大颗镂空框架的封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种大颗镂空框架的封装结构，包括：框架本体、基岛、散热片、管脚和塑封层，框架本体的正面设有基岛，基岛的顶部连接芯片，基岛的底部设置散热片，芯片通过焊线连接管脚，框架本体镂空部分设有支撑连筋，支撑连筋呈网状分布，塑封层设置在框架本体的顶部且包覆基岛、芯片、焊线和支撑连筋，本发明专利技术提供了一种增加框架强度、减少注塑过程中模流冲压产生的冲击力、改善切割道弧度、减小切割道线弧冲弯风险、塑封后框架韧性会有提升、减小框架形变风险的大颗镂空框架的封装结构及其制备方法。备方法。备方法。

【技术实现步骤摘要】
大颗镂空框架的封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，更具体涉及一种大颗镂空框架的封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着封装技术集成化的不断发展，也为了适应产品多方面功能的发展需求，封装产品和框架设计的特殊性越来越多，封装
特殊框架设计的产品也越来越多泛。目前大颗封装产品是长期的趋势，但是大颗封装设计与小散热片匹配导致引线框架设计会有大面积的镂空设计，即框架上的镂空部分较大，实际生产整条产品时，模流冲压造成的切割道冲弧弧形超过设定值，无法全自动切割，切割产品时会有切割冲弧的风险。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本专利技术的目的在于提供了一种增加框架强度、减少注塑过程中模流冲压产生的冲击力、改善切割道弧度、减小切割道线弧冲弯风险、塑封后框架韧性会有提升、减小框架形变风险的大颗镂空框架的封装结构及其制备方法。
[0004]根据本专利技术的一个方面，提供了大颗镂空框架的封装结构，包括：框架本体、基岛、散热片、管脚和塑封层，框架本体的正面设有基岛，基岛的顶部连接芯片，基岛的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.大颗镂空框架的封装结构，其特征在于，包括：框架本体、基岛、散热片、管脚和塑封层，所述框架本体的正面设有基岛，所述基岛的顶部连接芯片，所述基岛的底部设置散热片，所述芯片通过焊线连接管脚，所述框架本体镂空部分设有支撑连筋，所述支撑连筋呈网状分布，所述塑封层设置在框架本体的顶部且包覆基岛、芯片、焊线和支撑连筋。2.根据权利要求1所述的大颗镂空框架的封装结构，其特征在于，所述支撑连筋连接基岛和框架本体边缘且与相邻的其他框架本体相连接。3.根据权利要求2所述的大颗镂空框架的封装结构，其特征在于，所述支撑连筋顶部与基岛表面平齐，所述支撑连筋厚度为框架本体厚度的一半。4.根据权利要求3所述的大颗镂空框架的封装结构，其特征在于，所述支撑连筋的宽度≥0.15mm，所述支撑连筋之间的间隙≥0.15mm。5.根据权利要求1－4任一项所述的大颗镂空框架的封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在框架本体上，蚀刻出基岛、管脚
、
支撑连筋和散热片；所述支撑连筋蚀刻掉的厚度为框架本体厚度的一半；所述散热片蚀刻成型在基岛的底部；S2：芯片安装，将所述芯片设置在基岛顶部；S3：焊线连接，利用焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱丹雁，王强，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：