一种集成在电机壳内部的电机控制模块制造技术

本发明专利技术涉及电机控制技术领域，具体涉及一种集成在电机壳内部的电机控制模块，所述电机控制模块为圆盘状，包括：位于内圆的薄膜电容；多个MOSFET芯片，多个所述MOSFET芯片围绕所述薄膜电容布置；所述MOSFET芯片的源极通过铜排焊接引出正极和负极，所述MOSFET芯片的漏极通过铜排焊接引出三相分布性铜排抽头；所述正极和所述负极通过所述铜排直接与所述薄膜电容内的电容芯子连接，所述三相分布性铜排抽头与一电机定子直接连接。本发明专利技术采用圆形扁平薄膜电容，生产成本低且扁平电容高度低，寄生电感降低；电机三相绕组无任何端部转接线；无需额外水路连接，电容大面积高效冷却；省去大量无用转接部件、结构紧凑、生产高效、成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种集成在电机壳内部的电机控制模块


[0001]本专利技术涉及电机控制
，尤其涉及一种集成在电机壳内部的电机控制模块。

技术介绍

[0002]电机是现在家电以及机械设备中不可或缺的装置，现有的电机控制设备中，MOSFET芯片通过绑定线与MOSFET芯片输出端子转接，寄生电感大，不适合高速开关的应用，多次转接导致用料多，集成成本高；母线薄膜电容通过内部转接铜排与电容输出端子连接，并与MOSFET芯片输出端子连接，且MOSFET芯片及薄膜电容需要两次封装；电机三相绕组在电机端部形成引出线，并与电机三输出铜排进行焊接连接，电机与MOSFET芯片多级连接，电气连接复杂，连接点失效高发；电机三相输出铜排与MOSFET芯片输出端子通过转接铜排/高压线束连接；电机与MOSFET模块通过水管连接的串联水道内依次冷却，且电机与MOSFET芯片的冷却连接复杂，电容散热面小，且多为无水冷散热；电机端部引出线部分占据电机>1/3体积，功率密度低，且端子线难以冷却，产品功率密度低，电容热应力大。

