一种低电阻覆钴球镍氧化方法技术

本发明专利技术公开了一种低电阻覆钴球镍氧化方法，该方法包括：（1）向纯水中加入片碱，配制浓度为60%

【技术实现步骤摘要】
一种低电阻覆钴球镍氧化方法


[0001]本专利技术涉及粉末冶金
，特别涉及一种低电阻覆钴球镍氧化方法。

技术介绍

[0002]低电阻覆钴正极材料主要用于新能源电池的正极材料，其通过包覆反应在球形Ni(OH)2颗粒表面形成一层Co（OH）2，通过氧化工艺将包覆层氧化成CoOOH，消除或者抑制镍正极氧化过程极化过电位，增大氧化电位与析氧电位的差值，防止钴化合物溶解，提高其电化学过程中电荷和物质交换能力。然而，传统的氧化法氧化后物料的电阻高，包覆层氧化不彻底，部分基体氢氧化镍被氧化，严重影响材料的电化学性能。本专利技术的目的在于提供一种新的覆钴球镍氧化方法，该方法具有操作简便、制备材料电阻低等优点。

技术实现思路

[0003]针对上述技术问题，本专利技术提供了一种低电阻覆钴球镍氧化方法。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术的技术方案具体如下：一种低电阻覆钴球镍氧化方法，包括以下步骤：（1）向纯水中加入片碱，配制浓度为60%
‑
70%的液碱；（2）向反应器中加入覆钴后物料，加入量为200
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低电阻覆钴球镍氧化方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）向纯水中加入片碱，配制浓度为60%
‑
70%的液碱；（2）向反应器中加入覆钴后物料，加入量为200
‑
300kg，再加入步骤（1）中得到的液碱6
‑
10L；（3）反应器升温至80℃以上，通入氧气，流量为10
‑
20m3/h，搅拌至少25min，完成氧化。2.根据权利要求1所述一种低电阻覆钴球镍氧化方法，其特征在于，所述步骤（1）中，配置过程为，向纯水中加入片碱，加入量为1.5
‑
2.5kg/L，开...

【专利技术属性】
技术研发人员：王维强，赵德，张慧慧，赵述明，高文斌，李晓，张秀英，侯建国，高博，刘吉彤，
申请(专利权)人：金川集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：