【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体封装器件及其制造方法
[0001]本揭露一般涉及氮基半导体封装器件。更具体地说，本揭露涉及一种扇出型(fan
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out)氮基半导体封装器件。
技术介绍
[0002]近年来，对高电子迁移率晶体管(high
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electron
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mobility transistors,HEMT)的深入研究非常普遍，尤其是在高功率开关和高频应用中。III族氮化物HEMT利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面来形成量子阱状结构，其容纳二维电子气(two
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dimensional electron gas,2DEG)区域，满足高功率/频率器件的需求。除了HEMT之外，具有异质结构的器件的示例还包括异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBT)、异质结场效应晶体管(heterojunction field effect transistor,HFET)和调制掺杂FET(modulation
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doped
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体封装器件，其特征在于，包括：第一半导体芯片，包括第一晶体管；第二半导体芯片，设置在所述第一半导体芯片上方并包括第二晶体管；和密封剂，封装所述第一半导体芯片，其中所述第一半导体芯片完全地嵌入于所述密封剂，所述第一半导体芯片的有源表面与背表面被所述密封剂所覆盖，所述第二半导体芯片具有有源表面和背表面，其中所述第二半导体芯片的所述有源表面未被所述密封剂所覆盖，且所述第二半导体芯片的背表面被所述密封剂所覆盖且朝向所述第一半导体芯片的所述有源表面。2.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管分别由适于不同电压范围的氮化镓基晶体管所配置。3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，其中所述第一晶体管由低电压氮化镓基晶体管所配置，并且所述第二晶体管由高电压氮化镓基晶体管所配置。4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，其中所述高电压氮化镓基晶体管的漏极电极和栅极电极之间的距离大于所述低电压氮化镓基晶体管的漏极电极电极和栅极电极之间的距离。5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，其中所述密封剂具有底部，所述底部覆盖所述第一半导体芯片的整个所述背表面。6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，其中所述密封剂具有彼此相对的最顶表面和最底表面，并且所述第一半导体芯片位于所述密封剂的所述最顶表面和所述最底表面之间。7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，其中所述第一半导体芯片的所述有源表面面向所述第二半导体芯片的所述背表面。8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，进一步包括：导电层，设置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间，其中所述导电层具有被所述密封剂所覆盖的端表面和未被所述密封剂所覆盖的另一端表面。9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，还包括介电层，覆盖所述第二半导体芯片的所述背表面并位于所述第二半导体芯片的所述背表面和所述导电层之间。10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，其中所述介电层具有一对未被所述密封剂所覆盖的端表面。11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，其中所述第二半导体芯片具有倾斜表面，所述倾斜表面将所述第二半导体芯片的所述背表面连接到所述第二半导体芯片的所述有源表面。12.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，其中所述介电层共形于所述第二半导体芯片的所述倾斜表面和所述第二半导体芯片的所述背表面。13.根据前述权利要求中任一项所述的半导体封装器件，其特征在于，进一步包括：第一重分布层，设置在所述第一半导体芯片和所述导电层之间；和多个第一导电凸块，设置在所述第一重分布层和所述导电层之间，并将所述第一重分
布层电连接到所述导电层，其中所述第一重分布层与所述第一导电凸块嵌入到所述密封剂中。1...
【专利技术属性】
技术研发人员：许二岗，曹凯，张雷，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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