专利权)人：河南赛美视生物科技有限公司，
类型：新型
国别省市：