一种低电阻覆钴球镍氧化方法技术

本发明专利技术公开了一种低电阻覆钴球镍氧化方法，该方法包括：（1）向纯水中加入片碱，配制浓度为60%

【技术实现步骤摘要】
一种低电阻覆钴球镍氧化方法


[0001]本专利技术涉及粉末冶金
，特别涉及一种低电阻覆钴球镍氧化方法。

技术介绍

[0002]低电阻覆钴正极材料主要用于新能源电池的正极材料，其通过包覆反应在球形Ni(OH)2颗粒表面形成一层Co（OH）2，通过氧化工艺将包覆层氧化成CoOOH，消除或者抑制镍正极氧化过程极化过电位，增大氧化电位与析氧电位的差值，防止钴化合物溶解，提高其电化学过程中电荷和物质交换能力。然而，传统的氧化法氧化后物料的电阻高，包覆层氧化不彻底，部分基体氢氧化镍被氧化，严重影响材料的电化学性能。本专利技术的目的在于提供一种新的覆钴球镍氧化方法，该方法具有操作简便、制备材料电阻低等优点。

技术实现思路

[0003]针对上述技术问题，本专利技术提供了一种低电阻覆钴球镍氧化方法。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术的技术方案具体如下：一种低电阻覆钴球镍氧化方法，包括以下步骤：（1）向纯水中加入片碱，配制浓度为60%
‑
70%的液碱；（2）向反应器中加入覆钴后物料，加入量为200
‑
300kg，再加入步骤（1）中得到的液碱6
‑
10L；（3）反应器升温至80℃以上，通入氧气，流量为10
‑
20m3/h，搅拌至少25min，完成氧化。
[0005]其中，所述步骤（1）中，配置过程为，向纯水中加入片碱，加入量为1.5
‑
2.5kg/L，开启搅拌，持续搅拌0.5小时后备用。
[0006]其中，所述步骤（3）中，反应器升温至80
‑
120℃。
[0007]其中，所述步骤（3）中，搅拌时间为25
‑
35min。
[0008]其中，所述步骤（1）中，片碱纯度必须达到99%，防止片碱纯度不够影响配制液碱纯度，影响成品质量。
[0009]其中，所述步骤（2）中，所述加入的覆钴后物料，其水分必须＜1%。
[0010]本专利技术的有益效果是：本专利技术在氧化的过程中加入高浓度的液碱，保证了Co
2+
充分的氧化成Co
3+
，构成了外部循环导电网络，高浓度的液碱减少了水分的引入，氧气流量分布式的通入防止了氧化过量，内部结构嵌入的Co
2+
不被氧化，保证了内部循环导电网络，并且节约了氧气的加入量，节约了成本。本专利技术克服了现有覆钴球镍氧化不彻底，电阻高的不足，提供一种新的覆钴球镍氧化方法，该方法具有操作简便、包覆层氧化彻底、制备材料电阻低和导电性能好等优点。
具体实施方式
[0011]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式，对本
专利技术进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本专利技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本专利技术的概念。
[0012]实施例1一种低电阻覆钴球镍氧化方法，包括以下步骤：（1）向纯水中加入片碱，配制浓度为60%的液碱；（2）向反应器中加入覆钴后物料，加入量为200kg，再加入步骤（1）中得到的液碱6L；（3）反应器升温至80℃，通入氧气，流量为10m3/h，搅拌25min，完成氧化,氧化后材料6000MPa压力下压片电阻低于3Ω。
[0013]其中，所述步骤（1）中，配置过程为，向纯水中加入片碱，加入量为1.5kg/L，开启搅拌，持续搅拌0.5小时后备用。
[0014]其中，所述步骤（1）中，片碱纯度必须达到99%，防止片碱纯度不够影响配制液碱纯度，影响成品质量。
[0015]其中，所述步骤（2）中，所述加入的覆钴后物料，其水分必须＜1%。
[0016]实施例2一种低电阻覆钴球镍氧化方法，包括以下步骤：（1）向纯水中加入片碱，配制浓度为70%的液碱；（2）向反应器中加入覆钴后物料，加入量为300kg，再加入步骤（1）中得到的液碱10L；（3）反应器升温至120℃，通入氧气，流量为20m3/h，搅拌35min，完成氧化,氧化后材料6000MPa压力下压片电阻低于3Ω。
[0017]其中，所述步骤（1）中，配置过程为，向纯水中加入片碱，加入量为2.5kg/L，开启搅拌，持续搅拌0.5小时后备用。