技术实现思路

[0003]为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种集成在电机壳内部的电机控制模块。
[0004]本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案实现：
[0005]一种集成在电机壳内部的电机控制模块，所述电机控制模块为圆盘状，包括：
[0006]位于内圆的薄膜电容；
[0007]多个MOSFET芯片，多个所述MOSFET芯片围绕所述薄膜电容布置；
[0008]所述MOSFET芯片的源极通过铜排焊接引出正极和负极，所述MOSFET芯片的漏极通过铜排焊接引出三相分布性铜排抽头；
[0009]所述正极通过所述铜排直接与所述薄膜电容内的电容芯子上表面连接，所述负极通过所述铜排直接与所述薄膜电容内的电容芯子下表面连接，所述三相分布性铜排抽头与一电机定子直接连接。
[0010]优选的，所述电机定子的分布性绕组直接与所述三相分布性铜排抽头的电阻焊接。
[0011]优选的，所述电机定子上设有一电机端盖，所述所述电机控制模块固定于所述电机端盖上。
[0012]优选的，所述电机端盖为圆形，所述电机端盖和所述电机定子的水套共用一水冷回路。
[0013]优选的，所述MOSFET芯片和所述薄膜电容一体树脂灌封，所述三相分布性铜排抽头外漏于封装外。
[0014]优选的，所述薄膜电容为卷绕的圆形扁平状薄膜电容。
[0015]优选的，所述电机控制模块上装置一线路板，与所述电机控制模块位置相对应设
定。
[0016]优选的，所述线路板为圆形，所述线路板内圆对应所述薄膜电容的控制电路部分，所述线路板外环对应所述MOSFET芯片的驱动电路部分。
[0017]优选的，所述线路板上设有多个元器件。
[0018]优选的，所述MOSFET芯片、所述薄膜电容和所述电机定子一体集成。
[0019]其有益效果在于：
[0020]本专利技术采用圆形扁平薄膜电容，单次自然绕卷，且不需热压成方块状生产成本低且扁平电容高度低，扁平电容高度低，正负极输出相隔近，寄生电感降低；电容与MOSFET芯片直接连接，无任何中间铜排转接产生的费用、接触电阻、寄生电感；电机三相绕组无任何端部转接线，控制模块与其直接连接，解决其带来的成本、体积、散热、组装问题；省去大量无用转接部件、结构紧凑、生产高效、成本低。
附图说明
[0021]图1为本专利技术提供的一种集成在电机壳内部的电机控制模块与电机定子连接结构侧视图；
[0022]图2为本专利技术提供的一种集成在电机壳内部的电机控制模块与电机定子连接结构俯视图；
[0023]图3为本专利技术提供的一种集成在电机壳内部的电机控制模块结构俯视图；
[0024]图4为本专利技术提供的一种集成在电机壳内部的电机控制模块结构侧视图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0027]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0028]参照图1
‑
4为本专利技术提供的一种集成在电机壳内部的电机控制模块结构图以及与电机定子连接结构图，电机控制模块1为圆盘状，包括：
[0029]位于内圆的薄膜电容11；
[0030]多个MOSFET芯片10，多个MOSFET芯片10围绕薄膜电容11布置；
[0031]MOSFET芯片10的源极通过铜排焊接引出正极6和负极7，MOSFET芯片10的漏极通过铜排焊接引出三相分布性铜排抽头3；
[0032]正极6通过铜排直接与薄膜电容11内的电容芯子上表面连接，负极7通过铜排直接与薄膜电容11内的电容芯子下表面连接，三相分布性铜排抽头3与一电机定子2直接连接。
[0033]具体的，薄膜电容11与MOSFET芯片10直接连接，无任何中间铜排转接产生的费用、接触电阻、寄生电感；扁平电容高度低，正极、负极输出相隔近，寄生电感较传统的方块式电容降低。
[0034]进一步地，电机定子2的分布性绕组直接与三相分布性铜排抽头3的电阻焊接。
[0035]具体的，电机定子2的分布性绕组无任何端部转接线，电机控制模块1与电机定子2的分布性绕组直接连接
[0036]进一步地，电机定子2上设有一电机端盖4，电机控制模块1固定于电机端盖4上。
[0037]进一步地，电机端盖4为圆形，电机端盖4和电机定子2的水套共用一水冷回路。
[0038]具体的，电机控制模块1与电机定子2无需额外水路连接，电容大面积高效冷却。
[0039]进一步地，MOSFET芯片10和薄膜电容11一体树脂灌封，三相分布性铜排抽头3外漏于封装外。
[0040]具体的，MOSFET芯片10和薄膜电容11一体树脂灌封，一次生产，节省成本和生产效率，减少无用转接部件。
[0041]进一步地，薄膜电容11为卷绕的圆形扁平状薄膜电容。
[0042]具体的，薄膜电容11采用绕卷的圆形扁平薄膜电容，且不需热压成方块状，生产成本低。
[0043]进一步地，电机控制模块1上装置一线路板5，与电机控制模块1位置相对应设定。
[0044]进一步地，线路板5为圆形，线路板5内圆对应薄膜电容11的控制电路部分，线路板5外环对应MOSFET芯片10的驱动电路部分。
[0045]具体的，线路板5的内圆对应薄膜电容11部分为控制电路部分，线路板5外环对应MOSFET芯片10区域为驱动电路部分。
[0046]进一步地，线路板5上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成在电机壳内部的电机控制模块，其特征在于，所述电机控制模块为圆盘状，包括：位于内圆的薄膜电容；多个MOSFET芯片，多个所述MOSFET芯片围绕所述薄膜电容布置；所述MOSFET芯片的源极通过铜排焊接引出正极和负极，所述MOSFET芯片的漏极通过铜排焊接引出三相分布性铜排抽头；所述正极通过所述铜排直接与所述薄膜电容内的电容芯子上表面连接，所述负极通过所述铜排直接与所述薄膜电容内的电容芯子下表面连接，所述三相分布性铜排抽头与一电机定子直接连接。2.根据权利要求1所述的一种集成在电机壳内部的电机控制模块，其特征在于，所述电机定子的分布性绕组直接与所述三相分布性铜排抽头的电阻焊接。3.根据权利要求1所述的一种集成在电机壳内部的电机控制模块，其特征在于，所述电机定子上设有一电机端盖，所述所述电机控制模块固定于所述电机端盖上。4.根据权利要求3所述的一种集成在电机壳内部的电机控制模块，其特征在于，所述电机端盖为圆形，所述电机端盖和所述电机定子的水...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙儒文，陆之成，
申请(专利权)人：宁波央腾汽车电子有限公司，
类型：发明
国别省市：