功率放大器制造技术

本发明专利技术的功率放大器中，加速电路(122)在利用形成放大部的放大晶体 管(103)开始进行功率放大时，使通过由偏置电路(111)和电源电路(112)构 成的偏压电源部向放大晶体管(103)提供的偏压暂时增加。藉此，在开始进 行利用放大晶体管(103)的功率放大时，使放大晶体管(103)的功率放大率 暂时提高。因此，因放大晶体管(103)的发热所导致的温度变动在整个电路 中达到平衡状态所需的时间得以缩短，调制波信号等的放大信号的失真减 小。因此，利用本发明专利技术，可在不使用温度检测元件的情况下抑制因开始工 作时的发热而导致的放大信号的失真的增加。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率放大器，例如涉及用于无线电通信装置等高频功率放大器。
技术介绍
一直以来，作为用于对信号等进行放大的放大器，使用利用双极晶体管的功率放大器。其中，对于像使用OFDM(正交频分多路复用)调制波等的 系统那样需要进行线性放大的系统，为使功率放大器不引起调制波信号失 真，进行了与线性化相关的电路设计，例如在与该功率放大器的最大输出 功率相比足够小的输出功率的线性放大区域内使用等的电路设计。在此，上述所谓线性放大意味着即使在输入信号功率发生变动时，输 出信号功率也能按照 一定的比率放大并输出，并且相位不发生变化。因通 信系统而异，有时候放大增益的仅O. 2 0. 3dB的变化也会成为问题。另--方面，上述线性放大时，例如因发热而导致的比较缓慢的温升所 引起的放大率和相位的数十微秒 数百微秒程度的变动有时也会成为问 题。作为用于对这样的功率放大器自身的发热所产生的影响进行修正的电 路，美国专利第4924194号说明书(参照图1)揭示了一种电路，该电路通过 与放大晶体管热耦合的温度检测元件(PIN二极管)来检测放大晶体管的发 热，然后将其反映在放大晶体管的偏置电压上。然而，上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大器，其特征在于，包括：　放大部，该放大部具有用于进行功率放大的第一晶体管；　偏压电源部，该偏压电源部具有用于向所述第一晶体管提供偏压的第二晶体管；以及　加速电路，该加速电路在开始进行所述功率放大时使由所述偏压电 源部向所述第一晶体管提供的偏压暂时增加。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：石丸昌晃，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP