一种用于降低PCO发生率的晶胚结构制造技术

技术编号:37660562 阅读:11 留言:0更新日期:2023-05-25 11:03
本实用新型专利技术公开了一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,涉及医疗器械技术领域,具体为一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,包括防囊膜粘连接环和光学区,光学区的外表面设置有襻。该用于降低PCO发生率的晶胚结构,通过防囊膜粘连接环、光学区、襻、防囊膜粘连接件、储存空腔和调节孔的设置,使该用于降低PCO发生率的晶胚结构具备了方便降低PCO发生率的效果,防囊膜粘连接环与光学区之间存在一定的间隙,便于房水的填充,以及方便房水的流通,且防囊膜粘连接件插接在定位槽的内部,方便防囊膜粘连接环与光学区对齐,便于限制光学区与防囊膜粘连接环对齐位置,使其不易于发生偏移或旋转,达到了方便降低PCO发生率的目的。达到了方便降低PCO发生率的目的。达到了方便降低PCO发生率的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种用于降低PCO发生率的晶胚结构


[0001]本技术涉及医疗器械
,具体为一种用于降低PCO发生率的晶胚结构。

技术介绍

[0002]后发性白内障(PCO)是白内障超声乳化手术的一项常见的远期并发症,与术者手术操作技术,人工晶状体材质以及设计等因素相关,文献报道PCO三年的发生率在15%左右,临床一般在20%

