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本发明提供了一种存储器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上形成若干个第一方向的埋入式栅极结构；图案化衬底，切断埋入式栅极结构，在第二方向上形成若干个平行间隔排布的有源结构及有源结构之间的隔离槽；其中，有源结构为岛状柱状体，有源...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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