功率半导体模块制造技术

公开了一种功率半导体模块，包括：基板；宽带隙材料裸芯，包括附接至基板的宽带隙材料裸芯中的多个半导体电路的阵列，其中，半导体电路通过边缘终止区彼此间隔开；金属预制件，压靠在多个半导体电路中的每个半导体电路上，以电接触多个半导体电路中的每个半导体电路，并且适于在被过电流加热时形成通过宽带隙材料裸芯的至少临时导电路径，其中，半导体电路通过基板和金属预制件并联连接。过基板和金属预制件并联连接。过基板和金属预制件并联连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率半导体模块


[0001]本申请涉及功率半导体器件领域。特别地，本申请涉及用于这些器件的功率半导体模块。

技术介绍

[0002]本节提供与本公开相关的背景信息，但是该背景信息不必要是现有技术。
[0003]诸如转换器、电驱动器等的功率半导体器件通常由多个功率半导体模块组装而成，每个功率半导体模块机械连接和电连接一个或多个功率半导体元件。在高压DC(HVDC) 应用中，通常需要串联多个功率半导体模块，以满足高电压和大电流要求。在发生故障时永久导通的功率半导体模块在这种串联连接中可能具有很大优势，因为其余模块可以共享阻断电压。这种操作被称作为短路故障模式(SCFM)。一种能够实现SCFM的现有封装技术是压装技术，其例如针对晶闸管和GTO(栅极可关断晶闸管)和IGCT(集成栅极换向晶闸管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)开发，因为它们可以很容易地进行电气和机械串联。在具有基于Si(硅)的半导体元件的半导体模块中，金属预制件可以形成在 Si芯片的电极上，其适于与芯片的Si材料形成低熔点共晶合金，并产生导电路径以承载通过故障点的全电流负载。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率半导体模块(1)，其特征在于，包括：基板(10)；宽带隙材料裸芯(12)，包括附接至所述基板(10)的所述宽带隙材料裸芯(12)中的多个半导体电路(11)的阵列，其中，所述半导体电路(11)由边缘终止区(16)彼此间隔开；金属预制件(14)，压靠在所述多个半导体电路(11)中的每个半导体电路上以电接触所述多个半导体电路(11)中的每个半导体电路，并且适于在被过电流加热时，形成通过所述宽带隙材料裸芯(12)的至少临时导电路径；其中，所述半导体电路(11)通过所述基板(10)和所述金属预制件(14)并联连接。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述宽带隙材料包括碳化硅(SiC)。3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述多个半导体电路(11)中的至少一个包括IGBT、MOSFET或二极管中的至少一种。4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述多个半导体电路(11)的阵列包括四个半导体电路(11)。5.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，还包括：将所述金属预制件(14)压靠在所述多个半导体电路(11)中的每个半导体电路上的至少一个压销(18)。6.根据权利要求5所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，还包括：连接至所述至少一个压销(18)的导电顶板(20)。7.根据权利要求5所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述至少一个压销(18)包括弹簧元件(22)。8.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(1)，其特征在于，所述金属预制件(14)是多引脚金属预制件。9.根据权利要求1所述的功率半导体模块(1)，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳春雷，J，
申请(专利权)人：日立能源瑞士股份公司，
类型：新型
国别省市：