存储器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种存储器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上形成若干个第一方向的埋入式栅极结构；图案化衬底，切断埋入式栅极结构，在第二方向上形成若干个平行间隔排布的有源结构及有源结构之间的隔离槽；其中，有源结构为岛状柱状体，有源结构包括埋入式栅极结构；在隔离槽中形成隔离结构，隔离结构的表面与有源结构的表面齐平；在隔离结构及有源结构表面形成若干条第一方向的导电字线，导电字线覆盖于有源结构中埋入式栅极结构的上表面。本发明专利技术达到了减弱锤击效应，提升存储器件的性能的目的。存储器件的性能的目的。存储器件的性能的目的。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种存储器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]现有的存储器件制备工艺，埋入式栅极通常贯穿有源结构和隔离结构，当存储器矩阵中的某一行埋入式栅极被激活或被反复刷新时，容易会对临近的行产生噪声或干扰，产生行锤击效应，导致邻近行内的一个或多个单元的数据容易发生错误，进而影响了存储器性能。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种存储器件及其制备方法，能够避免了导电字线为同一行有源结构内的埋入式栅极结构通电时影响邻近行的埋入式栅极结构，减弱了锤击效应的影响，提升了存储器件的性能。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：
[0005]一种存储器件的制备方法，包括：
[0006]在衬底上形成若干个第一方向的埋入式栅极结构；
[0007]图案化所述衬底，切断所述埋入式栅极结构，在第二方向上形成若干个平行间隔排布的有源结构及所述有源结构之间的隔离槽；其中，所述有源结构为岛状柱状体，所述有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成若干个第一方向的埋入式栅极结构；图案化所述衬底，切断所述埋入式栅极结构，在第二方向上形成若干个平行间隔排布的有源结构及所述有源结构之间的隔离槽；其中，所述有源结构为岛状柱状体，所述有源结构包括所述埋入式栅极结构；在所述隔离槽中形成隔离结构，所述隔离结构的表面与所述有源结构的表面齐平；在所述隔离结构及所述有源结构表面形成若干条第一方向的导电字线，所述导电字线覆盖于所述有源结构中埋入式栅极结构的上表面。2.根据权利要求1所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成若干个第一方向的埋入式栅极结构的步骤，包括：在衬底表面形成第一掩膜层；图案化所述第一掩膜层，形成暴露所述衬底的表面的若干个第一方向上的第一沟槽；以所述第一掩膜层为蚀刻掩膜，蚀刻去除所述第一沟槽下的部分衬底，以形成若干个第一方向的埋入式字线沟槽；在所述埋入式字线沟槽内填充导电材料层，使所述导电材料层的上表面与所述衬底上表面齐平，形成埋入式栅极结构。3.根据权利要求1所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述图案化所述衬底，切断所述埋入式栅极结构，在第二方向上形成若干个平行间隔排布的有源结构及所述有源结构之间的隔离槽的步骤，包括：在衬底表面形成第一氮化层，图案化所述第一氮化层，形成若干条第二方向上平行间隔排布的有源区掩膜结构；以所述有源区掩膜结构为蚀刻掩膜，蚀刻去除暴露出的衬底，以切断所述埋入式栅极结构，形成若干个平行间隔排布的有源结构及所述有源结构之间的隔离槽；其中，所述有源结构的深度大于所述埋入式栅极结构的深度。4.根据权利要求3所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述图案化所述第一氮化层的步骤，包括：在第一氮化层顶表面形成第二掩膜层；图案化第二掩膜层形成第二方向的条形掩膜，以所述第二掩膜层为蚀刻掩膜，蚀刻去除暴露出的第一氮化层，使第一氮化层形成第二方向的条形结构；将所述第二方向的条形掩膜切断为预设长度的岛形掩膜，以岛形掩膜为刻蚀掩膜，刻蚀去除暴露出的第一氮化层，使所述第一氮化层形成若干条平行间隔排布的有源区掩膜结构。5.根据权利要求1所述的存储器件的制备方法，其特征在于，所述在所述隔离槽中形成隔离结构，所述隔离结构的表面与所述有源结构的表面齐平的步骤，包括：进行化学气相沉积工艺，在所述隔离槽中形成隔离结构；平整化所述隔离结构与所述有源结构的顶表面，以使所述隔离结构的顶表面与所述有源结构的顶表面齐平。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢经文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：