[0018]其中，所述步骤（1）中，片碱纯度必须达到99%，防止片碱纯度不够影响配制液碱纯度，影响成品质量。
[0019]其中，所述步骤（2）中，所述加入的覆钴后物料，其水分必须＜1%。
[0020]实施例3一种低电阻覆钴球镍氧化方法，其具体步骤如下：（1）向纯水中加入片碱，加入量为2.0kg/L，开启搅拌，持续搅拌0.5小时后备用，得到浓度为67%的液碱；（2）向反应釜中加入覆钴后物料，加入量为250kg，加入8L步骤（1）配制的液碱；（3）升温至80℃，开启氧气，氧气流量为15m3/h，搅拌30min，完成氧化,氧化后材料6000MPa压力下压片电阻低于3Ω。
[0021]其中，所述步骤（1）中，片碱纯度必须达到99%，防止片碱纯度不够影响配制液碱纯度，影响成品质量。
[0022]其中，所述步骤（2）中，所述加入的覆钴后物料，其水分必须＜1%。
[0023]实施例4一种低电阻覆钴球镍氧化方法，其具体步骤如下：（1）向纯水中加入片碱，加入量为2.3kg/L，开启搅拌，持续搅拌0.5小时后备用，得
到浓度为70%的液碱；（2）向反应釜中加入覆钴后物料，加入量为300kg，加入10L步骤（1）配制的液碱；（3）升温至100℃，开启氧气，氧气流量为20m3/h，搅拌35min，完成氧化,氧化后材料6000MPa压力下压片电阻低于3Ω。
[0024]其中，所述步骤（1）中，片碱纯度必须达到99%，防止片碱纯度不够影响配制液碱纯度，影响成品质量。
[0025]其中，所述步骤（2）中，所述加入的覆钴后物料，其水分必须＜1%。
[0026]实施例5一种低电阻覆钴球镍氧化方法，其具体步骤如下：（1）向纯水中加入片碱，加入量为2.0kg/L，开启搅拌，持续搅拌0.5小时后备用，得到浓度为67%的液碱；（2）向反应釜中加入覆钴后物料，加入量为300kg，加入6L步骤（1）中配制的液碱；（3）升温至120℃，开启氧气，氧气流量为20m3/h，先搅拌10min,将氧气流量降低到10m3/h后，再搅拌20min，完成氧化，氧化后材料6000MPa压力下压片电阻低于3Ω。
[0027]其中，所述步骤（1）中，片碱纯度必须达到99%，防止片碱纯度不够影响配制液碱纯度，影响成品质量。
[0028]其中，所述步骤（2）中，所述加入的覆钴后物料，其水分必须＜1%。
[0029]应当理解的是，本专利技术的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本专利技术的原理，而不构成对本专利技术的限制。因此，在不偏离本专利技术的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。此外，本专利技术所附权利要求旨在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低电阻覆钴球镍氧化方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）向纯水中加入片碱，配制浓度为60%
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70%的液碱；（2）向反应器中加入覆钴后物料，加入量为200
‑
300kg，再加入步骤（1）中得到的液碱6
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10L；（3）反应器升温至80℃以上，通入氧气，流量为10
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20m3/h，搅拌至少25min，完成氧化。2.根据权利要求1所述一种低电阻覆钴球镍氧化方法，其特征在于，所述步骤（1）中，配置过程为，向纯水中加入片碱，加入量为1.5
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2.5kg/L，开...

【专利技术属性】
技术研发人员：王维强，赵德，张慧慧，赵述明，高文斌，李晓，张秀英，侯建国，高博，刘吉彤，
申请(专利权)人：金川集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：