本发明专利技术涉及一种桥接器件、基板及发光器件，桥接器件设置在发光器件中需要交叉导通的发光芯片之间，代替基板内复杂的电路结构实现交叉连接，从而简化基板的结构，降低发光器件的生产成本，提升生产效率；或者是代替发光芯片之间交错的金线实现交叉连接，从而降低短路风险，提升发光器件的品质。而且，桥接器件作为独立于基板的器件，可以在基板上根据需求灵活部署，尤其是在基于正装结构的发光芯片制备发光器件的方案中，桥接器件的使用几乎不受基板本身电路结构的限制，对应地基板的设计也不需要考虑发光芯片或桥接器件的部署，极大程度地实现了基板电路结构与基板上器件部署的解耦，增加了发光器件制备的灵活性。增加了发光器件制备的灵活性。增加了发光器件制备的灵活性。
【技术实现步骤摘要】
一种桥接器件、基板及发光器件
[0001]本申请要求于2023年01月14日递交的专利技术名称为“一种桥接器件”、申请号为2023100973522的中国专利申请的优先权，上述申请作为参考全部结合到本申请中。
[0002]本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种桥接器件、基板及发光器件。
技术介绍
[0003]随着LED(Light
‑
Emitting Diode，发光二极管)技术的发展，支持双色温出光、多色温出光的发光器件已经越来越常见了，例如在照明领域中，灯具以不同的色温出光可以营造不同的氛围感，这深受广大消费者的青睐。以发光器件中包括两种色温的LED芯片为例，如果仅点亮其中某一种色温的LED芯片，则发光器件可以实现第一色温出光或第二色温出光，如果同时点亮两种色温的LED芯片，则发光器件可以实现第三色温出光，所以，发光器件中不同色温的LED芯片需要独立驱动。同时为了确保发光器件按照第三色温出光时混光均匀，在发光器件内两种色温的LED芯片应当均匀交错分布，且混光均匀程度与不同色温的LED芯片交错分布的均匀程度正相关。如果LED芯片为倒装结构，则发光器件中承载LED芯片的基板必然结构复杂，不能使用单层基板；如果LED芯片为正装结构，则LED芯片间会存在金线交错的情况，这容易导致金线间出现短路的问题，尤其是在利用封装胶如荧光胶对LED芯片进行COB(Chip On Board，板上芯片封装)封装后，因为封装胶的影响导致交错的金线压合到一起，从而出现短路的问题。
[0004]因此，如何简化基于倒装LED芯片的发光器件中基板的结构，如何降低基于正装LED芯片的发光器件内金线短路的风险是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种桥接器件，旨在解决现有发光器件中基板结构复杂或者容易出现短路情况的问题。
[0006]本申请提供一种桥接器件，包括：承载板、设置在承载板上的至少两个桥接电极组，桥接电极组之间彼此电气隔离，每个桥接电极组由两个彼此电连接的桥接电极构成，且至少两个桥接电极组中包括第一桥接电极组与第二桥接电极组；由第一桥接电极组中两桥接电极确定的第一直线，同由第二桥接电极组中两桥接电极确定的第二直线在所述承载板上的投影线相交。
[0007]上述桥接器件中包括第一桥接电极组与第二桥接电极组，过第一桥接电极组中的两桥接电极的第一直线与过第二桥接电极组中的两桥接电极的第二直线在所述承载板上的投影线相交，且第一桥接电极组中的两桥接电极彼此电连接，而第二桥接电极组中的两桥接电极也彼此电连接，两个桥接电极组之间彼此电气隔离，即第一桥接电极组中的两桥接电极的连接线路与第二桥接电极组中的两桥接电极的连接电路没有公共点，但是第一桥接电极组中的两桥接电极可以跨越第二桥接电极组中的两桥接电极或绕过第二桥接电极
