一种CVD工序真空吹扫系统技术方案

本申请涉及光伏领域，特别是一种CVD工序真空吹扫系统，包括真空泵、进气管路、出气管路及吹扫管路，其特征在于，所述吹扫管路包括第一支路、第二支路，所述第一支路、第二支路为并联管路，所述第一支路至少还设置有第一流量阀，所述第二支路至少还设置有第二流量阀，所述吹扫管路一端用于输入吹扫气体，所述吹扫管路另一端用于输出吹扫气体，并连接所述真空泵的一端，所述第一支路为常开状态，所述炉管运行工艺时，所述第二支路打开，所述真空泵通过工艺运行状态，输送气体的量的不同来实现降低整体吹扫气体用量，降低了设备能耗，从而降低成本。成本。成本。

【技术实现步骤摘要】
一种CVD工序真空吹扫系统


[0001]本技术涉及光伏领域，具体涉及一种CVD工序真空吹扫系统。

技术介绍

[0002]CVD薄膜沉积技术是太阳电池工艺中沉积氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种薄膜的主要手段，具有产出高、稳定性良好等优点而被广泛使用。
[0003]在CVD工序中，真空泵一方面需要将工艺炉管或者腔室由大气压抽至低压状态，此时无工艺气体存在；另一方面，需要保持炉管或者腔室压力稳定在某一范围，此时需要存在工艺特气。目前这两种要求集中由一台真空泵完成，对真空泵的性能要求及寿命要求较高。在沉积薄膜时，部分呈粉尘状态生成物及工艺特气会被真空泵抽出，进入真空管路及真空泵，为了防止抽出的粉尘堵塞真空泵或者真空管路，影响真空泵的性能及使用寿命，需对真空泵及管路采用氮气进行吹扫。
[0004]在对真空泵及管路采用氮气进行吹扫过程中，氮气流量在50000sccm(ml/min)以上，导致氮气的消耗量过大，成本较高。