60%,婴幼儿白内障术后的发生率甚至达到100%[1]。经过临床医生多年的努力改进,PCO的发生率有所下降,但仍是困扰着白内障医生的一种远期并发症。人工晶体植入人眼后,常见的并发症是术后后囊膜浑浊(posterior capsuleopacification,简称PCO)、前囊膜浑浊(anterior capsule opacifieation,简称ACO)、前囊膜挛缩,其本质原因都是白内障手术中残存的晶状体上皮细胞(LEC)增殖导致。目前采用最多的防止术后PCO的方式是,将晶体光学区后表面边缘做成锐利的夹角。晶体光学区后表面与后囊膜紧密贴合。在光学区边缘夹角处后囊膜发生弯曲皱缩,从而阻滞LEC细胞向光学区与后囊膜接触的部分迁移增殖,从而防止PCO的发生。
[0003]现有的专利CN209301398U,虽然该专利结构简单,但是该专利对于降低PCO发生率的效率较差,且该专利使用较为麻烦,实用性差,现专利技术一种用于降低PCO发生率的晶胚结构解决了上述问题。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足,本技术提供了一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,解决了上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现以上目的,本技术通过以下技术方案予以实现:一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,包括防囊膜粘连接环和光学区,光学区的外表面设置有襻,襻的底部设置有防囊膜粘连接件,襻的顶部分别开设有以上下方向为深度的储存空腔和调节孔。
[0008]可选的,储存空腔的长度和宽度均大于调节孔的直径,储存空腔的深度小于调节孔的深度。
[0009]可选的,防囊膜粘连接环的截面为圆形,且防囊膜粘连接环的轴芯与光学区的轴芯相对应。
[0010]可选的,防囊膜粘连接件的端部位于防囊膜粘连接环的内部,且防囊膜粘连接件的棱边设置有倒角。
[0011]可选的,防囊膜粘连接环的上棱边和下棱边处均设置有倒角,光学区的直径小于防囊膜粘连接环的直径。
[0012]可选的,襻的截面为弧形,光学区的最高位置高于防囊膜粘连接环的最高位置。
[0013]可选的,光学区的直径为6mm,光学区的边缘厚度为0.3mm,防囊膜粘连接环的厚度
为2.5mm。
[0014]可选的,防囊膜粘连接环的内底壁开设有以上下方向为深度的定位槽,防囊膜粘连接件的端部插接在定位槽的内部。
[0015](三)有益效果
[0016]本技术提供了一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,具备以下有益效果:
[0017]1、该用于降低PCO发生率的晶胚结构,通过防囊膜粘连接环、光学区、襻、防囊膜粘连接件、储存空腔和调节孔的设置,使该用于降低PCO发生率的晶胚结构具备了方便降低PCO发生率的效果,防囊膜粘连接环与光学区之间存在一定的间隙,便于房水的填充,以及方便房水的流通,且防囊膜粘连接件插接在定位槽的内部,方便防囊膜粘连接环与光学区对齐,便于限制光学区与防囊膜粘连接环对齐位置,使其不易于发生偏移或旋转,达到了方便降低PCO发生率的目的。
[0018]2、该用于降低PCO发生率的晶胚结构,通过防囊膜粘连接环、光学区、襻、防囊膜粘连接件、储存空腔和调节孔的设置,使该用于降低PCO发生率的晶胚结构具备了方便操作,提高实用性的效果,方便在储存空腔的内部放置药物,通过调节孔方便拨动调节光学区的位置,方便光学区与防囊膜粘连接环对齐,且襻可压缩,便于适用于多种尺寸的瞳孔,适用范围广,达到了提高实用性的目的。
附图说明
[0019]图1为本技术立体结构示意图;
[0020]图2为本技术正视剖面的结构示意图;
[0021]图3为本技术俯视的结构示意图;
[0022]图4为本技术光学区立体的结构示意图;
[0023]图5为本技术防囊膜粘连接环立体的结构示意图。
[0024]图中:1、防囊膜粘连接环;2、光学区;3、襻;4、防囊膜粘连接件;5、储存空腔;6、调节孔。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。
[0026]实施例1
[0027]请参阅图1至图5,本技术提供技术方案:一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,包括防囊膜粘连接环1和光学区2,防囊膜粘连接环1的截面为圆形,且防囊膜粘连接环1的轴芯与光学区2的轴芯相对应,防囊膜粘连接环1的上棱边和下棱边处均设置有倒角,光学区2的直径小于防囊膜粘连接环1的直径,光学区2的直径为6mm,光学区2的边缘厚度为0.3mm,防囊膜粘连接环1的厚度为2.5mm,防囊膜粘连接环1的内底壁开设有以上下方向为深度的定位槽,防囊膜粘连接件4的端部插接在定位槽的内部,方便限制光学区2的位置,避免光学区2发生偏移或者旋转,光学区2的外表面设置有襻3,襻3的截面为弧形,光学区2的最高位置高于防囊膜粘连接环1的最高位置,便于使光学区2与防囊膜粘连接环1之间存在
一定的间隙,便于房水的填充,通过防囊膜粘连接环1、光学区2、襻3、防囊膜粘连接件4、储存空腔5和调节孔6的设置,使该用于降低PCO发生率的晶胚结构具备了方便降低PCO发生率的效果,防囊膜粘连接环1与光学区2之间存在一定的间隙,便于房水的填充,以及方便房水的流通,且防囊膜粘连接件4插接在定位槽的内部,方便防囊膜粘连接环1与光学区2对齐,便于限制光学区2与防囊膜粘连接环1对齐位置,使其不易于发生偏移或旋转,达到了方便降低PCO发生率的目的。
[0028]使用时,压缩襻3,使襻3发生形变,使防囊膜粘连接件4进入到防囊膜粘连接环1的内部,然后通过调节孔6拨动襻3,调整防囊膜粘连接件4的位置,使防囊膜粘连接件4进入到定位槽的内部,方便限制光学区2与防囊膜粘连接环1的对应位置,使光学区2不易于发生偏移或旋转,光学区2与防囊膜粘连接环1之间存在一定的间隙,方便房水的填充,且便于房水的流通交换,光学区2悬空,便于降低PCO的发生率,提高实用性。
[0029]实施例2
[0030]请参阅图1至图5,本技术提供技术方案:一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,襻3的底部设置有防囊膜粘连接件4,防囊膜粘连接件4的端部位于防囊膜粘连接环1的内部,且防囊膜粘连接件4的棱边设置有倒角,且襻3可压缩,便于适用于多种尺寸的瞳孔,适用范围广,襻3的顶部分别开设有以上下方向为深度的储存空腔本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,包括防囊膜粘连接环和光学区,其特征在于:光学区的外表面设置有襻,襻的底部设置有防囊膜粘连接件,襻的顶部分别开设有以上下方向为深度的储存空腔和调节孔。2.根据权利要求1所述的一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,其特征在于:储存空腔的长度和宽度均大于调节孔的直径,储存空腔的深度小于调节孔的深度。3.根据权利要求1所述的一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,其特征在于:防囊膜粘连接环的截面为圆形,且防囊膜粘连接环的轴芯与光学区的轴芯相对应。4.根据权利要求1所述的一种用于降低PCO发生率的晶胚结构,其特征在于:防囊膜粘连接件的端部位于防囊膜粘连接环的内部,且防囊膜粘连接件的棱边设置有倒角。...

【专利技术属性】
技术研发人员:张永涛李松伟马艺玮韩晗陈思琪
申请(专利权)人:河南赛美视生物科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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