单晶金刚石生长用的基板台制造技术

本实用新型专利技术属于单晶金刚石制备领域，公开了一种单晶金刚石生长用的基板台。所述基板台包括圆柱形结构或圆台形结构的基板台主体，所述基板台主体的上表面设置圆形凹槽，所述圆形凹槽的底部设置多个容纳籽晶的网格凹槽；所述网格凹槽的宽度比籽晶的宽度大0.15~0.5mm，所述网格凹槽的深度比籽晶的厚度小0.05~0.15mm，两网格之间的限位台阶宽度为0.9~1.5mm；所述圆形凹槽的直径比基板台上表面直径小1~3mm，所述圆形凹槽的深度比籽晶厚度减去网格凹槽的深度的差值大0.5~1mm。本实用新型专利技术的基板台结构简单，易于生产制造，可大批量制备高品质、高平整度单晶金刚石，降低了生产成本，具有良好的工业应用前景。具有良好的工业应用前景。具有良好的工业应用前景。

【技术实现步骤摘要】
单晶金刚石生长用的基板台


[0001]本技术属于单晶金刚石制备领域，更具体的，涉及一种单晶金刚石生长用的基板台。

技术介绍

[0002]微波化学气相沉积法（MPCVD）凭借其等离子体密度大、无电极污染等优势，目前已成为制备高品质金刚石的首选方案。在MPCVD的沉积过程中，所使用基板台的结构对金刚石的沉积速率和制备质量存在影响。
[0003]然而由于微波放电的“边沿效应”，导致在沉积金刚石时，籽晶的温度从边缘到中心逐渐减小，温差甚至可高达数十度，加之随着金刚石单晶生长面与基板台的高度差增加，金刚石单晶的“边沿效应”增强，最终导致制备出的金刚石表面平整度极差。并且生长时边缘多晶金刚石逐渐向籽晶内部扩展，最终导致单晶生长区域缩小。为获得较大单晶，在生长一段时间后必须停止生长，使得单次生长厚度较小。同时，由于生长过程中各籽晶底部与基板台接触情况不同，导致籽晶的散热不同，有时各籽晶温相差较大，导致制备的单晶金刚石品质不一致。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的上述问题，本技术的目的在于提供一种单晶金刚石生长用的基板台，该基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶金刚石生长用的基板台，其特征在于，所述基板台包括圆柱形结构或圆台形结构的基板台主体，所述基板台主体的上表面设置圆形凹槽，所述圆形凹槽的底部设置多个容纳籽晶的网格凹槽；所述网格凹槽的宽度比籽晶的宽度大0.15~0.5mm，所述网格凹槽的深度比籽晶的厚度小0.05~0.15mm，两网格之间的限位台阶宽度为0.9~1.5mm；所述圆形凹槽的直径比基板台上表面直径小1~3mm，所述圆形凹槽的深度比籽晶厚度减去网格凹槽的深度的差值大0.5~1mm。2.如权利要求1所述的基板台，其特征在于，所述圆形凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯曙光，于金凤，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：新型
国别省市：