【技术实现步骤摘要】
一种CVD工序真空吹扫系统
[0001]本技术涉及光伏领域，具体涉及一种CVD工序真空吹扫系统。
技术介绍
[0002]CVD薄膜沉积技术是太阳电池工艺中沉积氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种薄膜的主要手段，具有产出高、稳定性良好等优点而被广泛使用。
[0003]在CVD工序中，真空泵一方面需要将工艺炉管或者腔室由大气压抽至低压状态，此时无工艺气体存在；另一方面，需要保持炉管或者腔室压力稳定在某一范围，此时需要存在工艺特气。目前这两种要求集中由一台真空泵完成，对真空泵的性能要求及寿命要求较高。在沉积薄膜时，部分呈粉尘状态生成物及工艺特气会被真空泵抽出，进入真空管路及真空泵，为了防止抽出的粉尘堵塞真空泵或者真空管路，影响真空泵的性能及使用寿命，需对真空泵及管路采用氮气进行吹扫。
[0004]在对真空泵及管路采用氮气进行吹扫过程中，氮气流量在50000sccm(ml/min)以上，导致氮气的消耗量过大，成本较高。
技术实现思路
[0005]基于上述问题，本申请提供了一种CVD工序真空吹扫系统，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种CVD工序真空吹扫系统，包括炉管、真空泵、进气管路、出气管路及吹扫管路，其特征在于，所述吹扫管路包括第一支路、第二支路，所述第一支路、第二支路为并联管路，所述第一支路至少还设置有第一流量阀，所述第二支路至少还设置有第二流量阀，所述吹扫管路一端用于输入吹扫气体，所述吹扫管路另一端用于输出吹扫气体，并连接所述真空泵的一端，所述第一支路为常开状态，所述炉管运行工艺时，所述第二支路打开，所述真空泵通过工艺运行状态，输送气体的量的不同来实现降低整体吹扫气体用量。2.根据权利要求1所述的吹扫系统，其特征在于，所述第一支路还设置有第三流量阀。3.根据权利要求2所述的吹扫系统，其特征在于，所述第一流量阀为针阀，第三流量阀为手阀，所述第二流量阀为电磁阀。4.根据权利要求1所述的吹扫系统，其特征在于，所述吹扫管路通入的吹扫气体为氮气。5.根据权利要求1
【专利技术属性】
技术研发人员：王树林，李鹏飞，王英杰，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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