半导体装置、存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

技术编号:37642117 阅读:36 留言:0更新日期:2023-05-25 10:09
本申请涉及半导体装置、存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器结构和控制电路。该存储器结构包括联接到非易失性存储器单元的多个页缓冲器。各个非易失性存储器单元能够存储数据。多个页缓冲器设置在预定方向上。控制电路被配置为将两个页缓冲器的重置区段彼此分离开与重置区段中的至少一个对应的时间。两个页缓冲器在多个页缓冲器当中彼此相邻设置。邻设置。邻设置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、存储器装置及其操作方法


[0001]本文所描述的本公开的实施方式涉及半导体装置,具体地,涉及一种用于减少半导体装置中的信号干扰的设备和方法。

技术介绍

[0002]近来,计算环境的范式已转变为普适计算,其使得计算机系统能够几乎随时随地被访问。结果,便携式电子装置(例如,移动电话、数字相机、笔记本计算机等)的使用正在迅速增加。这些便携式电子装置各自可使用或包括具有至少一个存储器装置的存储器系统。存储器系统可以是数据存储装置。数据存储装置可用作便携式电子装置的主存储装置或辅助存储装置。
[0003]与硬盘不同,这种数据存储装置使用非易失性半导体存储器,表现出改进的稳定性和耐久性,没有机械驱动部件(例如,机械臂),进而提供高数据访问速度和相对低的功耗。具有这些优点的数据存储装置的示例包括但不限于通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(SSD)等。

技术实现思路

[0004]本公开的实施方式可提供一种用于减少半导体装置中出现的信号干扰的设备和方法。此外,本公开的实施方式可提供一种能够改进存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置,该存储器装置包括:存储器结构,该存储器结构包括联接到非易失性存储器单元的多个页缓冲器,各个非易失性存储器单元能够存储数据,其中,所述多个页缓冲器设置在预定方向上;以及控制电路,该控制电路将两个页缓冲器的重置区段彼此分离开与所述重置区段中的至少一个对应的时间,其中,所述两个页缓冲器在所述多个页缓冲器当中彼此相邻设置。2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述存储器结构包括:位线,该位线将所述非易失性存储器单元当中的至少一个非易失性存储器单元联接到所述多个页缓冲器当中的至少一个页缓冲器;以及开关电路,该开关电路控制所述位线与所述至少一个非易失性存储器单元之间的连接。3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,所述页缓冲器包括:感测节点,该感测节点联接到所述开关电路;以及两个锁存器,所述两个锁存器联接到所述感测节点。4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中,所述控制电路传送用于重置所述页缓冲器中所包括的所述两个锁存器中的一个的控制信号。5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述控制电路通过输出要施加到所述两个页缓冲器的第一控制信号和第二控制信号来分离所述重置区段,并且其中,所述第一控制信号的第一启用区段和所述第二控制信号的第二启用区段彼此分离开与所述第一启用区段或所述第二启用区段中的至少一个对应的时间。6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,所述第一启用区段和所述第二启用区段彼此相同。7.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,所述两个页缓冲器设置在形成在半导体基板中的邻近隔离焊盘之间。8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中,设置在所述邻近隔离焊盘之间的所述两个页缓冲器中的至少一个和设置在所述邻近隔离焊盘之外的页缓冲器中的至少一个具有部分交叠的启用区段。9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,在平面图中,所述页缓冲器具有与形成在半导体基板中的3.5条线或5条线对应的宽度。10.一种半导体装置,该半导体装置包括:包括设置在预定方向上的多个缓冲器的结构,各个缓冲器包括存储数据的锁存器;以及控制电路,该控制电路将两个缓冲器的相应启用区段彼此分离开与所述启用区段中的至少一个对应的时间,其中,所述两个缓冲器在所述多个缓冲器当中彼此相邻设置。11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中,所述缓冲器包括:感测节点,该感测节点用于接收或输出所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡洙悦李晋行
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:

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