【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空断路器、真空开关设备等上使用的新型的真空阀门用电触点。
技术介绍
真空断路器等的以真空为介质的电流开关设备由于对环境的影响小而不 断取代气体断路器等，追求着大容量化。用于遮断大电流的电触点部件为了加 大通电容量且保持保持良好的热传导性，需要有高密度。为此， 一般的真空开关设备上使用的Cr-Cu系电触点是通过可高密度化的溶浸法或烧结法来制造 的。例如，在专利文献l中，是在Cr-Cu低密度成形体中熔融浸渗Cu,制造 电触点。另外，在专利文献2中，是通过在惰性氛围气中烧结Cr-Cu系的高密 度成形体来得到高密度的电触点。进而，在专利文献3中，由于是将扁平形状 的Cr粉末向特定方向取向并烧结，由此能够减少Cr含量，能进行高密度烧结。专利文献1: 特许第2874522号公报专利文献2: 特开2005-135778号公才艮专利文献3: 特许第3825275号公报
技术实现思路
通过溶浸法制造的现有的Cr-Cu系电触点是通过将Cr固溶于触点层中的 Cu基质中，来降低导电率并加大硬度。由此，在使电触点之间彼此接触通电 时，有可能导致实际的接触面积变小...
【技术保护点】
一种电触点，具有圆盘形状，在厚度方向上由触点层和高导电层两个层构成，其特征在于： 所述触点层包括Ｃｒ、Ｃｕ和Ｔｅ，所述高导电层是以Ｃｕ为主要成分， 在所述触点层的厚度为ｔ↓［１］、所述高导电层的厚度为ｔ↓［２］、电触点的直径为Ｄ 时，分别满足式（１）及式（２）的关系， ０．１５ｔ↓［２］≤ｔ↓［１］≤１．２７ｔ↓［２］ （１） ２．９４（ｔ↓［１］＋ｔ↓［２］）≤Ｄ≤５．５５（ｔ↓［１］＋ｔ↓［２］） （２） 并且，所述高导电层在与触点面相反 一侧的面上具有１条或多条与电触点为同心圆的槽。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：菊池茂，梶原悟，小林将人，山崎美淑，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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