技术实现思路

[0005]基于上述问题，本申请提供了一种CVD工序真空吹扫系统，以达到降低氮气用量，降低设备能耗。
[0006]为达到上述目的，本申请提供一种CVD工序真空吹扫系统，包括真空泵、进气管路、出气管路及吹扫管路，其特征在于，所述吹扫管路包括第一支路、第二支路，所述第一支路、第二支路为并联管路，所述第一支路至少还设置有第一流量阀，所述第二支路至少还设置有第二流量阀，所述吹扫管路一端用于输入所述吹扫气体，所述吹扫管路另一端用于输出吹扫气体，并连接所述真空泵的一端，所述第一支路为常开状态，所述炉管运行工艺时，所述第二支路打开，所述真空泵通过工艺运行状态，输送气体的量的不同来实现降低整体吹扫用量的。
[0007]根据本申请的一个实施例，所述第一支路还设置有第三流量阀。
[0008]根据本申请的一个实施例，所述第一流量阀为针阀，第三流量阀为手阀，所述第二流量阀为电磁阀。
[0009]根据本申请的一个实施例，所述吹扫管路通入的吹扫气体为氮气。
[0010]根据本申请的一个实施例，所述第一支路通入所述吹扫气体流量为通过吹扫管路所述吹扫气体流量的10％
‑
40％，所述第二支路通入所述吹扫气体流量为通过所述吹扫管路所述吹扫气体流量的60％
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90％。
[0011]根据本申请的一个实施例，所述进气管路上还设置有流量计，所述进气管路通入工艺气体时，所述流量计传递信号给所述第二流量阀，所述第二流量阀打开。
[0012]根据本申请的一个实施例，所述真空泵包括壳体、壳体围绕成的腔体，以及位于壳体上用于与所述炉管连通的第一进气口、所述吹扫管路连通的第二进气口。
[0013]根据本申请的一个实施例，所述真空泵上设置有排气口，所述吹扫管路通入的气体经由真空泵抽入腔体再经所述排气口排出。
[0014]由于采用了上述技术方案，本技术相对现有技术来说，取得的技术效果是：
[0015]本技术提供一种CVD真空吹扫系统：所述第一支路的第一流量阀、第三流量阀为常开状态，设备运行时，该系统流量计反馈信号给第二流量阀，气体流量加大，设备停止运行及待料情况下第二流量阀关闭，从旁路变径通入小流量工艺气体，达到降低气体用量，起到节能作用。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为一实施例中CVD工序真空吹扫系统的结构图。
[0018]图2为图1实施例中真空泵的结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0020]图1为本申请实施例公开的一种CVD工序真空吹扫系统的结构图。
[0021]由图所示，该真空吹扫系统100还包括进气管路1、出气管路2及吹扫管路3，吹扫管路3包括第一支路31、第二支路32，第一支路31、第二支路32为并联管路，第一支路31至少还设置有第一流量阀311，第二支路32至少还设置有第二流量阀321。
[0022]进一步的，该真空吹扫系统100还包括炉管4、真空泵5及流量计6，真空泵包括壳体51、壳体51围成的腔体52以及位于壳体上用于与炉管连通的第一进气口511、吹扫管路连通的第二进气口512。具体地，当设备在沉积时，硅烷等工艺气体不断通过进气管路1进入炉管4，真空泵5在对炉管4抽真空的过程中，炉管内的气体经第一进气口511进入真空泵5内。
[0023]实际生产中，为了提高真空泵的使用寿命，吹扫管路3会持续的通入吹扫气体，吹扫管路3一端用于输入所述吹扫气体，吹扫管路另一端用于输出吹扫气体，并连接真空泵5的一端，第一支路保持常开状态，第二支路为关闭状态，此种设置，一方面以保证吹扫气体始终能进入真空泵5，以稀释真空泵5及管路中的工艺气体；另一方面，还能降低通入的吹扫气体流量。当设备在沉积薄膜工序中，进气管路1通入硅烷等工艺气体后，进气管路1中产生了含硅的生成物，流量计6监测到信号，并将该信号传递给第二流量阀321，此时，第二流量阀打开，以增加进入真空泵5的吹扫气体流量。
[0024]进一步的，第一支路31还设置有第三流量阀312，以便更精确的进行吹扫气体流量控制，起到较好的节能作用。
[0025]本实施例中，第一流量阀311具体可以为针阀，第三流量阀312为手阀，第二流量阀
321为电磁阀，当然这里第三流量阀312也可以为针阀，需要说明的是，第一流量阀311、第三流量阀312具体的形式不作限制，这里只要能满足调节第一支路31吹扫气体流量即可。优选地，第一支路31吹扫气体通入流量可以为通过吹扫管路3吹扫气体流量的10％
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40％，第二支路32吹扫气体通入流量可以为通过吹扫管路3吹扫气体流量的60％
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90％。此种设置，一方面能保证设备运行时，吹扫气体能充分吹扫真空泵5的腔体52内的生成物，另外一方面还能降低整体吹扫气体用量，起到节能作用。
[0026]为了简化真空泵5的结构，且不增加真空泵5的制造成本，优选的，真空泵5还包括位于壳体51上的排气口513，吹扫管路3通入的吹扫气体将真空泵5腔体52内生成物经排气口513吹扫出来。
[0027]进一步，为了避免影真空泵5的腔体52内部各元件的正常运行，优选的，吹扫气体为氮气。或者，优选的，吹扫气体为惰性气体。
[0028]本技术公开的技术方案通过吹扫管路3一侧的入口输入气体压力来实现整体氮气用量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVD工序真空吹扫系统，包括炉管、真空泵、进气管路、出气管路及吹扫管路，其特征在于，所述吹扫管路包括第一支路、第二支路，所述第一支路、第二支路为并联管路，所述第一支路至少还设置有第一流量阀，所述第二支路至少还设置有第二流量阀，所述吹扫管路一端用于输入吹扫气体，所述吹扫管路另一端用于输出吹扫气体，并连接所述真空泵的一端，所述第一支路为常开状态，所述炉管运行工艺时，所述第二支路打开，所述真空泵通过工艺运行状态，输送气体的量的不同来实现降低整体吹扫气体用量。2.根据权利要求1所述的吹扫系统，其特征在于，所述第一支路还设置有第三流量阀。3.根据权利要求2所述的吹扫系统，其特征在于，所述第一流量阀为针阀，第三流量阀为手阀，所述第二流量阀为电磁阀。4.根据权利要求1所述的吹扫系统，其特征在于，所述吹扫管路通入的吹扫气体为氮气。5.根据权利要求1

【专利技术属性】
技术研发人员：王树林，李鹏飞，王英杰，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：