电极边缘电流密度的调整方法和电极技术

本申请涉及一种电极边缘电流密度的调整方法和电极，该方法包括：获取电极阵列中的目标电极的当前阻抗，并通过预设的阻抗调整方式和当前阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，得到调整后的目标电极；调整后的目标电极上的阻抗为使得目标电极的电极边缘电流密度小于预设阈值。该方法中，根据电极阵列中的目标电极的当前阻抗和预设的调整方式对目标电极的阻抗进行调整，以使得调整后的目标电极的阻抗能够使目标电极的电极边缘电流密度小于预设阈值，使得目标电极的电极边缘电流密度在安全阈值以下，改善了目标电极的电极边缘部位的发热情况，减小了目标电极的副作用，并适用于安全性能更高的植入场景。性能更高的植入场景。性能更高的植入场景。

【技术实现步骤摘要】
电极边缘电流密度的调整方法和电极


[0001]本申请涉及医疗器械
，特别是涉及一种电极边缘电流密度的调整方法和电极。

技术介绍

[0002]肿瘤电场治疗通常是将电极的阵列形式贴合在治疗部位形成低强度的中频交流电场，在中频交流电场作用下使细胞有丝分裂异常，导致细胞死亡，以实现肿瘤治疗。
[0003]以圆形陶瓷电极为例，可以通过圆形陶瓷电极以阵列形式施加交变电场来抑制肿瘤细胞的有丝分裂。然而，单片圆形陶瓷电极的电流幅值可达100mA，整个阵列电极的总电流可达1A量级，这样每个电极边缘电流密度较高，使得电极边缘部位发热较为严重，导致人体组织对应部位出现炎症等副作用。
[0004]因此，亟需一种降低电极边缘电流密度的方法来改善电极边缘部位的发热情况。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种电极边缘电流密度的调整方法和电极，能够降低电极边缘电流密度，从而改善电极边缘部位的发热情况。
[0006]第一方面，本申请提供了一种电极边缘电流密度的调整方法，该方法包括：
[0007]获取电极阵列中的目标电极的当前阻抗；
[0008]通过预设的阻抗调整方式和当前阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，得到调整后的目标电极；调整后的目标电极上的阻抗为使得目标电极的电极边缘电流密度小于预设阈值。
[0009]在其中一个实施例中，当前阻抗包括当前整体阻抗；通过预设的阻抗调整方式和当前阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，包括：
[0010]通过调整目标电极的当前整体阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整。
[0011]在其中一个实施例中，通过调整目标电极的当前整体阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，包括：
[0012]根据目标电极中电极层的面积，获取目标电极中金属层的调整面积；
[0013]从目标电极中金属层的面积中减小金属层的调整面积，得到调整后的目标电极；调整后的目标电极的整体阻抗大于当前整体阻抗。
[0014]在其中一个实施例中，通过调整目标电极的当前整体阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，包括：
[0015]根据目标电极当前整体阻抗，确定多个小电极；
[0016]基于多个小电极构建片阵列电极；片阵列电极中各小电极之间的距离处于预设范围内，片阵列电极的有效面积小于目标电极的原有效面积；
[0017]将片阵列电极替换目标电极中的电极；替换后的目标电极的整体阻抗大于当前整体阻抗。
[0018]在其中一个实施例中，当前阻抗包括当前边缘阻抗；通过预设的阻抗调整方式和当前阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，包括：
[0019]通过调整目标电极的当前边缘阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整。
[0020]在其中一个实施例中，通过调整目标电极的当前边缘阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，包括：
[0021]根据目标电极中电极层的面积，获取目标电极中凝胶层的调整面积；
[0022]对目标电极中凝胶层的面积增大凝胶层的调整面积，得到调整后的目标电极；调整后的目标电极的边缘阻抗大于当前边缘阻抗。
[0023]在其中一个实施例中，通过调整目标电极的当前边缘阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，包括：
[0024]根据目标电极的当前边缘阻抗，获取目标电极的绝缘面积；
[0025]在目标电极的电极层边缘添加与绝缘面积相同的绝缘层，得到调整后的目标电极；调整后的目标电极的边缘阻抗大于当前边缘阻抗。
[0026]在其中一个实施例中，当前阻抗包括当前中间阻抗；通过预设的阻抗调整方式和当前阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，包括：
[0027]通过调整目标电极的当前中间阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整。
[0028]在其中一个实施例中，通过调整目标电极的当前中间阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，包括：
