测量和监控曝光机台的数值孔径的方法、控片和光掩模技术

本发明专利技术公开了测量和监控曝光机台的数值孔径的方法、控片和光掩模。在该测量曝光机台的数值孔径的方法中，首先提供控片及像差光掩模，其中控片上有多个刻度尺标记，像差光掩模上则有多个针孔，其中每一个针孔的位置对应一个刻度尺标记的位置。接着使用曝光机台与像差光掩模对控片进行光刻工艺，以在每一个刻度尺标记上方形成形状与曝光机台的光源的照光图案相同的光致抗蚀剂图案，再由光致抗蚀剂图案外缘所对应的刻度尺标记的刻度求得曝光机台的数值孔径。使用本发明专利技术的测量曝光机台数值孔径的方法可容易地求得曝光机台的数值孔径，而不须使用昂贵的数值孔径测量仪器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻工艺，特别是涉及一种测量曝光机台的数值孔径(Numerical Aperture, NA)的方法，以及用于此方法的控片(control wafer)及刻度尺标记(vernier mark)。
技术介绍
在图案化工艺中，曝光机台的数值孔径(NA)是很重要的参数，因其与有关图案转 移正确性的解析度(R = 、 A /NA)及聚焦深度(DOF = k2 A /NA2)等参数直接相关。因此，集 成电路工艺中所使用的各个曝光机台须具有相同的数值孔径设定，以使产品的特性一致。 不过，由于各个曝光机台的数值孔径多少有些差异，故在使用时常须加以补偿，以 尽量减少差异，而在进行补偿之前，则须先测量出各个曝光机台各自的数值孔径。在已知技 术中，曝光机台的数值孔径可以用LITEL公司制造的TMAP仪器测量而得。然而，此种数值 孔径测量仪器价格十分昂贵，普及率并不高。
技术实现思路
本专利技术提供一种测量曝光机台的数值孔径的方法。 本专利技术并提供一种用于上述方法的控片。 本专利技术亦提供一种用以制作控片的光掩模，可使控片具有多个刻度尺标，以利测 量曝光机台的数值孔径(NA)。 本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量曝光机台的数值孔径的方法，该曝光机台的光源具有照光图案，该方法包括：提供控片，其上有多个刻度尺标记；提供像差光掩模，其上有多个针孔，其中每一个针孔的位置对应一个刻度尺标记的位置；使用该曝光机台与该像差光掩模对该控片进行光刻工艺，以在每一个刻度尺标记上方形成形状与该照光图案相同的光致抗蚀剂图案；以及由该光致抗蚀剂图案外缘所对应的该刻度尺标记的刻度求得该曝光机台的数值孔径。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴健民，陈建志，
申请(专利权)人：钜晶电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]