【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗装置
[0001]本技术属于晶圆生产
,具体而言,涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]集成电路产业是信息技术产业的核心,在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体,芯片制造涉及芯片设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中,化学机械抛光属于晶圆制造工序,化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。
[0003]晶圆进行化学机械抛光后需要进行清洗、干燥等后处理。晶圆后处理的目的是为了避免微量离子和金属颗粒对半导体器件的污染,保障半导体器件的性能和合格率。晶圆清洗方式有:滚刷清洗、兆声清洗等,其中,滚刷清洗应用较为广泛。
[0004]竖直滚刷清洗装置主要包括槽体,槽体的内部设置有支撑组件,所述支撑组件包括驱动轮和测速轮,以竖向支撑晶圆并带动其旋转;设置于晶圆两侧的滚刷绕其轴线滚动,以接触清洗晶圆表面,移除晶圆表面的颗粒物。测速轮随着晶圆的旋转而转动, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括:槽体,其内部形成有供晶圆清洗的容置腔;清洗组件,包括位于晶圆两侧的滚刷;支撑组件,其位于所述清洗组件的下方并与晶圆边缘接触,用于支撑并限定晶圆在竖直平面内旋转;其中,所述支撑组件包括主动轮和测速轮,所述测速轮配置有制动件,所述制动件用于控制所述测速轮停止旋转。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗组件还包括与所述滚刷的一端传动连接的驱动机构,所述驱动机构用于带动所述滚刷相对于晶圆的表面转动,以对晶圆的表面进行竖直清洗。3.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆清洗装置还包括喷淋组件,所述喷淋组件配置于所述清洗组件的上方,用于向晶圆的表面喷淋清洗液。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述喷淋组件包括位于所述清洗组件的上方且相互平行的两个喷杆,所述喷杆上均匀分布多个喷嘴,所述喷嘴喷射的清洗液至少覆盖所述清洗组件与晶圆的接触区域。5.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述制动件包括传动轴以及套设于所述传动轴...
【专利技术属性】
技术研发人员:申兵兵,李长坤,
申请(专利权)人:华海清科股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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