组中的两桥接电极而连接，使得该桥接器件可以被设置到发光器件中需要交叉导通的发光芯片之间，代替基板内复杂的电路结构实现交叉连接，从而简化基板的结构，降低发光器件的生产成本，提升生产效率；或者是代替发光芯片之间交错的金线实现交叉连接，从而降低短路风险，提升发光器件的品质。而且，桥接器件作为独立于基板的器件，可以在基板上根据需求灵活部署，尤其是在基于正装结构的发光芯片制备发光器件的方案中，桥接器件的使用几乎不受基板本身电路结构的限制，对应地基板的设计也不需要考虑发光芯片或桥接器件的部署，极大程度地实现了基板电路结构与基板上器件部署的解耦，增加了发光器件制备的灵活性。
[0008]可选地，承载板中包括绝缘层以及承载于绝缘层上的一个导电层，导电层包括第一连接导线与第二连接导线，第一连接导线被配置为连接第一桥接电极组中的两桥接电极，第二连接导线被配置为连接第二桥接电极组中的两桥接电极。
[0009]上述桥接器件的承载板中仅通过一个导电层形成了电连接第一桥接电极组中两桥接电极的第一连接导线与电连接第二桥接电极组中两桥接电极的第二连接导线，这样不仅有利于控制桥接器件的厚度，保证桥接器件结构简单；而且在制备桥接器件时，通过对同一导电层进行图案化处理就可以同时形成第一连接导线与第二连接导线，有利于提升桥接器件的制备效率。
[0010]可选地，绝缘层包括非故意掺杂GaN层以及用于生长非故意掺杂GaN层的生长衬底，生长衬底与非故意掺杂GaN层层叠，且导电层与生长衬底分别位于非故意掺杂GaN层相对的两侧。
[0011]上述桥接器件中绝缘层包括生长衬底以及在该生长衬底上生长出的非故意掺杂GaN层，这种桥接器件具有晶片结构，可以采用与发光芯片相近的生产设备与制备工艺制得，从而降低桥接器件的生产成本。
[0012]可选地，承载板还包括钝化层，钝化层至少覆盖导电层远离绝缘层的一侧，且桥接电极远离承载板的一面外露于钝化层。
[0013]上述桥接器件中，承载板还包括覆盖导电层的钝化层，钝化层可以实现导电层与外部的电气隔离，避免因导电层与外部电路结构接触从而引发的短路风险；同时钝化层也可以隔绝外部水氧，避免导电层的电气性能因水氧侵蚀而受影响，维持桥接器件的可靠性。
[0014]可选地，承载板中包括多个绝缘层以及至少两个导电层，至少两个导电层中包括第一导电层与第二导电层，二者间通过至少一个绝缘层隔离；第一桥接电极组中的两桥接电极分别通过第一过孔与第一导电层电连接，第二桥接电极组中的两桥接电极分别通过第二过孔与第二导电层电连接。
[0015]上述桥接器件中，承载板中包括彼此电气隔离的第一导电层与第二导电层，分别利用第一导电层、第二导电层实现第一桥接电极组、第二桥接电极组中桥接电极的电连接，虽然在桥接器件的承载板中需要设置至少两个导电层，但是这相当于将原本需要在基板上实现的复杂结构转移到了桥接器件上，使得基板可以采用简单的单层电路板结构，简化了基板设计。
[0016]可选地，多个绝缘层包括层叠设置的衬底层、第一非故意掺杂GaN层、第二非故意掺杂GaN层，第一导电层位于衬底层与第一非故意掺杂GaN层之间，第二导电层位于第一非故意掺杂GaN层与第二非故意掺杂GaN层之间。
[0017]上述桥接器件中，绝缘层包括衬底层、第一非故意掺杂GaN层以及第二非故意掺杂GaN层，这种桥接器件具有晶片结构，可以采用与发光芯片相近的生产设备与制备工艺制得，从而降低桥接器件的生产成本。
[0018]可选地，第一桥接电极组的两桥接电极以及第二桥接电极组的两桥接电极均位于承载板的同一表面。
[0019]上述桥接器件中，两个桥接电极组的桥接电极均位于承载板的同一表面，该桥接器件在被设置到基板上时，可以将承载板设有桥接电极的一面朝向基板，使得桥接器件被“倒装”设置，从而配合倒装结构发光芯片一起被设置在基板上；或者，也可以将承载板设有桥接电极的一面背向基板，使得桥接器件被“正装”设置，从而配合正装结构发光芯片一起被设置在基板上。
