图像传感器及形成方法技术

本发明专利技术提供一种图像传感器及形成方法，通过从背面至少刻蚀内设于衬底的正面沟槽隔离结构的底部以形成背面沟槽，并采用消光材料至少部分填充所述背面沟槽以形成背面沟槽隔离结构。入射光经所述背面沟槽隔离结构部分或全部反射，所述消光材料可以包括折射率小于所述衬底的材料，以至少部分反射入射光至对应侧的像素单元，从而提高灵敏度；所述消光材料还可以包括金属材料，以至少部分吸收所述入射光，减少所述入射光入射至相邻的像素单元，从而避免光学串扰。免光学串扰。免光学串扰。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及形成方法


[0001]本专利技术涉及图像传感器领域，具体涉及一种图像传感器及形成方法。

技术介绍

[0002]二十一世纪以来，电子产品已完全融入人们的生活当中，成为不可或缺的一部分。图像传感器是摄像头的核心元器件并具有周期性的像素阵列，每个像素输出一个信号，进而拼成完整的图片。
[0003]像素间的信号串扰会使像素输出的信号与实际信号出现偏差，导致图像的成片质量差。在现有的背照式图像传感器中，像素间的隔离通常采用p型注入和背部深槽隔离（Back Deep Trench Isolation，BDTI）组合的方案实现。然而，当像素尺寸缩小后，p型注入往两侧的扩散对光电二极管的影响越来越大，限制其满阱容量（Full Well Capability，FWC）的提升。
[0004]为解决这一问题，于衬底的正面制备侧向PN结隔离槽结构（PB Trench，PBT），形成侧向PN结以实现电学隔离。该结构增大光电二极管的电容，有助于满阱容量的提升，并实现像素间的物理隔离。
[0005]然而，当像素尺寸缩小后，像素的灵敏度不断本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：从背面至少刻蚀内设于衬底的正面沟槽隔离结构的底部以形成背面沟槽，并采用消光材料至少部分填充所述背面沟槽以形成背面沟槽隔离结构。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述消光材料包括折射率小于所述衬底的材料及金属材料中的一种或两种组合。3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述金属材料还用于形成位于所述背面上的格栅结构。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述正面沟槽隔离结构包括内设有至少一隔离层的侧向PN结隔离槽结构和/或自内向外刻蚀速率减小的若干所述隔离层。5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述正面沟槽隔离结构具有倒锥形底部。6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述衬底的刻蚀速率大于位于外部的至少一所述隔离层的刻蚀速率并小于位于内部的至少另一所述隔离层的刻蚀速率...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈青钰，黄琨，赵立新，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：