[0029]获取目标电极的电极层中各个区域的阻抗；
[0030]获取电极层中阻抗大于预设值的目标电极层区域，并对目标电极层区域进行刻槽操作，得到多个槽孔；
[0031]将阻抗小于预设阻抗阈值的材料分别填充至各槽孔，得到调整后的目标电极；调整后的目标电极的中间阻抗小于当前中间阻抗。
[0032]在其中一个实施例中，对目标电极层区域进行刻槽操作，包括：
[0033]根据目标电极层区域的阻抗，确定刻槽信息；刻槽信息包括槽宽、槽深和槽的外径；
[0034]根据刻槽信息对目标电极层区域进行刻槽操作。
[0035]在其中一个实施例中，该方法还包括：
[0036]将电极阵列中的目标电极和其他电极进行预设距离的调整；调整后的电极阵列中每个电极的电极边缘电流密度均小于预设阈值。
[0037]第二方面，本申请还提供了一种电极，该电极的电极边缘电流密度小于预设阈值，且电极的电极边缘电流密度为通过上述第一方面实施例提供的任一项方法进行调整后的。
[0038]第三方面，本申请还提供了一种电极边缘电流密度的调整装置，该装置包括：
[0039]获取模块，用于获取电极阵列中的目标电极的当前阻抗；
[0040]调整模块，用于通过预设的阻抗调整方式和所述当前阻抗，对所述目标电极上的阻抗进行调整，得到调整后的目标电极；所述调整后的目标电极上的阻抗为使得所述目标电极的电极边缘电流密度小于预设阈值。
[0041]第四方面，本申请实施例提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述第一方面实施例提供的任一项方法的步
骤。
[0042]第五方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面实施例提供的任一项方法的步骤。
[0043]第六方面，本申请实施例提供计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面实施例提供的任一项方法的步骤。
[0044]上述电极边缘电流密度的调整方法和电极，获取电极阵列中的目标电极的当前阻抗，并通过预设的阻抗调整方式和当前阻抗，对目标电极上的阻抗进行调整，得到调整后的目标电极；调整后的目标电极上的阻抗为使得目标电极的电极边缘电流密度小于预设阈值。该方法中，根据电极阵列中的目标电极的当前阻抗和预设的调整方式对目标电极的阻抗进行调整，以使得调整后的目标电极的阻抗能够使目标电极的电极边缘电流密度小于预设阈值，使得目标电极的电极边缘电流密度在安全阈值以下，改善了目标电极的电极边缘部位的发热情况，减小了目标电极的副作用，并适用于安全性能更高的植入场景。
附图说明
[0045]图1a为一个实施例中电极边缘电流密度的调整方法的应用环境图；
[0046]图1b为一个实施例中电极阵列的应用环境图；
[0047]图2为一个实施例中电极边缘电流密度的调整方法的流程示意图；
[0048]图3为一个实施例中电极的结构示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电极边缘电流密度的调整方法，其特征在于，所述方法包括：获取电极阵列中的目标电极的当前阻抗；通过预设的阻抗调整方式和所述当前阻抗，对所述目标电极上的阻抗进行调整，得到调整后的目标电极；所述调整后的目标电极上的阻抗为使得所述目标电极的电极边缘电流密度小于预设阈值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当前阻抗包括当前整体阻抗；所述通过预设的阻抗调整方式和所述当前阻抗，对所述目标电极上的阻抗进行调整，包括：通过调整所述目标电极的当前整体阻抗，对所述目标电极上的阻抗进行调整。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过调整所述目标电极的当前整体阻抗，对所述目标电极上的阻抗进行调整，包括：根据所述目标电极中电极层的面积，获取所述目标电极中金属层的调整面积；从所述目标电极中金属层的面积中减小所述金属层的调整面积，得到调整后的目标电极；所述调整后的目标电极的整体阻抗大于所述当前整体阻抗。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过调整所述目标电极的当前整体阻抗，对所述目标电极上的阻抗进行调整，包括：根据所述目标电极当前整体阻抗，确定多个小电极；基于所述多个小电极构建片阵列电极；所述片阵列电极中各小电极之间的距离处于预设范围内，所述片阵列电极的有效面积小于所述目标电极的原有效面积；将所述片阵列电极替换所述目标电极中的电极；替换后的目标电极的整体阻抗大于所述当前整体阻抗。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的方法，其特征在于，所述当前阻抗包括当前边缘阻抗；所述通过预设的阻抗调整方式和所述当前阻抗，对所述目标电极上的阻抗进行调整，包括：通过调整所述目标电极的当前边缘阻抗，对所述目标电极上的阻抗进行调整。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过调整所述目标电极的当前边缘阻抗，对所述目标电极上的阻抗进行调整，包括：根据所述目标电极中电极层的面积，获取所述目标电极中凝胶层的调整面积；对所述目标电极中凝胶层的面积增大所述凝胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鑫，林汲，胡春华，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：