[0020]可选地，承载板承载桥接电极的表面具有矩形轮廓，第一桥接电极组与第二桥接电极组的各桥本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种桥接器件，其特征在于，包括：承载板、设置在所述承载板上的至少两个桥接电极组，所述桥接电极组之间彼此电气隔离，每个所述桥接电极组由两个彼此电连接的桥接电极构成，且所述至少两个桥接电极组中包括第一桥接电极组与第二桥接电极组；由所述第一桥接电极组中两所述桥接电极确定的第一直线，同由所述第二桥接电极组中两所述桥接电极确定的第二直线在所述承载板上的投影线相交。2.如权利要求1所述的桥接器件，其特征在于，所述承载板中包括绝缘层以及承载于所述绝缘层上的一个导电层，所述导电层包括第一连接导线与第二连接导线，所述第一连接导线被配置为连接所述第一桥接电极组中的两所述桥接电极，所述第二连接导线被配置为连接所述第二桥接电极组中的两所述桥接电极。3.如权利要求2所述的桥接器件，其特征在于，所述绝缘层包括非故意掺杂GaN层以及用于生长所述非故意掺杂GaN层的生长衬底，所述生长衬底与所述非故意掺杂GaN层层叠，且所述导电层与所述生长衬底分别位于所述非故意掺杂GaN层相对的两侧。4.如权利要求2所述的桥接器件，其特征在于，所述承载板还包括钝化层，所述钝化层至少覆盖所述导电层远离所述绝缘层的一侧，且所述桥接电极远离所述承载板的一面外露于所述钝化层。5.如权利要求1所述的桥接器件，其特征在于，所述承载板中包括多个绝缘层以及至少两个导电层，所述至少两个导电层中包括第一导电层与第二导电层，二者间通过至少一个所述绝缘层隔离；所述第一桥接电极组中的两所述桥接电极分别通过第一过孔与所述第一导电层电连接，所述第二桥接电极组中的两所述桥接电极分别通过第二过孔与所述第二导电层电连接。6.如权利要求5所述的桥接器件，其特征在于，所述多个绝缘层包括层叠设置的衬底层、第一非故意掺杂GaN层、第二非故意掺杂GaN层，所述第一导电层位于所述衬底层与所述第一非故意掺杂GaN层之间，所述第二导电层位于所述第一非故意掺杂GaN层与所述第二非故意掺杂GaN层之间。7.如权利要求1
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6任一项所述的桥接器件，其特征在于，所述第一桥接电极组的两所述桥接电极以及所述第二桥接电极组的两所述桥接电极均位于所述承载板的同一表面。8.如权利要求7所述的桥接器件，其特征在于，所述承载板承载所述桥接电极的表面具有矩形轮廓，所述第一桥接电极组与所述第二桥接电极组的各所述桥接电极分别位于所述矩形轮廓的四角。9.一种基板，其特征在于，包括基材以及设于所述基材上的芯片焊盘组、桥接焊盘集；四个所述芯片焊盘组围绕一个所述桥接焊盘集设置；所述桥接焊盘集被配置为电连接如权利要求1
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8任一项所述的桥接器件，所述桥接焊盘集具有四个与所述桥接电极一一对应的桥接焊盘，各所述芯片焊盘组具有与发光芯片的芯片电极一一对应的芯片焊盘；所述芯片焊盘被配置为同与之对应的所述芯片电极电连接；所述桥接焊盘被配置为同与之对应的所述桥接...
【专利技术属性】
技术研发人员：柯有谱，刘会萍，张妮，
申请(专利权)人：深圳市聚飞光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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