防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备、金刚石制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及到一种防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备及金刚石制备方法，其中防止MPCVD设备内部放电的装置包括：屏蔽环，所述屏蔽环的下部与MPCVD设备的水冷台相适配，所述屏蔽环的上内侧壁与所述MPCVD设备上的基片台的上表面贴合，所述屏蔽环的竖向内壁覆盖所述水冷台与所述基片台之间的缝隙。本申请提供的防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备及金刚石制备方法，能避免基片台与水冷台的下方容易出现放电的情况，使得MPCVD设备内部的温度场和等离子体密度分布均匀，提高金刚石稳定生长过程中等离子体的稳定性，进而提高金刚石的生长质量。生长质量。生长质量。

【技术实现步骤摘要】
防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备、金刚石制备方法


[0001]本专利技术涉及人造金刚石领域，尤其是采用防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备及金刚石制备方法。

技术介绍

[0002]叉车金刚石由于具有极其优异的物理化学性质，使其受到广泛的关注。但天然金刚石的储量有限，于是人们开发出多种合成金刚石方法，如高温高压法(HPHT)、热丝化学气相沉积法(HJCVD)，其中微波等离子化学气相沉积法(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition)合成金刚石法由于没有杂质的引入，可以合成出高质量、大面积的金刚石。
[0003]该MPCVD法合成金刚石的质量与多种因素有关，包括碳源浓度、气体流量大小、基片台高度、微波功率、合成温度等，在批量合成金刚石的过程中，由于便于控制金刚石的温度，在金刚石下方会放置可以拆卸的基片台，基片台的材料一般为耐高温的金属材料，如金属钼、金属钨等。基片台的下方为水冷台，用来消耗基片台以及金刚石的温度，然而由于MPCVD法设备内部较大的电场强度，极易导致基片台与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.防止MPCVD设备内部放电的装置，其特征在于，包括：屏蔽环(2)，所述屏蔽环(2)的下部与MPCVD设备的水冷台(4)相适配，所述屏蔽环(2)的上内侧壁与所述MPCVD设备上的基片台(3)的上表面贴合，所述屏蔽环(2)的竖向内壁覆盖所述水冷台(4)与所述基片台(3)之间的缝隙。2.根据权利要求1所述的防止MPCVD设备内部放电的装置，其特征在于，所述屏蔽环(2)的材质为高温难熔金属材质。3.根据权利要求2所述的防止MPCVD设备内部放电的装置，其特征在于，所述屏蔽环(2)的厚度为1～5mm。4.根据权利要求3所述的防止MPCVD设备内部放电的装置，其特征在于，所述屏蔽环(2)的高度为6～10mm。5.根据权利要求1至4任一项所述的防止MPCVD设备内部放电的装置，其特征在于，所述屏蔽环(2)的上内径为15～55mm，下内径与所述水冷台(4)的外径一致，所述屏蔽环(2)的上内径、下内径的公差小于1mm。6.根据权利要求的5所述的防止MPCVD设备内部放电的装置，其特征在于，所述屏蔽环(2)拐角处光滑过渡。7.根据权利要求6所述的防止MPCVD设备内部放电的装置，其特征在于，所述屏蔽环(2)与所述水冷台(4)通过第一螺钉螺装连接。8.根据权利要求6所述的防止MPCVD设备内部放电的装置，其特征在于，所述屏蔽环(2)与所述基片台(3)通过第二螺钉螺装连接。9.MPCVD设备，其特征在于，包括：水冷台(4)，所述水冷台(4)的内部设有冷却通道(5)，所述冷却通道(5)用于供冷却流体流通；基片台(3)，位于所述水冷台(4)上方，用于承载金...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭国令，储昌明，胡清明，范旅龙，曾凡初，
申请(专利权)人：航天科工长沙新材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：